090N03MS-VB；Package：DFN8(5X6)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V；ID：80A；Technology：Trench；
### 090N03MS-VB N-Channel 沟道 DFN8(5X6) MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明
#### 产品概述
090N03MS-VB 是一款 N-Channel 的 TrenchFET 功率 MOSFET，具有低导通电阻 (RDS(ON)) 和高电流处理能力的特点。该器件采用紧凑型 DFN8 (5x6) 封装，适用于空间受限的应用环境。其关键特性包括：
- **TrenchFET® 功率 MOSFET**：利用先进的沟槽技术提高效率。
- **100% Rg 和 UIS 测试**：确保器件的质量和可靠性。
- **符合 RoHS 指令 2011/65/EU**：符合欧盟关于限制在电气电子产品中使用某些有害物质的规定。
#### 主要参数
- **VDS**（漏极-源极电压）：30V
- **VGS**（栅极-源极电压）：±20V
- **Vth**（阈值电压）：1.7V
- **RDS(ON)**（导通电阻）：
- @VGS=4.5V：9mΩ
- @VGS=10V：7mΩ
- **ID**（连续漏极电流）：80A
- **技术**：Trench
#### 绝对最大额定值 (TA = 25°C，除非另有说明)
| 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|----------------------------------|----------|--------|--------|
| 漏极-源极电压 | VDSON | 30V | V |
| 栅极-源极电压 | VGSON | ±20V | V |
| 连续漏极电流 (TJ = 175°C) | ID | 70A | A |
| 脉冲漏极电流 | IP | 210A | A |
| 雪崩电流脉冲 | IAVAL | 6A | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAVAL | 5mJ | mJ |
| 连续源-漏极二极管电流 | ISD | 8A | A |
| 最大功耗 | PD | 155W | W |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ, TSTG | -55°C 至 175°C | °C |
#### 热阻额定值
| 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|--------------------------------|----------|--------|--------|--------|
| 最大结温到环境温度 | Rth(JA) | 32°C/W | 40°C/W | °C/W |
| 最大结温到外壳温度 | Rth(JC) | 0.5°C/W | 0.6°C/W | °C/W |
#### 规格 (TJ = 25°C，除非另有说明)
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|----------------------------------------|----------|--------------------------------|-------|-------|-------|-------|
| 漏极-源极击穿电压 | VDSON | VGS = 0V, ID = 250µA | - | 30V | - | V |
#### 应用领域
- **OR-ing**：在电源系统中用于防止电流逆流。
- **服务器**：用于服务器电源管理和其他高电流应用。
- **DC/DC 转换器**：适用于高效能 DC/DC 转换器设计。
#### 封装信息
- **封装类型**：DFN8 (5x6)
- **引脚配置**：
- 1: 源极 (S)
- 2: 源极 (S)
- 3: 漏极 (D)
- 4: 栅极 (G)
- **尺寸**：
- 顶视图：5.15mm x 6.15mm
- 底视图：展示器件底部结构
#### 注意事项
- **应力超出绝对最大额定值可能会导致永久性损坏**：虽然这些额定值为极限值，但并不意味着器件在这些条件下的功能是可保证的。
- **脉冲测试**：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。
- **可靠性**：通过设计保证，非生产测试项目。
090N03MS-VB 是一款高性能的 N-Channel TrenchFET 功率 MOSFET，适用于多种高电流、高效率的应用场景。其紧凑的封装形式使得在空间有限的应用中也能实现优异的表现。此外，该器件经过了严格的测试和认证，确保了其可靠性和耐用性。
