tsmc0.35

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tsmc0.35

: TSMC0.35um工艺库说明文件该文档对TSMC0.35um工艺库进行了详细的说明
评级：4 浏览量：3338 收藏量：7 资源大小：686KB 上传时间：2015-06-04

: 基于TSMC 0.35μm锗硅射频工艺模型的低噪音放大器的设计.docx 基于TSMC 0.35μm锗硅射频工艺模型的低噪音放大器的设计.docx
评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：84KB 上传时间：2021-11-09

: 0.35um台积电工艺库 mm0355v.l 该资源包含0.35um的MOS管在内的全部0.35um台积电工艺库。可以在HSPICE，candance等软件中调用。mm0355v.l，全面，实用
评级：0 浏览量：739 收藏量：2 资源大小：289KB 上传时间：2020-12-07

: TSMC[1].16_DESIGN_RULES.rar 不错的资料design设计资料是.18um，大家有兴趣的可以下载看看
评级：4 浏览量：1353 收藏量：7 资源大小：2.3MB 上传时间：2010-08-07

: TSMC0.25和0.35um设计规则.docx TSMC0.25和0.35um设计规则.docx
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：418KB 上传时间：2022-01-24

: tsmc035 工艺下反相器的仿真 tsmc035工艺的反相器仿真，包括创建原理图和Hspice的仿真
评级：3 浏览量：423 收藏量：1 资源大小：4.12MB 上传时间：2011-05-30

: tsmc035.zip 此工艺库是tsmc035hv12工艺,请优先使用617打开此工艺库，旧版本51请用tsmc035hv12cdb工艺库。
评级：4 浏览量：653 收藏量：4 资源大小：5.79MB 上传时间：2020-09-17

: hspice仿真用的tsmc0.18um和0.35um的lib 找了很久，很好用的hspice仿真用的tsmc0.18um和0.35um的lib
评级：3 浏览量：702 收藏量：4 资源大小：92KB 上传时间：2014-04-17

: 模拟技术中的0.35μmCMOS光接收机前置放大器设计近年来，随着社会信息化程度不断提高，信息交换量呈爆炸性增长，光纤通信干线系统以其高速、大容量的优点被广泛...本文采用台湾TSMC0．35μmCMOS工艺实现了用于光纤传输系统STM- 16 (2.5Gb/s)速率级的前置放大器。　
评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：197KB 上传时间：2020-11-30

: MEMS器件工艺设计该资料为MEMS器件设计工艺的基础,详细介绍了常见MEMS器件工艺流程,具有代表性
评级：0 浏览量：270 收藏量：1 资源大小：1.7MB 上传时间：2011-04-13

: 工艺参数下光电探测器的器件模拟图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟　图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流，...
评级：0 浏览量：530 收藏量：4 资源大小：107KB 上传时间：2021-01-19

: 低压低功耗混频器的设计采用1.5V TSMC 0.35 μm CMOS工艺进行仿真,该混频器仿真结果表明,电路转换增益为-10.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764dBm,三阶输入交调点为4.807 dBm。　自20世纪60年代以来，集成电路的发展一直遵循...
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：343KB 上传时间：2021-01-20

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评级：0 浏览量：484 收藏量：1 资源大小：98KB 上传时间：2020-11-14

: 电子测量中的低压低功耗混频器的设计采用1.5V TSMC 0.35 μm CMOS工艺进行仿真,该混频器仿真结果表明,电路转换增益为-10.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764dBm,三阶输入交调点为4.807 dBm。　自20世纪60年代以来，集成电路的发展一直遵循...
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：248KB 上传时间：2020-11-09

: 一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路基于TSMC 0.35 μｍ CMOS工艺运用HSPICE软件进行了仿真验证。仿真结果表明，在3.3 V供电电压下，输出基准电压为1.225 4 V，温度系数为2.91×10-6V/℃，低频的电源抑制比高达96 dB，启动时间为7 μs。
评级：0 浏览量：591 收藏量：1 资源大小：360KB 上传时间：2020-10-17

: 低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz压控振荡器设计摘要：本文采用TSMC 0.35μm BiCMOS工艺,设计了一个应用于无线收发机系统中频率综合器的低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz VCO。采用HBT-PMOS交叉耦合互补结构,实现了中心频率为5GHz,调谐范围为460MHz,在5GHz频偏100KHz...
评级：0 浏览量：183 收藏量：0 资源大小：358KB 上传时间：2021-01-20

: 一种16位1-kHz 88-μW △-∑模数调制器 (2008年) 整体电路使用TSMC 0.35μm混合信号CMOS工艺，采用Spectre进行仿真。结果表明，在信号输入带宽为1kHz、超采样率128条件下，调制器的动态输入范围为102dB；在信号为-3.5dB满幅输入时，其最大信号/噪声失真比为97.84dB...
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：1.87MB 上传时间：2021-05-09

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评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：250KB 上传时间：2020-11-09

: 新型钟控神经元MOS采样/保持电路 (2012年) 为实现连续时间信号到离散时间信号的转换，提出一种采用钟控神经元MOS管设计的新型电压型采样保持电路．在设计新方案中，通过引入nMOS阈值补偿...采用TSMC 0．35μm双层多晶硅CMOS工艺参数对设计电路进行HSPICE模拟，并
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：325KB 上传时间：2021-05-23

