04N80C3-VB TO220F；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：850V；VGS：30（±V）；Vth：3.3V；RDS(ON)=1150mΩ@VGS=10V；ID：10A；Technology：Plannar；
### 04N80C3-VB TO220F 晶体管参数与应用说明
#### 一、概述
04N80C3-VB TO220F是一款N-Channel沟道的MOSFET晶体管，封装形式为TO220F。该晶体管的主要特点是其具有较高的击穿电压(VDS)达到850V，并且在VGS=10V时，其导通电阻(RDS(ON))仅为1150mΩ，最大连续工作电流(ID)可达10A。此外，它还具备较低的输入电容(Ciss)，从而有助于减少开关损耗和导通损耗。这些特性使得04N80C3-VB TO220F成为各种电源转换应用中的理想选择。
#### 二、关键参数详解
- **VDS（击穿电压）**: 850V。这意味着当栅极与源极之间的电压为零时，该晶体管能够在漏极与源极之间承受的最大电压为850V。
- **VGS（栅源电压范围）**: ±30V。表示该晶体管能够承受的最大栅源电压为±30V。
- **Vth（阈值电压）**: 3.3V。这是使晶体管从截止状态转变为导通状态所需的最小栅极电压。
- **RDS(ON)**: 1150mΩ @ VGS=10V。这是晶体管在导通状态下的漏源电阻，表明当栅极电压为10V时，晶体管在导通状态下的电阻为1150毫欧姆。
- **ID（最大连续工作电流）**: 10A。表示晶体管能够持续通过的最大电流为10A。
- **技术**: Planar。这表明该晶体管采用平面技术制造。
#### 三、性能特点
- **低Ron x Qg**（低导通电阻与门极电荷乘积）: 这个乘积值越小，代表晶体管在开关过程中产生的热量越少。
- **低输入电容（Ciss）**: 有助于降低开关损耗。
- **超低的门极电荷（Qg）**: 减少了开关过程中的能量损耗。
- **Avalanche能量评级（UIS）**: 表明该晶体管具有良好的雪崩耐受能力，在过载情况下可以保护电路免受损害。
#### 四、绝对最大额定值
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 850V。
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V。
- **Continuous Drain Current (ID)**: 在TJ=150°C时为10A。
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 脉冲电流最大值。
- **Linear Derating Factor**: 3.2W/°C。
- **Single Pulse Avalanche Energy (EAS)**: 单次脉冲雪崩能量最大值。
- **Maximum Power Dissipation (PD)**: 最大功率耗散。
- **Operating Junction and Storage Temperature Range (TJ, Tstg)**: -55到+150°C。
#### 五、应用领域
04N80C3-VB TO220F晶体管广泛应用于以下领域：
- **服务器和电信电源供应器**: 提供稳定高效的电力转换。
- **开关模式电源(SMPS)**: 适用于需要高效率和紧凑设计的应用场合。
- **功率因数校正(PFC)电源**: 改善电力品质，减少能耗。
- **照明**:
- 高强度放电(HID)灯具。
- 荧光灯镇流器。
- **工业应用**: 包括电机控制、驱动系统等。
#### 六、热阻及包装信息
- **Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RthJA)**: 0°C/W。
- **Junction-to-Case Thermal Resistance (RthJC)**: 0.8°C/W。
- **封装形式**: TO-220F。
04N80C3-VB TO220F是一款高性能的N-Channel MOSFET晶体管，适用于多种电源转换场景。其优良的电气性能和可靠性使其成为设计工程师的理想选择。
