088N03L-VB；Package：DFN8(3X3)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=19mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V；ID：30A；Technology：Trench；
### 088N03L-VB N-Channel Trench MOSFET 参数与应用详细介绍
#### 一、产品概述
088N03L-VB是一款采用N-Channel沟道技术的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，封装形式为DFN8(3x3)。该器件的主要特性包括低导通电阻(RDS(ON))、高工作温度范围以及符合无卤素标准。其设计用于高效DC/DC转换器中的低侧开关等应用。
#### 二、关键参数详解
1. **最大工作电压(VDS)**: 最大漏源电压为30V，这表示当栅极电压为0V时，漏极与源极之间的最大允许电压。
2. **栅极-源极电压范围(VGS)**: ±20V，这意味着栅极相对于源极端的最大正向和反向电压范围。
3. **阈值电压(Vth)**: 1.7V，这是开启MOSFET所需的最小栅极电压。
4. **导通电阻(RDS(ON))**:
- 在VGS=4.5V时，RDS(ON)为19mΩ；
- 在VGS=10V时，RDS(ON)降低至13mΩ。
这表明随着栅极驱动电压的增加，导通电阻减小，从而降低了导通状态下的损耗。
5. **连续漏极电流(ID)**: 最大连续漏极电流为30A，适用于在特定条件下的持续电流传输。
6. **技术**: 使用了Trench技术，这是一种先进的制造工艺，旨在减少芯片尺寸的同时提高性能。
7. **温度范围**: 工作温度范围为-55°C到+150°C，这表明该MOSFET能够承受较宽的工作环境温度变化。
#### 三、绝对最大额定值
- **漏源电压(VDSS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **连续漏极电流(ID)**: 17.1A @ TJ = 150°C, 3.1A @ TJ = 25°C, 13A @ TJ = 70°C
- **脉冲漏极电流(IDM)**: 100A (单脉冲)
- **连续源-漏极二极管电流(IS)**: 3.1A @ TJ = 25°C
- **单脉冲雪崩电流(IL)**: 0.1mA
- **雪崩能量(AS)**: 5mJ
- **最大功率耗散(CPD)**: 60W @ TJ = 25°C, 30W @ TJ = 70°C
- **工作结温(TJ)**: -55°C ~ +150°C
- **存储温度范围(Tstg)**: -55°C ~ +150°C
#### 四、热阻参数
- **结到壳热阻(RthJF)**: 67.5°C/W
- **结到环境热阻(RthJA)**: 27°C/W 至 34°C/W
#### 五、典型应用
- **DC/DC转换器**:
- 作为低侧开关使用，特别是在笔记本电脑和游戏设备中的电源管理模块。
- **笔记本电脑**:
- 提供稳定的电流控制，以支持高性能处理器和其他高功耗组件的需求。
- **游戏设备**:
- 支持快速响应时间和平稳的电流调节，确保高性能和稳定性。
#### 六、特点
- **无卤素**: 符合环保要求，减少对环境的影响。
- **TrenchFET® Power MOSFET**: 采用先进的沟槽技术，提高了效率并减少了导通电阻。
- **100% Rg和UIS测试**: 表明所有器件都经过严格的测试，以确保可靠性和一致性。
#### 七、总结
088N03L-VB是一款高性能的N-Channel沟道DFN8(3x3) MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的工作温度范围。它适用于各种DC/DC转换器、笔记本电脑和游戏设备中的电源管理应用。通过采用Trench技术，该MOSFET能够在紧凑的封装中提供出色的电气性能。此外，无卤素的特点使其成为符合现代环保标准的理想选择。
