07N60C2-VB TO220F；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V；ID：12A；Technology：Plannar；
### 07N60C2-VB TO220F 晶体管参数与应用说明
#### 一、概述
07N60C2-VB TO220F是一款采用TO220F封装的单通道N-沟道功率MOSFET晶体管。该晶体管的主要特点是其低功耗特性以及在开关应用中的优异表现。其最大工作电压为650V，连续电流可达12A，并具有极低的导通电阻（RDS(ON)），这使得它成为多种高效率电源转换器的理想选择。
#### 二、技术特性
- **低功耗特性**：
- **低RDS(ON)**：在VGS=10V时，RDS(ON)仅为680mΩ。
- **低输入电容(Ciss)**：有助于减少开关损耗。
- **低门极电荷(Qg)**：降低了开关过程中能量损失，提高了开关速度。
- **低功耗因子(FOM)**：即Ron x Qg，这是衡量MOSFET在开关模式下性能的重要指标之一。
- **高耐压能力**：
- **VDS（漏源电压）**：最大值为650V，能够承受较高的工作电压。
- **VGS（栅源电压）**：最大值为±30V，提供了较宽的操作范围。
- **Vth（阈值电压）**：为3.5V，这意味着需要较小的栅极电压即可开启晶体管。
- **高可靠性**：
- **计划技术(Planar Technology)**：确保了良好的电气性能和耐用性。
- **UIS评级**：Ultra-low Input Capacitance，提高了抗干扰能力和可靠性。
- **Avalanche能量评级**：能够承受瞬间过载情况，增加了安全裕度。
- **其他参数**：
- **ID（连续漏极电流）**：最大值为12A，在环境温度为150°C时降额至9.4A。
- **热阻**：RthJA的最大值为6°C/W，表明了良好的散热性能。
- **脉冲电流能力**：IDM最大值为45A，适用于短时过载情况。
#### 三、应用场景
07N60C2-VB TO220F由于其出色的性能，被广泛应用于以下几个领域：
- **服务器和电信电源**：在这些需要高效率和高可靠性的系统中作为主要的功率转换组件。
- **开关电源(SMPS)**：特别适合于高频开关应用，能够提供稳定的输出电压。
- **功率因数校正(PFC)电源**：用于提高交流输入功率因数，减少能源浪费。
- **照明应用**：
- **高强度放电灯(HID)**：例如汽车前大灯等。
- **荧光镇流器照明**：用于商业和住宅照明系统。
#### 四、注意事项
- **重复评级**：脉冲宽度受最高结温限制。
- **测试条件**：VDD=50V，初始结温TJ=25°C，L=28.2mH，Rg=25Ω，IAS=4.5A。
- **安装建议**：距离壳体1.6mm。
- **电流变化率**：ISD≤ID，dI/dt=100A/μs，初始TJ=25°C。
#### 五、绝对最大评级
- **最大漏源电压(VDS)**：650V
- **最大栅源电压(VGS)**：±30V
- **连续漏极电流(ID)**：12A (TJ=150°C)
- **脉冲漏极电流(IDM)**：45A
- **最大功率耗散(PD)**：依据环境条件而定
- **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C 至 +150°C
#### 六、热阻特性
- **最大结到环境热阻(RthJA)**：0.6°C/W
- **最大结到壳热阻(RthJC)**：0.8°C/W
07N60C2-VB TO220F是一款性能卓越的N-沟道MOSFET，尤其适用于需要高电压、大电流和低损耗的应用场合。通过对其技术特性和应用场景的深入理解，可以更好地发挥其优势，实现高效可靠的电力电子设计。
