042N03S-VB；Package：DFN8(5X6)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V；ID：160A；Technology：Trench；
### 042N03S-VB N-Channel 沟道 DFN8(5X6) MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明
#### 产品概述
042N03S-VB 是一款单 N-Channel 的沟道场效应晶体管（MOSFET），采用了 DFN8(5X6) 封装形式。该晶体管由 VBsemi 生产，并具有以下特点：
- **TrenchFET® Power MOSFET**：采用先进的沟槽技术制造，提高了功率密度和效率。
- **100% Rg 和 UIS 测试**：确保了高质量和可靠的性能。
此 MOSFET 主要应用于服务器中的 OR-ing 电路等场合，能够在较宽的工作温度范围内稳定工作，适用于需要高可靠性和低功耗的应用场景。
#### 技术参数
- **最大漏源电压 (VDS)**：30V
- **最大栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- @ VGS = 4.5V：2.5mΩ
- @ VGS = 10V：1.8mΩ
- **连续漏极电流 (ID)**：160A
- **技术类型**：沟槽型 (Trench)
这些参数使得 042N03S-VB 在高电流、低电压应用中表现出色，特别适合用于需要高效能和快速开关特性的系统设计。
#### 绝对最大额定值
- **漏极-源极电压 (VDS)**：30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **连续漏极电流 (ID)**：
- 当 TJ = 175°C 时，TC = 25°C 下为 160A
- 当 TC = 70°C 时，为 90A
- **脉冲漏极电流 (IP)**：300A
- **雪崩电流脉冲 (IL)**：0.1mA
- **单脉冲雪崩能量 (AS)**：64.8mJ
- **连续源-漏极二极管电流 (IS)**：90A
- **最大功率耗散 (PD)**：
- 当 TC = 25°C 时，为 250W
- 当 TC = 70°C 时，为 175W
- **操作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg)**：-55°C 至 175°C
- **热阻**：
- 最大结到环境温度 (RthJA)：32°C/W
- 最大结到壳温 (RthJC)：0.5°C/W 至 0.6°C/W
这些绝对最大额定值定义了在不损坏器件的情况下所能承受的最大应力。值得注意的是，超过这些极限可能会导致永久性损坏或影响设备的可靠性。
#### 应用场景
042N03S-VB 能够在服务器和其他高性能电子设备中实现高效的功率转换。例如，在 OR-ing 应用中，它可以用于确保电源系统的冗余性和可靠性。此外，其低导通电阻特性使其成为高速开关应用的理想选择，如电源管理模块、DC/DC 转换器以及电池充电控制电路。
#### 结论
042N03S-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，具有低导通电阻、高电流处理能力和宽工作温度范围等特点。这些特性使其非常适合于服务器电源管理、OR-ing 电路以及其他需要高效率和快速响应的应用场景。通过对其技术参数和绝对最大额定值的详细了解，设计工程师可以更好地利用这款 MOSFET 来满足特定的设计需求。
