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Metamorphic growth of 1.55 \mu m InGaAs/InGaAsP multiple quantum...
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2021-02-13
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We fabricate a GaAs-based InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells (MQWs) laser at 1.55 \mu m. Using two-step growth method and thermal cyclic annealing, a thin low-temperature InP layer and a thick InP buffer layer are grown on GaAs substrates by low-pressure metal organic chemical vapor deposition technology. Then, highquality MQWs laser structures are grown on the InP buffer layer. Under quasi-continuous wave (QCW) condition, a threshold current of 476 mA and slope efficiency of 0.15 mW/mA are a
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