LDMOS

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LDMOS

: 分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计摘要：为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容，提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件，给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明!所设计的...
评级：0 浏览量：349 收藏量：1 资源大小：65KB 上传时间：2021-01-19

: 论文研究-LDMOS射频功率放大管的栅极温度特性研究 .pdf LDMOS射频功率放大管的栅极温度特性研究，王胜军，鲍景富，本文介绍了射频功率放大器的电-热记忆效应和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS FET）；通过MET LDMOS模型，对晶体管的静��
评级：0 浏览量：229 收藏量：3 资源大小：460KB 上传时间：2019-08-18

: 用于高低压电路的LDMOS解决方案-综合文档 **LDMOS（Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管是功率放大器领域中的关键组件，尤其在高低压电路应用中扮演着重要角色。本文将深入探讨LDMOS技术的基本原理、特点、优势以及在高低压电路中的应用...
评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：666KB 上传时间：2021-05-22

: 600V+LDMOS器件设计 ### 600V+LDMOS器件设计 #### LDMOS简介 LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor），即横向扩散金属氧化物半导体，是一种在高压功率集成电路中广泛应用的器件类型。与传统的垂直结构功率MOSFET相比，...
评级：0 浏览量：249 收藏量：1 资源大小：18.39MB 上传时间：2015-06-13

: LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计摘要：针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计，提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后，利用ADS软件对匹配网络的S参数进行优化。仿真结果为：在频率范围为1. 3 GH z~ 2....
评级：0 浏览量：403 收藏量：6 资源大小：721KB 上传时间：2021-01-20

: 基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器为了实现有效且符合标准的功率放大，设计者需要考虑多个方面，其中LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管因其在功率放大领域的优异性能而被广泛应用于射频功率放大器中。LDMOS具有良好的功率容量、高效率和宽带宽...
评级：0 浏览量：131 收藏量：0 资源大小：157KB 上传时间：2020-10-19

: AB类LDMOS基站大功率放大器设计 LDMOS晶体管因其优异的工作性能，是目前多种射频功率应用中主流的技术之一。采用LDMOS晶体管设计了一款工作频段在2.11~2.17 GHz的AB类功率放大器，完成了匹配电路的设计，在工作频段内S11<-10 dB，S21>18.7 dB...
评级：0 浏览量：242 收藏量：0 资源大小：1.12MB 上传时间：2021-01-27

: 具有平面和沟槽栅极集成的低导通电阻三重RESURF SOI LDMOS 提出了一种低导通电阻（Ron，sp）的可积硅绝缘体（SOI）n沟道横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），并通过仿真研究了其机理。 LDMOS具有两个功能：平面栅极和扩展沟槽栅极（双栅极（DGs））的集成； N漂移区中的...
评级：0 浏览量：264 收藏量：0 资源大小：299KB 上传时间：2021-03-17

: 功率半导体器件(LDMOS_VDMOS)的技术资料-综合文档功率半导体器件(LDMOS_VDMOS)的技术资料
评级：0 浏览量：989 收藏量：6 资源大小：3MB 上传时间：2021-05-21

: 与n沟道LDMOS兼容的低导通电阻掩埋电流路径SOI p沟道LDMOS 一种与高电压（HV）n沟道LDMOS兼容的新型低比导通电阻（R-on，R-sp）绝缘体上硅（SOI）p沟道横向双扩散金属氧化物半导体（pLDMOS）（ nLDMOS）。 pLDMOS内置在N型SOI层中，而埋入的P型层在导通状态下用作电流传导...
评级：0 浏览量：327 收藏量：0 资源大小：1.01MB 上传时间：2021-03-17

: 具有三重RESURF结构的新型高压SOI LDMOS 提出了一种新颖的三重RESURF（T-surf）SOI LDMOS结构。该结构具有P型掩埋层。首先，耗尽层可以在P埋层的两侧延伸，用作三重RESURF，并导致高漂移掺杂和低导通电阻。其次，在漂移区的高掺杂浓度下，P层可以减小...
评级：0 浏览量：197 收藏量：0 资源大小：405KB 上传时间：2021-02-23

