07N65C3-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

07N65C3-VB TO220F；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V；ID：12A；Technology：Plannar； ### 07N65C3-VB TO220F 晶体管参数与应用说明 #### 一、概述 07N65C3-VB TO220F是一款N-Channel沟道的MOSFET晶体管，封装形式为TO220F。该晶体管的主要特点是其具有较高的击穿电压(VDS)650V，较低的导通电阻(RDS(ON))680mΩ，并且在VGS=10V时能够支持最大连续电流ID为12A。此外，这款MOSFET还具有低输入电容(Ciss)、极低的栅极电荷(Qg)等特性，这使得它在开关电源(SMPS)、服务器电源供应、功率因数校正(PFC)等应用中表现出色。 #### 二、技术特点 1. **低功耗指标Ron x Qg**：该指标是衡量MOSFET综合性能的重要参数之一，Ron x Qg值越低，表明在开关过程中损耗越小，效率越高。 2. **低输入电容(Ciss)**：Ciss值的降低可以减少开关过程中的能量损耗，有助于提高整体系统的能效比。 3. **极低的栅极电荷(Qg)**：Qg越小，意味着驱动该MOSFET所需的功率越少，有利于提高电路的整体效率。 4. **具有雪崩能量能力( UIS )**：对于某些应用而言，MOSFET可能需要承受瞬态过压的情况，具有雪崩能量能力可以保护MOSFET免受损坏。 5. **平面技术(Plannar)**：采用平面制造工艺，有助于提升器件的可靠性和稳定性。 #### 三、绝对最大额定值 - **漏源电压VDS**：650V，这是晶体管能够承受的最大漏源电压。 - **栅源电压VGS**：±30V，晶体管的栅源电压范围。 - **连续漏极电流ID**：12A，在最高结温(TJ)为150°C时的连续电流值。 - **脉冲漏极电流IDM**：45A，在短时间脉冲下晶体管可承受的最大电流。 - **最大功率耗散PD**：取决于散热条件，最高可达一定数值。 - **工作温度范围TJ, Tstg**：-55°C至+150°C，这是晶体管正常工作的温度范围。 #### 四、应用领域 1. **服务器和电信电源**：在这些应用中，高可靠性、高效能的电源供应是至关重要的。 2. **开关模式电源(SMPS)**：广泛应用于各种电子设备，包括计算机电源、消费电子产品等。 3. **功率因数校正电源(PFC)**：通过改善电源的功率因数，提高电源效率，减少电网的负担。 4. **照明系统**： - 高强度放电灯(HID) - 荧光灯镇流器 在这些照明应用中，MOSFET的高效能特性可以显著提高灯具的使用寿命和能效。 #### 五、产品总结 07N65C3-VB TO220F是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET，具有以下特点： - 最大漏源电压VDS：650V - 导通电阻RDS(ON)：680mΩ @VGS=10V - 栅极电荷Qg：最大43nC - 输入电容Ciss：较低 - 结构配置：单个N-Channel MOSFET 该MOSFET非常适合于需要高电压、大电流的应用场景，同时其优秀的能效特性使其成为众多电源转换解决方案的理想选择。无论是工业应用还是消费电子产品，07N65C3-VB TO220F都能提供稳定可靠的性能表现。