InP/InGaAsP/InP;

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InP/InGaAsP/InP;

: InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池结构的优化研究用金属纳米粒子沉积在InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池表面,利用光散射来研究该电池改善后的光电性能。金属纳米粒子对量子阱太阳电池器件光电性能的作用结果是:用量子阱层与周围材料反射系数的差异来限制不同方向的...
评级：0 浏览量：87 收藏量：0 资源大小：1.09MB 上传时间：2021-03-10

: InAs/InGaAsP/InP Quantum Dot Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 文章讨论的是通过金属有机化学气相沉积法（MOCVD）生长的InAs/InGaAsP/InP量子点激光器。量子点（QD）半导体因其在实现高性能设备中的前景而受到大量关注。目前，InAs/GaAs量子点材料系统已经相当成熟，其对应的1-...
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：913KB 上传时间：2021-02-10

: 室温晶圆键合GaInP / GaAs / InGaAsP三结太阳能电池的研究在三结太阳能电池的制造过程中，研究者首先分别在GaAs衬底上生长了GaInP/GaAs双结太阳能电池，在InP衬底上生长了InGaAsP单结太阳能电池。然后，通过室温晶圆键合技术将这两个电池结合成一个三结太阳能电池。这种结构...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：1.27MB 上传时间：2021-03-15

: 等离子诱导QWI对InP_InGaAsP结构的影响.pdf 【标题】：“等离子诱导QWI对InP_InGaAsP结构的影响.pdf”涉及的核心知识点主要集中在光电子学和半导体材料工程领域，具体是等离子诱导量子阱混杂（Quantum Well Intermixing, QWI）技术在InP/InGaAsP结构中的应用...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：788KB 上传时间：2019-09-05

: InGaAsP/InP正方形微腔激光器 InGaAsP/InP正方形微腔激光器是一种利用InGaAsP材料和InP衬底制作的正方形激光器，其工作原理和特性涉及半导体材料学、微腔光学、微腔激光物理机制和微纳加工技术等多个领域。首先，InGaAsP是一种四元III-V族化合...
评级：0 浏览量：62 收藏量：1 资源大小：144KB 上传时间：2021-02-10

: 场助InGaAsP/InP异质结半导体光电阴极的研究本文通过对InGaAsP/InP场助异质结半导体光电阴极的材料生长、场助肖特基结的制备及阴极激活等工艺的系统研究,研制出具有较高光谱响应的半导体光电阴极,生长出优于文献报道的晶格失配率标准的材料,得到相当80年代国际...
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：1.44MB 上传时间：2021-02-26

: InGaAsP/InP photodetectors targeting on 1.06 um wavelength detection 本文讨论了一种针对1.06微米波长检测的InGaAsP/InP光电探测器的研究成果。该探测器利用气体源分子束外延技术生长，并对其性能进行了展示。InGaAsP/InP探测器在室温下1.06微米波长检测方面表现出优异的性能，其暗电流...
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：1.06MB 上传时间：2021-02-10

: Metamorphic growth of 1.55 \mu m InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells laser structures on GaAs ... We fabricate a GaAs-based InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells (MQWs) laser at 1.55 \mu m. Using two-step growth method and thermal cyclic annealing, a thin low-temperature InP layer and a thick InP ...
评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：676KB 上传时间：2021-02-13

: InGaAsP/InP超辐射集成光源为提高半导体超辐射器件的输出功率，采用直接耦合的方法，将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成，制得了1.3 μm超辐射集成光源，其脉冲输出功率为50 mW，光谱宽度(FWHM)为28.9 nm。...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：815KB 上传时间：2021-02-11

: 高频大功率InGaAsP/InP SPB-BC激光器在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光器结构模型进行了理论分析。采用p-InP衬底,最大输出功率为80 mW。500 μm腔长激光器,它...
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：1.92MB 上传时间：2021-02-11

: 倾斜结构InGaAsP/InP集成超辐射光源为提高半导体超辐射器件的输出功率，在原有的将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成的基础上，将器件电流注入区中心轴线倾斜6°，制得了1.5μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现这种新型结构的...
评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：107KB 上传时间：2021-02-11

: InGaAsP/InP-BC激光器稳态特性的数值分析本文通过采用有限差分法对描述缓变波导半导体激光器稳态特性方程组的数值分析,对InGaAsP/InP掩埋新月形激光器的阈值、波导、侧向模式进行了理论求解。结果表明,它具有良好的基横模工作特性和稳定的光场分布,与实验...
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：6.68MB 上传时间：2021-02-06

