BSIM

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: BSIM器件模型各年代修订说明及Manual手册，包含设计C语言代码 .rar 比较全的BSIM4模型资料，包含修订及各年代修订时的C语言代码，部分manual手册 BSIM模型及SPICE语言等原版资料 A. BSIM4.0.0 released on 03/24/2000 B. BSIM4.1.0 released on 10/11/2000 C. BSIM4.2.0 released on ...
评级：0 浏览量：1001 收藏量：4 资源大小：13.31MB 上传时间：2019-09-06

: bsim及其使用手册 bsim是获取器件参数模型，BSIM4是由美国加利福尼亚州伯克利分校开发的，用于测试电路仿真和CMOS技术发展(CMOS technology development)的一种基于物理的，具有精确性，可升级性，健壮性，语言性等特点的软件模拟系统...
评级：5 浏览量：1843 收藏量：3 资源大小：4.11MB 上传时间：2018-09-14

: bsim480 manual BSIM4, as the extension of BSIM3 model, addresses the MOSFET physical effects into sub-100nm regime. The continuous scaling of minimum feature size brought challenges to compact modeling in two ways: ...
评级：0 浏览量：94 收藏量：1 资源大小：2.17MB 上传时间：2018-11-25

: BSIM-CMG_111.0.0_09122019.tar.gz BSIM-CMG_111.0.0_09122019.tar.gz
评级：0 浏览量：305 收藏量：0 资源大小：4.3MB 上传时间：2021-04-10

: BSIM3v3.22 手册 BSIM3v3 是最新的基于物理的深亚微米 MOSFET 模型，适用于数字和模拟电路设计，由 Berkeley 加州大学的器件组开发。BSIM3v3 相比上一个版本（BSIM3v2）做了大量的修改，包括
评级：0 浏览量：420 收藏量：2 资源大小：1.77MB 上传时间：2018-05-12

: 50nm工艺 CMOS bsim4模型 BSIM4 对应HSPICE level=54；对应PSPICE level=8
评级：5 浏览量：758 收藏量：3 资源大小：11KB 上传时间：2019-04-17

: bsim330_manual.pdf BSIM3v3是加州大学伯克利分校的BSIM集团为深亚微米数字和模拟电路设计提供的最新工业标准MOSFET模型。BSIM3v3.3是在其前身BSIM3v3.2.4的基础上做了以下修改:
评级：0 浏览量：127 收藏量：0 资源大小：789KB 上传时间：2019-12-15

: 基于BSIM4模型的不对称性研究及改进 (2013年) 以BSIM4模型为基础,从沟道电荷密度、有效源漏电压、载流子速度饱和及阈值电压等几个方面出发,找出BSIM4模型中导致不对称的因素,给出了对称的沟道电荷密度公式、源漏有效电压公式和载流子速度饱和公式;同时通过在源端...
评级：0 浏览量：130 收藏量：0 资源大小：667KB 上传时间：2021-05-30

: MOSFET Modeling & BSIM3 User's Guide,英文版，程玉华，胡正明著集成电路数字和模拟设计行业采用的最精确的模型 BSIM3V3，用户指导手册，可用于HSPICE，模拟电路，的基于物理的深亚微米MOSFET 模型，适用于数字和模拟电路设计，由Berkeley 加州大学的器件组开发
评级：0 浏览量：335 收藏量：4 资源大小：5.82MB 上传时间：2018-12-19

: BSIM4 Manual BSIM manual for simulation
评级：0 浏览量：536 收藏量：1 资源大小：924KB 上传时间：2009-06-14

: BSIM3模型源代码 BSIM3模型的真实源代码，内附说明文档
评级：3 浏览量：395 收藏量：2 资源大小：111KB 上传时间：2012-10-12

: BSIM3代码原始版用于spice源码学习，内附学习手册，第一次上传资源，希望大家喜欢:)
评级：0 浏览量：182 收藏量：0 资源大小：111KB 上传时间：2012-10-12

: 用于研究SOI的最新（2017年4月）BSIM模型伯克利大学团队开发的BSIMSOI模型的最新版，其中NMOS和PMOS模型都是以VA语言编写，注意，虽然文档中没有说明使用尺寸，但是我试了一下，最小适用于0.18μm，沟长再小，短沟道效应比较严重，器件特性变化明显。
评级：5 浏览量：428 收藏量：2 资源大小：2.81MB 上传时间：2018-11-08

: BSIM480.zip_微电子 BSIM480库文件，可以用于HSPICE的仿真和各种电路仿真
评级：5 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：2.54MB 上传时间：2022-09-15

: bsim-3.rar_Y81_library files CMOS BSIM - 3 LIBRARY FILES
评级：5 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：7KB 上传时间：2022-09-23

: Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part5 第五部分 Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part5
评级：0 浏览量：192 收藏量：4 资源大小：12.68MB 上传时间：2011-04-26

: BSIM4 USER'S MANUAL BSIM4 USER'S MANUAL BY UC BERKELEY
评级：0 浏览量：232 收藏量：0 资源大小：474KB 上传时间：2010-11-21