: Freescale Semiconductor's MET LDMOS Model MET LDMOS模型是Freescale Semiconductor公司开发的一种电热模型，专门用于模拟射频(RF)高功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管和射频集成电路(RFICs)的行为。这种模型被设计用于基站、数字广播、陆地移动和...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：330KB 上传时间：2016-02-16

: TRIPLE RESURF LDMOS器件的优化设计提出了一种新型TRIPLE RESURF 结构的LDMOS器件，与普通的TRIPLE RESURF结构不同的是埋层采用了分区注入，即在靠近源端一侧采用较高注入剂量，在靠近漏端一侧则采用较低的注入剂量。因而会降低漏端表面电场峰值，提高...
评级：0 浏览量：211 收藏量：0 资源大小：716KB 上传时间：2021-01-27

: A novel SOI trench LDMOS with vertical double-RESRUF layer ### 关于新型SOI沟槽LDMOS与垂直双RESRUF层的研究 #### 概述本研究提出了一种新型的SOI（硅绝缘体上）沟槽LDMOS结构，该结构采用垂直双RESRUF（Reduced Surface Field，减小表面电场）层设计，旨在改善器件的击穿...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：370KB 上传时间：2021-02-07

: Dimension Effect on Breakdown Voltage of Partial SOI LDMOS ### 尺寸效应对部分SOI LDMOS击穿电压的影响 #### 摘要与研究背景本文探讨了尺寸效应对部分硅绝缘体（Partial Silicon-On-Insulator, PSOI）技术中横向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Lateral Double-...
评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：1.79MB 上传时间：2021-02-08

: 模拟技术中的LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计在模拟技术中，LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计是一项关键任务，它涉及到高效功率传输、信号质量和系统性能。本文提出了一种快速且有效的方法，特别适合于LDMOS功率晶体管的宽带匹配需求。LDMOS功率晶体管因其优秀...
评级：0 浏览量：306 收藏量：0 资源大小：562KB 上传时间：2020-10-21

: SOI沟槽LDMOS表面电场分布和击穿电压的新分析模型针对绝缘体上硅（SOI）沟槽横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）的表面电场分布和击穿电压，建立了一个新的分析模型。该模型基于二维Laplace解和Poisson解，考虑了结构参数（例如漂移区的掺杂浓度，沟槽的深度和...
评级：0 浏览量：263 收藏量：0 资源大小：310KB 上传时间：2021-02-24

: 具有降低的击穿电压的新型降低导通电阻的LDMOS 本研究介绍了新型横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）的设计，旨在提高其击穿电压（Breakdown Voltage, BV）并降低特定的导通电阻（specific ON-resistance, RON,sp）。这种LDMOS通过表面的结型场板（Junction Field ...
评级：0 浏览量：146 收藏量：0 资源大小：1.87MB 上传时间：2021-03-11

: RESURF技术中LDMOS外延层单位面积杂质密度研究 LDMOS器件设计中，常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件，围绕当获得最优的器件结构时，其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究，给出了一种关于外延层...
评级：0 浏览量：227 收藏量：1 资源大小：1.11MB 上传时间：2021-01-28

: 基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计本文探讨的是一种基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计，主要用于高压节能应用。在这一设计中，采用了一种BCD兼容工艺，以4.5μm的N型外延层和70μm的漂移区长度，实现了700V的反向击穿电压，同时将导通...
评级：0 浏览量：130 收藏量：1 资源大小：233KB 上传时间：2020-10-21

: 具有结场板和部分N埋层的新型LDMOS 在本文中，作者们提出并研究了一种新型的横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，该器件具有高击穿电压（Breakdown Voltage，BV）和低比导通电阻（Ron.sp）。这种新型LDMOS的特点是在漂移区上方使用了结场板...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：620KB 上传时间：2021-04-04

