07N60C3-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V；ID：9A；Technology：SJ_Multi-EPI；
### 07N60C3-VB TO220 N-Channel MOSFET 参数介绍与应用说明
#### 概述
07N60C3-VB是一款高性能的N-Channel沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)，采用TO220封装形式。该器件具有卓越的电气性能，适用于各种电源转换应用。本文将详细介绍其主要参数、特点及应用场景。
#### 主要参数
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N-Channel
- **最大漏源电压** (VDS): 650V
- **最大栅源电压** (VGS): ±30V
- **阈值电压** (Vth): 3.5V
- **导通电阻** (RDS(ON)): 500mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流** (ID): 9A
- **技术**: SJ_Multi-EPI (超级结多晶硅技术)
#### 特点
1. **低功耗特性**:
- **Ron x Qg** (导通电阻与栅极电荷的乘积): 低值表示在开关过程中损耗较小。
- **输入电容(Ciss)**: 低值有助于减少开关过程中的损耗。
- **超低栅极电荷(Qg)**: 进一步降低开关损耗。
- **Avalanche能量** (UIS): 能够承受一定的雪崩能量，提高可靠性。
2. **高效能设计**:
- **减少开关和导通损耗**: 通过优化结构设计实现。
3. **高可靠性**:
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C，确保在恶劣环境中稳定运行。
#### 应用场景
1. **服务器和电信电源供应器**: 高效率、低损耗的特点适合用于此类应用。
2. **开关模式电源(SMPS)**: 在这类高频开关电源中，低功耗和快速开关特性非常关键。
3. **功率因数校正(PFC)电源**: 适用于需要改善电网效率的应用场合。
4. **照明设备**:
- **高强度放电(HID)灯**
- **荧光镇流器照明**: 高效且稳定的电源转换对于这些应用至关重要。
#### 绝对最大额定值 (TC = 25°C)
- **漏源电压** (VDS): 650V
- **栅源电压** (VGS): ±30V
- **连续漏极电流** (ID): 受温度限制 (TC = 150°C时为指定值)
- **脉冲漏极电流** (IDM): 限于最大结温
- **线性退化因子**: 功率随温度变化的比率
- **单脉冲雪崩能量** (EAS): 3.5mJ
- **最大功率耗散** (PD): 依具体条件而定
- **操作结温范围** (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
- **漏源电压斜率** (dV/dt): 100V/ns
- **反向二极管 dV/dt**: 依具体情况而定
#### 热阻评级
- **结到环境热阻** (RthJA): 最大3°C/W
- **结到壳体热阻** (RthJC): 0.6°C/W
#### 规格 (TC = 25°C)
- **静态漏源击穿电压** (VDS): 在VGS=0V, ID=250μA条件下测试，最小值为600V。
- **漏源电压斜率** (dV/dt): 在TJ=125°C时，最大值为100V/ns。
#### 结论
07N60C3-VB TO220是一款高性能的N-Channel MOSFET，适用于多种电源转换应用场景。它具有低功耗、高可靠性和宽温度工作范围等优点，是设计高效电源转换系统时的理想选择。