: 新型高频高线性CMOS跨导线性电流模乘/除法器设计 (2012年) 在TSMC0.35μmCMOS集成工艺下进行HSPICE仿真测试表明:该电路在3V电源电压下,-3dB带宽可达到35.1MHz,电源静态功耗为202.68μW,输出电流为0-25.1μA,非线性误差为0.85%,总谐波失真为0.14%。本文提出的乘除法器电路与...
评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：2.92MB 上传时间：2021-05-26

: LDO低输出噪声的分析与优化设计 (2009年) 在综合考虑芯片的面积和功耗后，采用第三种方法对一款LDO芯片输出噪声进行优化，设计了一个低噪声带隙基准(Bandgap reference)，在TSMC 0.35μm工艺下仿真表明，10Hz到100 kHz之间的集成输出噪声(Integrated output ...
评级：0 浏览量：249 收藏量：0 资源大小：396KB 上传时间：2021-05-10

: 基于CMOS-MEMS技术的三轴加速度计设计.zip 采用标准TSMC 0.35Pm 2P4M CMOS工艺和内部后CMOS工艺实现器件。电容面内和面外传感间隙可以通过CMOS工艺的最小线宽和厚度来定义。结构尺寸仅为500x500Pm2。测量结果表明，X轴的灵敏度（非线性）为2.47mV / g...
评级：0 浏览量：241 收藏量：0 资源大小：5.16MB 上传时间：2019-07-23

: 一种斩波失调稳定仪表放大器的研究与设计采用斩波失调稳定技术设计了一种包括辅助运放和主...本电路采用TSMC 0.35 ?滋m 5 V混合信号工艺设计，利用Cadence公司Spectre进行仿真。结果表明，电路开环增益达87.3 dB，增益带宽积12 MHz，共模抑制比可达117 dB。
评级：0 浏览量：191 收藏量：0 资源大小：296KB 上传时间：2020-10-25

: 一种低压开关电荷泵的设计设计了一款应用于亚微米工艺的传输只读存储器的编程高压的单阈值开关电荷泵。随着亚微米和深亚微米工艺的应用，N+／PWLL结反向击穿电压和栅氧击穿电压都明显降低，用于只读...电路在TSMC 0．35μm工艺得到仿真验证。
评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：175KB 上传时间：2020-10-20

: 电容式加速度计接口电路非线性建模与仿真设计非线性是Sigma-Delta（ΣΔ）加速度计系统的关键指标之...基于TSMC 0.35 μm工艺实现了一位量化的开关电容接口电路设计和版图设计，版图的后仿真结果和模型的行为级仿真结果一致，验证了所建立模型和设计电路的准确性。
评级：0 浏览量：111 收藏量：0 资源大小：414KB 上传时间：2020-10-17

: 集成CMOS对称式收/发开关的设计采用TSMC　0.35m　CMOS工艺进行设计和实现。经过优化设计和仿真，获得了插入损耗为1.0 dB、隔离度46.3 dB和1 dB压缩点12.8 dBm的电路。该射频收/发开关可以与应用于TD-SCDMA的全集成CMOS收发器集成在一起，构成...
评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：73KB 上传时间：2020-07-30

: 开关电流电路基本单元误差分析及其改进开关电流技术(SI)是一种可取代开关电容技术的数据采样技术。首先介绍了SI技术,然后以SI电路...实验结果表明，采用TSMC 0.35 μm工艺参数和Hspice仿真电路，所设计的电路误差小，输出波形理想，从而可达到预期的目的。
评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：813KB 上传时间：2021-02-01

: 一种基于蓝牙射频电路可测性设计的8位逐次逼近型ADC 芯片采用TSMC的0.35μm标准CMOS工艺制造,面积仅为0.15mm2.测试结果显示,在3.3V工作电压下,分辨率可达7位,且在高频工作环境下表现出很好的抗干扰特性.　关键词:可测性设计;轨-对-轨;R-2R网络　随着社会的发展,无线...
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: RFID技术中的一种基于蓝牙射频电路可测性设计的8位逐次逼近型ADC 芯片采用TSMC的0.35μm标准CMOS工艺制造,面积仅为0.15mm2.测试结果显示,在3.3V工作电压下,分辨率可达7位,且在高频工作环境下表现出很好的抗干扰特性.　关键词:可测性设计;轨-对-轨;R-2R网络　随着社会的发展,无线...
评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：264KB 上传时间：2020-12-07

: 高安全性的智能卡芯片结构与设计 (2003年) 该结构采用 TSMC公司0.35μm的 CMOS工艺设计和制造,可以在 374 ms完成 1024位 RSA运算,实现数字签名和身份认证,并能有效地防止非法操作、DPA(deferential power analysis)分析等常见的攻击,适用于电子商务、社会保障...
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: A new 6-bit 250 MS/s analog-to-digital converter The ADC occupies only 0.1 mm2 with the TSMC 0.35- m single ploy quadruple metal (SPQM) CMOS technology. This design is suitable for standard CMOS technology with low-power low-cost VLSI implementation...
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: Buck型DC/DC转换器二次斜坡补偿电路设计提出了一种应用于电流型DC/DC转化器的二次斜坡补偿电路的设计，该方法使补偿的斜率随着占空比动态变化，不仅提高了芯片的带载能力以及消除了...电路基于TSMC的0.35μm BCD工艺设计，经Cadence仿真验证，达到设计目标。
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