没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
RESURF技术中LDMOS外延层单位面积杂质密度研究
2 下载量 81 浏览量
2021-01-28
22:15:49
上传
评论 1
收藏 1.11MB PDF 举报
温馨提示
试读
4页
LDMOS器件设计中, 常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件, 围绕当获得最优的器件结构时, 其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究, 给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析, 发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终, 通过综合分析影响器件的关键因素, 得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。
资源推荐
资源评论
资源评论
weixin_38528180
- 粉丝: 4
- 资源: 942
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功