CMOS-MEMS惯性传感器的原理和应用.pdf

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资料介绍 主要内容:MEMS和CMOS-MEMS技术、薄膜CMOS-MEMS、DRIE CMOS-MEMS、流程开发和改进、集成CMOS-MEMS惯性传感器、MEMS惯性传感器:应用。
口发森回 回说 ntroduction: MEMS Fabrication合这 MMPoly3(225μm SACOX3 (2 Am TEOS planarized) ACOX2 MMPoly2(1.5 um) (0. 5um TEOS) MMPoly1 (1.0 um) MMPoly0 (0. 3um SACOX1(2um TEOS) si3N4(0.8m) S02(063μm) Substrate 6 inch wafer, <100>, n-type SUMMiT IV technology. Source: Sandia 2 口发森回 回 ntroduction: CMOS-MEMS备烧 Stan dard c mos Electronic s Mech anical Devices sIlicon Substrate Pre-CMOS Source: Sandia 口发森回 回说 Post-CMOS MEMS: Prototyping Flow ae/ Tape-out CMOS Foundry Device Design Process Electrical Design Device Package Foundry Post-CMOS and Selection Microfabrication Characterization Structural and Process Technological Design Wafer or die level Requirements · No harm to cmos 口发森回 回 Dry post-CMOS MEMS命趣 sensing capacitors 0 10kv,1 Wu et al. IEEE Solid-state Circuits. 2004 口发森回 回说 DRIE CMOS MEMS Technology a23g Thin film Other MEMS CMOS region region structures Metal 4 is used Si DRIE undercut of isolation beams Chips from TSMC foundry. Metal 4 removal by wet etch Backside etch 2nd Si02 etch Si drle for device release 1st Si02 etch Qu et al, IEEE Sensors, 2004 口发森回 回 DRIE CMOS MEMS Technology a23g 20um a Timing controlled etch a Overheating of suspended structures a Contamination Isolation trench 口发森回 回说 DRIE CMOS MEMS Technology a23g 口 PR coating a other material 口 Footing effect Si DRIE undercut of isolation beams Chips from TSMC foundry. Metal 4 removal by wet etch Backside etch PR ashing for device release 1st Sio2 etch H Qu, et al, Solid State Sensors Workshop, Hilton Head Island, 2006 8 口发森回 回说 ransitionoeh Tr

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