07N65C3-VB TO220；Package：TO220；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V；ID：9A；Technology：SJ_Multi-EPI；
### 07N65C3-VB TO220 N-Channel MOSFET 参数介绍与应用说明
#### 概述
本篇文章将详细介绍07N65C3-VB TO220这款N-Channel沟道MOSFET晶体管的主要特性、参数及其在不同领域的应用案例。此款晶体管采用TO220封装形式，具有较低的导通电阻(RDS(ON))、较低的输入电容(Ciss)以及超低的栅极电荷(Qg)，适用于多种电力电子设备中。
#### 特性与参数
- **封装形式**：TO220
- **配置**：单个N-Channel
- **最大漏源电压(VDS)**：650V
- **最大栅源电压(VGS)**：±30V
- **阈值电压(Vth)**：3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**：500mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流(ID)**：9A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
此外，07N665C3-VB TO220还具备以下特点：
- 低功耗系数（Ron x Qg）
- 低输入电容(Ciss)
- 减少开关和传导损耗
- 极低的栅极电荷(Qg)
- 具有雪崩能量等级(UIS)
这些特性使得该MOSFET不仅能够有效地降低系统功耗，还能在高速开关应用中展现出优秀的性能。
#### 应用领域
- **服务器和电信电源供应器**：利用其高效率和低功耗特性，提高整体系统的能效。
- **开关模式电源(SMPS)**：适用于各种功率转换场合，包括笔记本适配器、LED驱动器等。
- **功率因数校正电源(PFC)**：帮助实现高效、稳定的功率转换，特别适合于工业级应用。
- **照明**：如高强度放电(HID)照明和荧光灯镇流器，能够提供稳定可靠的电流控制。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压(VDS)**：650V
- **栅源电压(VGS)**：±30V
- **连续漏极电流(ID)**：在最高结温为150°C时，可达到9A。
- **脉冲漏极电流(IDM)**：具体数值未给出。
- **线性退化因子**：单位为W/°C。
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**：最大值未给出。
- **最大功率耗散(PD)**：单位为W。
- **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55至+150°C。
- **漏源电压斜率(dV/dt)**：当结温为125°C时的单位为V/ns。
- **反向二极管dV/dt**：未给出具体数值。
#### 热阻特性
- **最大结到环境热阻(RthJA)**：典型值为3°C/W，最大值为3°C/W。
- **最大结到外壳热阻(RthJC)**：未给出具体数值。
#### 规格参数
- **静态漏源击穿电压(VDS)**：在VGS=0V、ID=250μA条件下测量，最小值为600V，无典型值和最大值给出。
- **ΔVDS/TVD**：该参数未给出具体数值。
#### 总结
07N65C3-VB TO220作为一款高性能N-Channel沟道MOSFET，通过优化设计实现了低功耗、高可靠性和良好的散热性能。无论是对于服务器电源、通信设备还是消费电子产品的电源管理模块来说，它都能够提供稳定高效的解决方案。此外，其广泛的温度适用范围也使得该MOSFET能够在恶劣环境下保持正常工作状态，满足不同应用场景的需求。总体而言，07N65C3-VB TO220是高性能电力电子设备的理想选择之一。