: 深脊InGaAsP / InP发光晶体管的制备与表征这篇文章的标题和描述均指出了其核心研究主题为“深脊InGaAsP/InP发光晶体管的制备与表征”。从这段内容中，我们可以提取以下知识点： 1. 发光晶体管（LET）的概念：发光晶体管是一种集成半导体激光器和晶体管的...
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：882KB 上传时间：2021-03-24

: 2×8低噪声InGaAs／InP APD读出电路设计 In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP能隙渐变层、InP电荷层与InP顶层的结构。　APD探测器的最大缺点是暗电流相对于信号增益较大，所以设计APD读出电路的关键...
评级：0 浏览量：181 收藏量：1 资源大小：218KB 上传时间：2020-11-11

: InGaAsP/InP DH Ridge Waveguide Phase Modulator with High Modulation Efficiency The P-p-n-N InGaAsP/InP ridge waveguide phase modulator has been fabricated and investigated at a wavelength of 1550nm. The phase modulation efficiency measured by the Fabry-Perot resonance method is ...
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：817KB 上传时间：2021-02-08

: AlGaInAs/InP coupled-circular microlasers AlGaInAs/InP coupled-circular microlasers with radius of 10- and 2-μm width middle bus waveguide are fabricated by photolithography and inductively coupled plasma etching techniques. Room-temperature...
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：1.13MB 上传时间：2021-02-09

: 1.5~1.7微米汽相外延InGaAsP/InP连续激光器用汽相外延和分子束外延法...本文的目的是报导用通常的金属氯化物-氢化物汽相外延制备的1.5~1.7微米InGaAsP/InP激光器在室温下的连续运转。除了稍微改变一下气流之外，在器件制造过程中没有釆用任何其他的特殊技术。
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：1.9MB 上传时间：2021-02-05

: 相干激光淬火获得分布反馈注入式InGaAsP/InP异质结激光器本文是我们对分布反馈InGaAsP/InP半导体激光器研究的继续。分布反馈激光器必要的结构是波导层中有光学周期非均匀性(衍射光栅）。在文献[1]中研究的分布反馈激光器，其光学周期的非均匀性是由于波导表面上的皱纹引起...
评级：0 浏览量：95 收藏量：0 资源大小：1.06MB 上传时间：2021-02-25

: 室温连续激射的1.55微米质子轰击条型InGaAsP/InP DH激光器 ### 室温连续激射的1.55微米质子轰击条型InGaAsP/InP DH激光器关键技术解析 #### 摘要本文介绍了一种室温下能够实现连续激射的1.55微米波长的质子轰击条型InGaAsP/InP双异质结(DH)激光器的研究成果。该研究通过...
评级：0 浏览量：92 收藏量：0 资源大小：474KB 上传时间：2021-02-06

: 1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长报道了用低压金属有机物化学气相淀积(in Chinese)LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4～6 mA。20～40 ℃时特征温度T0高达...
评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：844KB 上传时间：2021-02-11

: InGaAsP-InP大光腔结构激光器本文针对影响InGaAsP-InP激光器温度特性的各种因素,设计并制备了大光腔(LOC)结构激光器.实验表明,这种结构改善了激光器的温度稳定性,获得了低阈值(宽接触型器件J(th)≈2.5kA/cm~2),高功率(脉冲输出3W)和高特征温度...
评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：1.23MB 上传时间：2021-02-10

: 1.3 μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管的低频光、电噪声研究给出了研制的1.3 μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结果表明,超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声有相关性,其噪声大小...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：1.04MB 上传时间：2021-02-11

: 低阈值台式条状InGaAsP/InP连续辐射(λ=1.3微米)激光器目前有各种各样的两维光学...但这种激光器没有很好的电流限制，这是由于限制电流的反向偏置p-n结的漏电流或高欧姆InP的电阻率低而引起的，这是目前这种结构的缺点。台式条状结构可以克服这种缺点,而且制备十分简单。
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：1.19MB 上传时间：2021-02-08

: 新型长波长InP基谐振腔增强型光探测器制备出具有InP/空气隙的高反射率分布布拉格反射镜(DBR),并将该选择性湿法腐蚀技术成功地应用到长波长InP基谐振腔增强型光探测器的制备中去,从而彻底解决了InP/InGaAsP高反射率分布布拉格反射镜难以外延生长的问题。...
评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：653KB 上传时间：2021-02-12