: 用于高低压电路的LDMOS解决方案.pdf 在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。与晶体管相比，在关键的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显...
评级：0 浏览量：175 收藏量：0 资源大小：709KB 上传时间：2019-07-23

: LDMOS功率放大器的温度特性及温补电路设计 ### LDMOS功率放大器的温度特性及温补电路设计 #### 一、引言 LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）功率放大器作为一种专为射频功率放大器设计的改进型N沟道MOSFET，常工作在AB类模式下。在工作...
评级：0 浏览量：35 收藏量：0 资源大小：1.96MB 上传时间：2024-05-06

: 用于高压ESD保护应用的新型衬底触发SCR-LDMOS堆叠结构在介绍新型衬底触发SCR-LDMOS堆叠结构之前，首先要了解几个基本概念，包括静电放电（ESD）、保持电压、寄生导通（latch-up）、半导体控制整流器（SCR）以及横向扩散金属-氧化物半导体（LDMOS）。静电放电（ESD）是...
评级：0 浏览量：110 收藏量：0 资源大小：308KB 上传时间：2021-03-05

: 高压功率集成电路中LDMOS的设计研究 (2004年) 本文以器件模拟软件MEDICI为工具，用计算机仿真的方法，研究了一种适用于高压功率集成电路的单晶结构的LDMOS的设计问题，其中包括器件的N阱掺杂浓度、衬底浓度、P反型层浓度和结深等主要参数对击穿电压的影响，重点...
评级：0 浏览量：242 收藏量：1 资源大小：262KB 上传时间：2021-05-09

: 薄层SOI场p沟道LDMOS对RON，sp和BV的后栅极效应在半导体领域，薄层硅绝缘体(SOI)场p沟道横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术一直是研究的热点，尤其是在电源管理、汽车电子和集成电路设计方面。这种技术的优势在于它能够提供快速的开关时间和易于与CMOS技术集成...
评级：0 浏览量：291 收藏量：0 资源大小：2.09MB 上传时间：2021-02-24

: RFID技术中的分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计摘要：为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容，提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件，给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明!所设计的...
评级：0 浏览量：111 收藏量：0 资源大小：58KB 上传时间：2020-11-03

: 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件...
评级：0 浏览量：162 收藏量：1 资源大小：1.34MB 上传时间：2021-01-30

: 具有可变K介电沟槽的超低比导通电阻高压LDMOS 在探讨超低比导通电阻高压LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）器件的研究中，特别关注了器件结构的创新，以期达到在维持高击穿电压（Breakdown Voltage，BV）的同时，显著降低器件的比导通电阻（specific on-...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：1.08MB 上传时间：2021-02-26

: 场板SOI RESURF LDMOS表面势场分布解析模型通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件...
评级：0 浏览量：362 收藏量：0 资源大小：745KB 上传时间：2021-02-20

: 电源技术中的飞思卡尔三款射频LDMOS产品符合WiMAX基站所需性能飞思卡尔半导体日前凭借第七代高压(HV7)射频LDMOS技术，成功地取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。通过提供采用射频LDMOS和GaAs PHEMT技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：41KB 上传时间：2020-11-27

: 具有超低比导通电阻的累积模式高压SOI LDMOS 本文讨论了高压半导体器件领域的一种创新技术，即累积模式（accumulation-mode）高压SOI（Silicon On Insulator）LDMOS（Lateral Double-Diffused MOSFET）晶体管。这种晶体管具有超低的比导通电阻（specific on-...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：826KB 上传时间：2021-04-03

: 元器件应用中的飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11K... 飞思卡尔(Freescale)半导体在全球微波技术领域树立了一个新的里程碑，推出了MRF6VP11KH，这款高功率LDMOS射频功率晶体管是迄今为止同类产品中功率最高的，专为各种高功率应用而设计。在2006年的IEEE MTT-S国际微波...
评级：0 浏览量：145 收藏量：0 资源大小：60KB 上传时间：2020-12-03

