摘要：为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容，提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件，给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明!所设计的分布式源场极板结构在不影响器件击穿电压的条件下，能有效减小LDMOS器件寄生电容!提升器件增益#效率及线性度等射频性能。
0.引言
由于具有高功率增益#高效率及低成本等优点，射频LDMOS（lateral diffused metal oxide semiconductor transistor）器件被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。为了提高LDMOS击穿电压
