InP:Fe基片上的高可靠40Gb/s电吸收调制器

电吸收（EA）调制器广泛地用于光纤通信系统中。使用EA调制器和EA调制器集成分布反馈式激光器(EAM-LD)的10Gb/s光通信系统已进入实用阶段[1]。要满足提高传输容量的强烈需求，就需要能用于40Gb/s光纤通信系统的高速调制器[2-5]。EA调制器的调制速度主要受其电容的限制，因此，调制器或EA调制器的电极板下常用低电介质常数的材料，如聚酰亚胺，而且这种板是在半绝缘基片上做成的。 《InP:Fe基片上的高可靠40Gb/s电吸收调制器》这篇文章主要讨论了一种用于40Gb/s光纤通信系统的高速电吸收（EA）调制器，该调制器是在InP:Fe基片上制造的，具有高可靠性和出色的性能。 电吸收调制器在光通信系统中起着至关重要的作用，尤其是对于提高传输容量的需求日益增长。传统的10Gb/s光通信系统已经广泛采用了EA调制器和集成分布反馈式激光器（EAM-LD）。然而，为了满足40Gb/s及以上速率的通信需求，需要开发速度更快的调制器。EA调制器的调制速度受限于其电容，因此通常采用低介电常数的材料如聚酰亚胺，并在半绝缘基片上构建电极板。 文章中提到了一种新型的InP:Fe基片上的EA调制器，它集成了透明波导，有效降低了寄生电容至0.07pF，从而实现了40GHz的截止频率。这种调制器在0V至-3V的工作电压下可实现15dB的消光比。其设计包括一个75微米长的吸收层，由InGaAsP-MQW结构组成，两侧装有透明的InGaAsP块波导，总长度为300微米。表面的防反射涂层使得两面的反射率降低到3%，有助于优化光信号的传输效率。 在可靠性方面，文章进行了加速老化测试，通过在140℃高温下进行长时间测试，发现调制器的暗电流在500小时以上保持稳定，没有性能退化的迹象。据此推算，在25℃下，设备的预期寿命超过1.7x107小时，证明了其在40Gb/s光通信系统中的高可靠性。 此外，文章指出，由于这种调制器的p电极和n电极位于基片的同一侧，使用flip-chip连接技术可以方便地减少馈线的寄生电感，这对于在更高速如40Gb/s RZ通信系统中使用EA调制器至关重要。 InP:Fe基片上的40Gb/s电吸收调制器以其高速度、低电容和高可靠性，为高速光纤通信系统提供了理想的选择。其独特的设计和良好的老化性能预示着其在未来的光通信领域有着广阔的应用前景。