050N03MS-VB；Package：DFN8(5X6)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V；ID：120A；Technology：Trench；
### 050N03MS-VB N-Channel 沟道 DFN8(5X6) MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明
#### 产品概述
050N03MS-VB 是一款采用 Trench 技术制造的 N-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于笔记本电脑的核心电源管理和 VRM/POL（电压调节模块/负载点转换器）等场合。这款 MOSFET 的主要特点包括高效率、低导通电阻和优异的热性能。
#### 主要特性
- **TrenchFET® Power MOSFET**：采用先进的 Trench 结构设计，显著降低导通电阻，提高开关性能。
- **100% Rg 和 UIS 测试**：确保了器件的可靠性和稳定性。
#### 应用范围
- 笔记本电脑核心电源管理
- VRM/POL（电压调节模块/负载点转换器）
#### 参数详解
- **封装类型**：DFN8(5X6)，这是一种小型化封装形式，适合于高密度安装。
- **配置**：单 N-Channel，意味着这是一款单独的 N 型 MOSFET。
- **最大漏源电压 (VDS)**：30V，即该 MOSFET 能够承受的最大漏极至源极电压为 30 伏特。
- **最大栅源电压 (VGS)**：±20V，指 MOSFET 的栅极和源极之间能承受的最大正向和反向电压分别为 20 伏特。
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V，这是 MOSFET 开始导通所需的最小栅源电压。
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 在 VGS=4.5V 时，RDS(ON)=5mΩ；
- 在 VGS=10V 时，RDS(ON)=3mΩ；
这表明随着栅源电压的增加，导通电阻会减小，从而降低了功率损耗。
- **最大连续漏极电流 (ID)**：120A，在 25°C 下的最大连续工作电流。
- **技术类型**：Trench，这种技术能够实现更低的导通电阻和更快的开关速度。
#### 绝对最大额定值 (TA = 25°C 除非另有说明)
- **漏极-源极电压 (VDSS)**：30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **连续漏极电流 (ID)**：在 25°C 时为 120A，在 70°C 时为 90A。
- **脉冲漏极电流 (IDM)**：250A
- **雪崩电流脉冲 (IAV)**：5A
- **单脉冲雪崩能量 (EAS)**：60mJ
- **连续源-漏极二极管电流 (IS)**：80A
- **最大功率耗散 (PD)**：210W
- **操作结温范围 (TJ)**：-55°C 至 175°C
- **热阻 (RthJA)**：41°C/W
- **热阻 (RthJC)**：0.9°C/W
#### 工作条件
- 以上绝对最大额定值是器件可能遭受损害的极限值。这些值仅作为应力限制，并不代表器件在此条件下能正常工作。长时间暴露于绝对最大额定值可能会降低器件的可靠性。
#### 总结
050N03MS-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，特别适用于需要高效电源管理的应用场景，如笔记本电脑和 VRM/POL 设计。其低导通电阻和高工作电流使其成为处理大电流应用的理想选择。此外，先进的 Trench 技术和严格的测试标准保证了产品的稳定性和耐用性。
通过详细解读这些参数和技术指标，可以更好地理解 050N03MS-VB MOSFET 的性能优势及其适用范围。这对于设计人员来说至关重要，因为它有助于优化电路设计并确保最终产品的高效性和可靠性。
