1N60H-VB TO251一款N-Channel沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

1N60H-VB TO251；Package：TO251;Configuration：Single-N-Channel;VDS：650V;VGS：30（±V）;Vth：3.5V;RDS(ON)=4300mΩ@VGS=10V；ID：2A;Technology：Plannar;