06N60-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：600V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=1070mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=780mΩ@VGS=10V；ID：8A；Technology：Plannar；
### 06N60-VB TO220 沟道MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 一、概述
本篇主要介绍了一款名为06N60-VB TO220的N-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它是一款广泛应用于开关电源等领域的高性能元件。该器件采用了标准的TO-220封装形式，具有低导通电阻、高耐压等特性，并且在设计上充分考虑了栅极驱动、雪崩能力等方面的优化。
#### 二、技术规格
##### 绝对最大额定值
- **漏源电压**：VDS = 600V
- **栅源电压**：VGS = ±30V
- **连续漏极电流（25°C时）**：ID = 8A
- **脉冲漏极电流**：IDM = 37A
- **线性降额系数**：1.3W/°C
- **单脉冲雪崩能量**：EAS = 290mJ
- **重复雪崩电流**：IAR = 8A
- **重复雪崩能量**：EAR = 17mJ
- **最大功率耗散（25°C时）**：PD = 170W
- **工作结温和存储温度范围**：TJ/Tstg = -55°C ~ +150°C
- **峰值二极管恢复dV/dt**：5V/ns
##### 电气特性（TJ = 25°C时）
- **导通电阻（RDS(on)）**：VGS = 10V时为0.780Ω，VGS = 4.5V时为1.070Ω
- **栅极电荷（Qg）**：49nC
- **栅源电容（Qgs）**：13nC
- **漏栅电容（Qgd）**：20nC
##### 特性说明
1. **低栅极电荷**：Qg较小，这使得06N60-VB TO220的栅极驱动需求变得简单，易于实现快速切换。
2. **改进的栅极、雪崩和动态dV/dt韧性**：提高了器件的可靠性，特别是在高频操作下。
3. **完全表征的电容和雪崩电压及电流**：确保了器件在极端条件下的稳定性和安全性。
#### 三、应用领域
- **开关模式电源（SMPS）**：作为主开关或辅助开关使用，适用于多种拓扑结构如主动箝位前向变换器等。
- **不间断电源（UPS）**：在UPS系统中的快速开关应用。
- **高速功率开关**：由于其低导通电阻和良好的热性能，非常适合于高速开关场合。
#### 四、适用的离线SMPS拓扑结构
- **主动箝位前向**：利用其优良的雪崩能力，在主动箝位电路中表现出色。
- **主开关**：作为主开关使用时，可以承受较高的漏极电流，同时保持较低的损耗。
#### 五、其他重要信息
- **注意事项**：
- 脉冲宽度受限于最大结温（见图11）。
- 开始时TJ = 25°C，L = 6.8mH，Rg = 25Ω，IAS = 9.2A（见图12）。
- ISD ≤ 9.2A，dI/dt ≤ 50A/μs，VDD ≤ VDS，TJ ≤ 150°C。
- 1.6mm远离外壳。
- **安装指南**：
- 推荐的焊接温度为300°C（持续时间不超过10秒）。
- 安装螺栓扭矩：对于6-32或M3螺丝，推荐使用10in-lbf或1.1Nm的扭矩。
06N660-VB TO220是一款性能优异的N-Channel MOSFET，具有高耐压、低导通电阻等特点，非常适合用于开关电源以及其他需要快速开关的应用场景中。通过对其各项技术指标的理解，可以帮助工程师更好地选择和使用该器件，从而提高系统的整体性能。
