基于CMOS-MEMS技术的三轴加速度计设计.zip

这项研究提出了一个单一的质量块CMOS-MEMS加速度计，带有集成的三轴传感电极阵列。 本研究采用平面指型和平面外板式间隙闭合传感电极。 采用标准TSMC 0.35Pm 2P4M CMOS工艺和内部后CMOS工艺实现器件。 电容面内和面外传感间隙可以通过CMOS工艺的最小线宽和厚度来定义。 结构尺寸仅为500x500Pm2。 测量结果表明，X轴的灵敏度（非线性）为2.47mV / g（1.3％），Y轴为2.87mV / g（1.4％），Z轴为3.89mV / g（3.4％）。 面内和面外传感的噪声流量分别为0.59mg / rtHz和0.8mg / rtHz。