130N03MS-VB一种N-Channel沟道SOP8封装MOS管

130N03MS-VB；Package：SOP8；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=11mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V；ID：13A；Technology：Trench； 根据提供的文档信息，我们可以深入解析这款130N03MS-VB MOSFET的关键特性、应用领域以及技术规格。 ### 产品概述 130N03MS-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOP8（Small Outline Package 8-pin）封装形式。该器件的最大VDS（漏极-源极电压）为30V，最大VGS（栅极-源极电压）为±20V，阈值电压Vth为1.7V。在不同工作电压下，其导通电阻RDS(ON)分别为11mΩ（当VGS=4.5V时）和8mΩ（当VGS=10V时）。该MOSFET的连续漏极电流ID最高可达13A，制造工艺采用了先进的沟槽技术（Trench technology）。 ### 特性 1. **无卤素**：这款MOSFET采用了无卤素材料，符合环保标准。 2. **沟槽型功率MOSFET**：采用了TrenchFET®技术，显著提高了效率并减少了损耗。 3. **高侧同步整流优化**：针对高侧同步整流操作进行了优化设计，适用于需要高效能的电源转换场合。 4. **全面测试**：出厂前经过了100% Rg（栅极电阻）和UIS（Unclamped Inductive Switching，非钳位电感开关）测试，确保产品质量。 ### 应用领域 1. **笔记本电脑CPU核心供电**：作为高侧开关使用，能够满足笔记本电脑等便携式设备对于高效、紧凑电源管理的需求。 2. **同步整流**：适用于各种同步整流场合，如DC-DC转换器中的高侧或低侧开关。 3. **通用电源管理**：适合于各种电源管理应用场景，如适配器、电池充电器等。 ### 技术参数 - **静态参数**： - VDS（漏极-源极击穿电压）：最小5V，最大30V。 - ΔVDS/T（VDS温度系数）：在ID=250μA时测量，单位为V/℃。 - **动态参数**： - RDS(ON)（导通电阻）：最小值未给出，典型值为8mΩ（VGS=10V时）、11mΩ（VGS=4.5V时）。 - Qg（栅极电荷）：典型值为6.1nC（VGS=10V时）、11nC（VGS=4.5V时）。 - **绝对最大额定值**： - VD（漏极-源极电压）：±30V。 - VG（栅极-源极电压）：±20V。 - ID（连续漏极电流）：在环境温度25℃时最大为13A，在70℃时最大为9A。 - IP（脉冲漏极电流）：最大为45A。 - IS（连续源极-漏极二极管电流）：最大为3A。 - AS（单脉冲雪崩电流）：最大为2.0A。 - EA（雪崩能量）：最大为1mJ。 - PD（最大功耗）：最大为12W。 - TJ（工作结温范围）：-55℃至150℃。 - **热阻参数**： - RthJA（结-环境热阻）：最大为55℃/W。 - RthJF（结-脚热阻）：最大为91℃/W。 ### 封装形式 采用SOP8封装，具有8个引脚，封装形式紧凑，适合于高密度电路板布局。顶部视图中，各引脚标号如下： 1. G（栅极） 2. S（源极） 3. S（源极） 4. D（漏极） ### 总结 130N03MS-VB是一款性能优异的N-Channel MOSFET，特别适合用于需要高效、紧凑电源管理解决方案的应用场景，如笔记本电脑CPU核心供电等。其采用的先进沟槽技术不仅降低了导通电阻，还提高了整体的能效比。此外，该器件通过了全面的质量控制测试，确保了其在实际应用中的可靠性和稳定性。