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2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
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2020-11-11
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0 引言 在红外通信的1 310~1 550 nm波段,高灵敏度探测材料主要有Ge—APD和InGaAs/InP APD,两者相比较,InGaAs/InP APD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪声。In0.53Ga0.47As/InP APD采用在n+-InP衬底上依次匹配外延InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP能隙渐变层、InP电荷层与InP顶层的结构。 APD探测器的最大缺点是暗电流相对于信号增益较大,所以设计APD读出电路的关键是放大输出弱电流信号,限制噪声信号,提高信噪比。选择CTIA作为读出单元,CTIA是采用运算放大器作为积分器的运放积分模式,比较其他的读
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