: 具有增强的RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS 超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS技术是高压功率器件领域中的一个重要研究方向，本文主要介绍了一种具有增强RESURF效果的超低比导通电阻高压沟槽SOI LDMOS（ER-LDMOS）的研究成果。该器件具有超低的比导通电阻（Ron,...
评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：275KB 上传时间：2021-03-17

: 通信与网络中的飞思卡尔LDMOS射频功率晶体管采用Doherty放大器优化无线基站性能飞思卡尔半导体，作为一家领先的半导体解决方案供应商，推出了7款高性能的LDMOS（Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）射频功率晶体管，专为提升WCDMA（Wideband Code Division Multiple Access）和...
评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：50KB 上传时间：2020-11-29

: 一种RF-LDMOS内匹配电路设计方法 (2014年) 介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法,并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点,并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm 栅宽RF-LDMOS内...
评级：0 浏览量：121 收藏量：0 资源大小：1.22MB 上传时间：2021-06-01

: n阱LDMOS伏安特性线性区的分析 (2005年) 对小电压下的LDMOS伏安特性线性区进行了分析。为了避免求解复杂的偏微分方程并且得到解析的结果，这里采用了将场区等效为积累层电阻、扩展电阻、体电阻和漏极分布电阻的串联等效电路。根据LDMOS的结构特点分别给出了...
评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：247KB 上传时间：2021-06-14

: 具有U形栅极和累积层的超低比导通电阻沟槽LDMOS 在讨论具有U形栅极和累积层的超低比导通电阻沟槽LDMOS前，我们首先要了解LDMOS（Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。LDMOS是一种在...
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：1.14MB 上传时间：2021-02-26

: 具有减小的单元间距的改进的击穿电压SOI LDMOS的实验和理论研究提出并制造了一种具有降低的单元间距的改进的击穿电压（BV）SOI功率MOSFET。对其击穿特性进行了数值和实验研究。 MOSFET具有双沟槽（DTMOS），源区和漏区之间的氧化物沟槽以及延伸至掩埋氧化物（BOX）的沟槽栅。...
评级：0 浏览量：154 收藏量：0 资源大小：3.1MB 上传时间：2021-03-17

: 检测LDMOS漏端电压判断是否过流方案本文介绍采用直接检测LDMOS 漏端电压来判断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD 高压工艺，在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功能，相比...
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：479KB 上传时间：2020-10-21

: 论文研究-基于LDMOS器件的F类功率放大器设计 .pdf LDMOS晶体管，即横向扩散金属氧化物半导体晶体管(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)，是一种具有高功率、高效率特性的半导体器件，通常用于射频功率放大器。由于其耐压性能好、耐电流能力强、热导率高...
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: 论文研究-SOI线性掺杂LDMOS的设计与实验 .pdf SOI线性掺杂LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）的设计与实验研究主要关注在绝缘体上硅（SOI）技术中如何设计和制造具有高耐压能力的线性掺杂LDMOS器件。SOI技术因其优越的电气隔离性能被广泛应用于高性能功率集成...
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: 功率LDMOS阈值电压温度系数的优化分析 (2006年) 讨论高压LDMOS阈值电压的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式.根据计算结果，可以得到以下结论：通过提高沟道掺杂浓度或减少栅氧化层能够降低阈值电压随温度的变化.阈值电压的温度系数可以用温度的线性表达式来...
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: RF+LDMOS中改善漏电的方法.zip 在电子技术领域，射频（RF）功率放大器是通信系统中的关键组件，而LDMOS（Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管因其高效率、高功率容量和良好的线性特性，被广泛应用于RF功率放大器的设计中。...
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: Sekorm 宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放随着人们对数据速率要求越来越高，直接导致无线通信系统带宽的需求也在逐步增加，也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。2G、3G、4G技术的相继推出，使移动业务由单一形态逐渐过渡到可同时支持语音、数据和...
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: 飞思卡尔推出高功率多级射频功率LDMOS FET 飞思卡尔半导体公司为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOS FET。 TD-SCDMA标准是第三代无线接入方法，这种标准有望在中国广泛采用。飞思卡尔是家专门针对新兴的标准提供商用射频...
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