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1N60-VB TO252一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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2024-07-31
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1N60-VB TO252;Package:TO252;Configuration:Single-N-Channel;VDS:650V;VGS:30(±V);Vth:3.5V;RDS(ON)=3440mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=4300mΩ@VGS=10V;ID:2A;Technology:Plannar;
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