: 1_BSIM-SOI_4.6.1_technical_manual.pdf 1_BSIM-SOI_4.6.1_technical_manual.pdf
评级：0 浏览量：138 收藏量：2 资源大小：3.09MB 上传时间：2022-06-23

: Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4 par1 pdf版用于Mosfet 建模与Spice 仿真，是学习模拟的好资料，由于受上传限制，只能分开上传！ Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4_[William L][Wiley][2001]
评级：4 浏览量：274 收藏量：1 资源大小：14.92MB 上传时间：2011-04-26

: eetop.cn_Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part2 第2部分 Mosfet Models for Spice Simulation
评级：0 浏览量：190 收藏量：1 资源大小：14.92MB 上传时间：2011-04-26

: 基于粒子群优化算法的BSIM SOI模型参数提取.pdf 基于粒子群优化算法的BSIM SOI模型参数提取.pdf
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：255KB 上传时间：2021-09-29

: 行业-电子政务-应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型.zip 行业-电子政务-应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型.zip
评级：0 浏览量：44 收藏量：0 资源大小：1.28MB 上传时间：2021-11-21

: 行业分类-电子-BSIM3V3模型中的阈值电压模型参数提取方法的说明分析.rar 行业分类-电子-BSIM3V3模型中的阈值电压模型参数提取方法的说明分析.rar
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：251KB 上传时间：2021-09-25

: 6.004_courseware:6.004 实验室中使用的课件（jsim、tmsim、bsim） 6.004_课件6.004 实验室中使用的课件（jsim、tmsim、bsim）
评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：240KB 上传时间：2021-06-17

: 论文研究-A PSO Parameter Extraction Method for SOI MOSFETs based on BSIM SOI Model.pdf 基于粒子群算法的BSIM SOI模型参数提取，郑雪，张国和，本文提出了一种提取SOI （绝缘体上硅）器件参数的新方法，该方法基于粒子群优化算法，所使用的SOI模型由加州伯克利大学的BSIM课题组�
评级：0 浏览量：98 收藏量：0 资源大小：141KB 上传时间：2019-08-15

: Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part4 第四部分 Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part4
评级：0 浏览量：135 收藏量：1 资源大小：14.92MB 上传时间：2011-04-26

: Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part3 第3部分 Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part3
评级：0 浏览量：137 收藏量：0 资源大小：14.92MB 上传时间：2011-04-26

: bsIM.war 基于pushlet WebQq bsIM.war,基于pushlet WebQq
评级：4 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：2.98MB 上传时间：2009-11-30

: SIBsim4-开源 SIBsim4：广泛重写sim4程序，以提高执行速度并提供更多信息。用C语言编写，主要针对Linux和Unix。关键词：生物信息学，基因组，转录组，EST，剪接，外显子，内含子。
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：31KB 上传时间：2021-04-28

: 论文研究-180nm CMOS工艺下温度对SET的影响 .pdf 180nm CMOS工艺下温度对SET的影响，梁斌，刘凡宇，基于3D混合模拟，研究了180nm CMOS工艺下了温度对SET脉冲的影响。研究发现，温度对数字SET有重要影响。使用60MeV?cm2/mg的LET，当温度从-55℃
评级：0 浏览量：181 收藏量：0 资源大小：409KB 上传时间：2019-08-16

: IT 核心能力和员工的工作绩效：达沃市选定组织的描述性相关研究-研究论文本研究使用 t 检验确定，当按专业分析时，IT 核心能力和员工的工作绩效存在显着差异：BSIT、BSIS、BSIM、BSCS 和计算机技术课程。本研究还确定，根据毕业学校类型分组时，IT 核心能力水平和员工的工作绩效存在显着...
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：478KB 上传时间：2021-06-10

: 安捷伦推出先进的建模解决方案　最新的软件版本具有三大先进器件建模套件，适用于安捷伦DynaFET、BSIM6和BSIM-CMG模型建模。BSIM6是行业标准的体硅MOSFET模型，相比之前的BSIM4模型，其在模拟/射频应用方面有显着改进；BSIM-CMG是针对sub 20nm...
评级：0 浏览量：96 收藏量：0 资源大小：55KB 上传时间：2020-10-20

: 西北工业大学西工大模拟集成电路设计实验五.docx 1. Bsim4 模型中的 mos 管共包含多少个参数？答：297 2. 找到栅氧化层厚度 toxref，计算单位面积的栅氧化层电容（介质为 SiO2，计算结果以 fF/μm2为单位）。答：Cox=11.5fFd/um^2 3. 低压 NMOS（cell name 为...
评级：0 浏览量：433 收藏量：0 资源大小：217KB 上传时间：2021-07-21

: 用于自调谐线性电阻器设计的宽线性高摆幅OTA-研究论文低功耗，长电池寿命和便携性是现代健康监控产品的基本要求。在亚阈值区域内运行的运算跨导放大... 该电路的实现是使用TSMC提供的标准0.18微米技术在BSIM 3v3级别53模型参数上进行的，并通过使用ELDO仿真器验证了结果。
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：185KB 上传时间：2021-05-19

