我们表征了在1 GHz正弦门控模式下工作时，InGaAs / InP单光子雪崩二极管的时序抖动与过剩偏置电压（Vex）的关系。 将单光子雪崩二极管冷却到30摄氏度。 当Vex太低（0.2 V–0.8 V）或太高（3 V–4.2 V）时，时序抖动随Vex的增加而增加，尤其是在Vex高的情况下。 当处于中间Vex（1 V–2.8 V）时，时序抖动会降低。 对具有脉冲门控的相同雪崩二极管的定时抖动的测量表明，这种影响很可能与Vex幅度的增加和栅极导通时间宽度的增加有关。 对于1 GHz正弦门控检波器，在2.8 V的Vex时光子检测效率为21.4％，每个门的暗计数率为2.08105，可实现93 ps的最佳抖动。探测器，我们计算了噪声等效功率（NEP）和后脉冲概率（Pap）。 已经发现，当Vex高于2.8 V时，NEP和Pap都会Swift增加。在2.8V Vex时，NEP和Pap分别为2.061016.W / Hz1 / 2和7.11％。 因此，检测器应在2.8 V的Vex下运行，以利用快速的时间响应，低NEP和低Pap。