: Multiwavelength generation using an add-drop microring resonator integrated with an InGaAsP/InP ... The proposed microring resonator comprises a SiO2 waveguide integrated with an InGaAsP/InP SG-DFB, and the SiO2 waveguide consists of a silicon core having a refractive index of 3.48 and Kerr ...
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：934KB 上传时间：2021-02-23

: InGaAsP_InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究.pdf 《InGaAsP/InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究》这篇文章主要探讨了如何通过在InGaAsP/InP半导体功率放大激光器的端面镀SiO2减反射膜来提升耦合效率、输出光功率和器件的工作寿命。文章首先介绍了半导体功率放大...
评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：96KB 上传时间：2021-08-29

: 2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计在红外通信的1 310～1 550 nm波段，高灵敏度探测材料主要有Ge—APD和InGaAs／InP ...In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP能隙渐变层、InP电荷层与InP顶层的结构。
评级：0 浏览量：142 收藏量：1 资源大小：318KB 上传时间：2020-10-19

: 具有J形脊形波导的1.34μmInGaAsP / InP MQW超发光二极管本文所介绍的是一项关于1.34微米波长InGaAsP/InP多量子阱（MQWs）超发光二极管（SLDs）的研究成果，该成果使用了J形脊形波导结构。超发光二极管在光纤陀螺仪（FOG）、光学相干断层扫描（OCT）以及波分复用（WDM）...
评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：512KB 上传时间：2021-03-14

: 长腔式Cd扩散条形In GaAsP/InP DH激光器纵模特性的实验研究在本次研究中，关注的是长腔式Cd扩散条形InGaAsP/InP DH（双异质结构）激光器的纵向模式特性。 1. 长腔式半导体激光器的制作和特性测试本研究报道了1.3μm波长的Cd扩散条形长腔式InGaAsP/InP DH激光器的制作过程...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：4.37MB 上传时间：2021-02-06

: InP:Fe基片上的高可靠40Gb/s电吸收调制器其设计包括一个75微米长的吸收层，由InGaAsP-MQW结构组成，两侧装有透明的InGaAsP块波导，总长度为300微米。表面的防反射涂层使得两面的反射率降低到3%，有助于优化光信号的传输效率。在可靠性方面，文章进行了...
评级：0 浏览量：136 收藏量：0 资源大小：29KB 上传时间：2020-07-08

: InP衬底上具有各种晶格失配的InGaAsBi的特性 2001年和1998年的两篇论文分别研究了InGaAsP层在GaAs衬底上的光学发射特性和InAsSb在GaSb衬底上的光学特性，这两项研究为理解InGaAsBi材料的光学性能提供了基础。总的来说，这篇研究论文深入探讨了在InP衬底上生长...
评级：0 浏览量：99 收藏量：0 资源大小：128KB 上传时间：2021-03-04

: 1.55 μm InGaAsP/InPDH激光器中的0.95 μm发光带与Auger复合报道了在1.55 μm InGaAsP/InP激光器中发现的0.95 μm波长高能发光峰的一系列实验结果,并通过分析肯定了InGaAsP有源区的Auser复合是造成载流子向两侧inP限制层漏泄的主要原因,也是影响1.55 μm InGaAsP/InP DH激光器...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：1004KB 上传时间：2021-02-10

: 显示/光电技术中的光电SAM-APD探测器由于InP的禁带宽度比InGaAsP的宽，隧穿电流在这个设计中得到了显著的抑制，从而降低了噪声，提高了器件的信噪比。 SAM-APD的设计优势在于，它可以有效地减少由于隧穿电流引起的噪声，同时保持较高的光信号增益。...
评级：0 浏览量：302 收藏量：1 资源大小：53KB 上传时间：2020-11-14

: 显示/光电技术中的光电探测器结构示意图本文主要探讨了基于四元化合物In1-X，GaXAs1-yPy的光电探测器结构，特别是InGaAs和InGaAsP两种材料的特性及其在实际应用中的差异。 In1-X，GaXAs1-yPy是一种可以通过外延生长技术在InP衬底上制备的材料，通过调整X...
评级：0 浏览量：210 收藏量：0 资源大小：168KB 上传时间：2020-11-14