: 模拟技术中的一种基于SoC应用的Rail-to-Rail运算放大器IP核基于BSIM3V3 Spice 模型,采用Hspice对整个电路进行仿真,在5V的单电源电压工作条件下,直流开环增益达到107.8dB,相位裕度为62.4°,单位增益带宽为4.3MHz ,功耗只有0.34mW. 关键词: Rail-to-Rail ;CMOS;运算放大器; IP...
评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：189KB 上传时间：2020-12-07

: 基于ECRL电路的两种改进绝热电路传统绝热电路ECRL(Efficient Charge Recovery Logic)有两个缺点，其一是电路节点能量...采用0.5 μm BSIM3v3模型工艺的HSPICE对上述电路进行仿真，结果表明，与ECRL电路相比，两种改进型电路的功耗均有一定程度的降低。
评级：0 浏览量：84 收藏量：0 资源大小：313KB 上传时间：2020-10-20

: CMOS低噪声放大器中的输入匹配研究与设计应用这种改进型输入匹配结构,基于0.18μm BSIM3模型设计了工作频带为5.1~5.8 GHz的宽带CMOS低噪声放大器。结果表明,虽然输入匹配由于移除源极负反馈电感Ls受到一定影响,但是有利于降低噪声系数并减小实际制作的芯片...
评级：0 浏览量：245 收藏量：0 资源大小：74KB 上传时间：2020-07-28

: 小尺寸器件栅隧穿电流预测模型 (2011年) 针对具有超薄氧化层的MOS器件,使用积分方法,提出了一个新的栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论预测模型,在此基础上使用HSPICE对MOS器件的特性进行了详细的...使用BSIM 4模型进行仿真的结果与所提出的理论模型相符合。
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：179KB 上传时间：2021-05-15

: 一种基于SOC应用的Rail-to-Rail运算放大器IP核 (2005年) 采用上华0.6μm DPDM CMOS工艺。...基于BSIM3V3 Spice模型，采用Hspice对整个电路进行仿真，在5V的单电源电压工作条件下，直流开环增益达到107.8dB，相位裕度为62.4。单位增益带宽为4.3MHz，功耗只有0.34mW。
评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：2.57MB 上传时间：2021-05-08

: 一种基于SoC应用的Rail-to-Rail运算放大器IP核采用上华0.6μm DPDM CMOS工艺,设计实现了一... 基于BSIM3V3 Spice 模型,采用Hspice对整个电路进行仿真,在5V的单电源电压工作条件下,直流开环增益达到107.8dB,相位裕度为62.4°,单位增益带宽为4.3MHz ,功耗只有0.34mW.
评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：226KB 上传时间：2020-10-21

: java翻牌源码-NPMP_BIO:NPMP2017/18-BIO研讨会D主从触发器 java翻牌源码BIO研讨会，BSim中D主从触发器的实现主从触发器配置的基因调控网络实现。运行模拟需要 BSim java 库。结构示例文件夹包含生成的 csv 文件和参数说明。报告文件文件夹包含最终报告 pdf 及其乳胶源。...
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：6.66MB 上传时间：2021-06-05

: cmos 0.5um 工艺库 sp文件 * MODEL : BSIM3V3 * DOC. NO.: * VERSION : 1.0 * DATE : Sept. 9, 2003 * ************************************************************** *.LIB tt ******************************************************...
评级：1 浏览量：732 收藏量：3 资源大小：36KB 上传时间：2013-06-08

: HSPICE的使用指南 hspice教程与实训手册，Hspice 是一款功能非常强大的电路仿真软件，支持 MOS 管最简单的 level1，level3 模型，同时通过调用库文件可以运用现今最精确的 BSIM3v3 模型。
评级：0 浏览量：926 收藏量：2 资源大小：346KB 上传时间：2019-04-15

: 集成电路设计与仿真 Microwind2 Spice 1 3 BSIM4 仿真，包括模型、模型和模型。采用0.12µm 设计规则检查。 Microwind 作为集成电路设计课程学习的一个工具，具有比较完整的功能，完全可以满足教学的大部分需要。需要指出的是，...
评级：5 浏览量：494 收藏量：0 资源大小：2MB 上传时间：2011-06-19

: CMOS_Circuit_Design_Layout_and_Simulation_2nd_Baker.part01 Second Edition covers the practical design of both analog and digital integrated circuits, offering a vital contemporary view of a wide range of analog/digital circuit blocks, the BSIM model, data ...
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: 集成电路设计与九天EDA工具应用 BMP PART1 7.5 短沟道MOS场效应管BSIM3模型 7.6 模型参数提取技术 7.7 本章小结参考文献思考题与习题第8章集成电路设计模拟程序SPICE 第9章晶体管与模拟集成电路基本单元设计第10章数字集成电路基本单元与版图第11章 ...
评级：3 浏览量：475 收藏量：2 资源大小：14.31MB 上传时间：2010-05-27

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