: 显示/光电技术中的雪崩光电探测器结构和能带 2. **n-InGaAsP层**：在p+型InP衬底上生长n型InGaAsP层，这是光吸收的主要区域，当光子能量与InGaAsP的带隙匹配时，可以产生电子-空穴对。 3. **pn结**：通过衬底注入锌，形成InGaAsP的pn结。这一结是雪崩倍增过程的...
评级：0 浏览量：189 收藏量：0 资源大小：55KB 上传时间：2020-11-14

: 窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0～40 μm范围内,获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：160KB 上传时间：2021-02-11

: 固态分子束外延生长InGaAsP太阳能电池的研究本文研究了利用固态分子束外延技术在InP衬底上生长InGaAsP太阳能电池的效率以及生长温度对其性能的影响。具体来说，通过改变生长温度，研究了InGaAsP太阳能电池的光电转换效率以及载流子动力学特性。首先，InGaAsP...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：2.46MB 上传时间：2021-03-17

: In0.66Ga0.34As0.73P0.27 / In0.89Ga0.11As0.23P0.77多量子阱激光器的制备和性能实验中还制备了基于InP的InGaAsP/InGaAsP多量子阱激光器，其工作波长在1.3微米。在准连续波条件下，实现了400毫安的阈值电流和0.18毫瓦/毫安的单边斜率效率，这对于一款带宽100微米，腔长500微米的器件来说是非常...
评级：0 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：443KB 上传时间：2021-03-14

: InGaAsP激光器和驱动电路的单片集成日本松下电气工业公司中心研究实验室对InGaAsP 二极管激光器和驱动电路在单片InP基片上单片集成已进行了实验验证。驱动电路以异质结双极晶体管为基础。用掩埋式异质结二极管激光器掩埋外延层制成。研制者已经实现了...
评级：0 浏览量：112 收藏量：1 资源大小：1.14MB 上传时间：2021-02-08

: 显示/光电技术中的基于III-V族半导体材料的光电探测器这些材料，如GaAs、InP、InSb、GaAlAs、InGaAs、InGaP、InGaAsP等，能够覆盖广泛的光谱范围，从可见光到红外波段，使其适用于多种应用场景。光电探测器的工作原理基于内光电效应。当光子照射到半导体材料上时，...
评级：0 浏览量：130 收藏量：0 资源大小：56KB 上传时间：2020-11-14

: 在半绝缘InP衬底上集成半导体激光器、pin光电二极管和FET的光集成片描述部分补充了日本电报电话公司厚木电气通信研究所在这一领域的成果，即成功试制出包含四种关键元件的光集成片：隐埋双异质结构的InGaAsP激光器、pin光电二极管、两级柱形栅FET。文中强调了光集成片在光纤通信中...
评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：1.06MB 上传时间：2021-02-08

: Effect of dielectric cladding on active plasmonic device based on InGaAsP multiple quantum wells InGaAsP是一种四元化合物半导体材料，其特性介于InP和GaAs之间，可以调节其带隙，以适用于不同的光电子应用。多量子阱是由多层不同带隙的半导体薄层交替构成的结构，能够有效地限制载流子在量子阱层内，增强光电效应...
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: 光通信器件-光开关.docx 例如，InP/InGaAsP和有机聚合物材料常用于制造电光开关，具有低插入损耗、高消光比和快速响应时间。 - 电光开关相比机械光开关，其优势在于高速度、高重复性和长寿命，但开关时间受限于半导体载流子复合时间。 ...
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: 多变量离子注入型量子阱混杂效应为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,...
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: 采用半导体量子阱薄膜实现Nd∶YAG激光器被动锁模采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法在InP衬底上低温生长6个周期的InGaAsP多量子阱薄膜, 薄膜对1.06 μm激光的小信号透过率为23%。该薄膜兼作Nd∶YAG激光器的可饱和吸收体及耦合输出镜, 实现1.064 μm激光的被动锁模...
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: 半导体分类.docx - 锑化物系列：应用于中红外线波长范围，包括InP/GaAsSb/InP DHBT、GaAsSb/GaAs长波长面发射激光器和低功耗电子器件，锑元素在界面控制中有重要作用。 - 氧化物材料：如SiO2、Al2O3和Ga2O3，用于MOSFETs，近年来在...
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: 调谐范围超过100 nm的纳米激光器这种微透镜由InP/InGaAsP半导体两维光子晶体构成，并具有-0.7的折射率系数。这种负折射率的透镜能够将近衍射极限的近红外光会聚到很小的光斑，从而实现超短聚焦。在制造技术方面，通过使用纳米刻蚀技术，将光子...
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