蓝宝石基

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蓝宝石基

: 蓝宝石基GaN薄膜的热应力模拟分析利用有限元分析软件ANSYS对蓝宝石基GaN薄膜的应力进行了模拟分析，并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了蓝宝石基GaN薄膜应力的分布情况。分析了应力与沉积温度、薄膜厚度、衬底厚度的关系，同时研究了不均匀温度...
评级：0 浏览量：98 收藏量：1 资源大小：2.52MB 上传时间：2021-02-08

: 高温退火工艺对直流反应磁控溅射制备蓝宝石基氮化铝模板的影响采用直流反应磁控溅射与高温退火工艺大批量制备了膜厚为200 nm、400 nm及800 nm的2英寸蓝宝石基氮化铝模板, 并对高温退火前后不同膜厚模板使用各种表征手段进行对比分析。结果表明: 采用磁控溅射制备膜厚为200 nm的...
评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：3.3MB 上传时间：2021-02-21

: 蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究.pdf 研究了蓝宝石基LED 外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系，比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响，并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律，为背减薄与...
评级：0 浏览量：226 收藏量：0 资源大小：207KB 上传时间：2009-02-12

: 355 nm纳秒和1064 nm皮秒激光加工蓝宝石研究利用波长355 nm的纳秒激光和1064 nm的皮秒激光对蓝宝石基片进行刻槽及切割实验，通过控制变量法研究了微槽深度、宽度及质量随工艺参数变化的情况，并进行对比分析。结果表明，355 nm纳秒激光加工过程存在很大的热...
评级：0 浏览量：198 收藏量：1 资源大小：11.11MB 上传时间：2021-02-23

: 图形化蓝宝石衬底技术综述采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度，提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE)，同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED...
评级：0 浏览量：168 收藏量：0 资源大小：2.56MB 上传时间：2021-02-09

: GaN基LED倒装芯片蓝宝石衬底半球型图形优化设计.pdf GaN基LED倒装芯片蓝宝石衬底半球型图形优化设计.pdf
评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：1.29MB 上传时间：2021-07-26

: 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片国家标准氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片国家标准,本标准规定了外延氮化镓的高纯蓝宝石单晶抛光衬底片的技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装运输和贮存等内容。本标准适用于制备半导体发光二极管的外延氮化镓的高纯...
评级：0 浏览量：88 收藏量：0 资源大小：378KB 上传时间：2013-02-24

: GaN基肖特基结构紫外光电探测器支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四，它具有如图1（a）所示的结构：它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN，通过掺杂Mg实现P型掺杂，再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触，图中Ti/Au为肖特基接触，Cr/Au为欧姆...
评级：0 浏览量：292 收藏量：1 资源大小：63KB 上传时间：2021-01-19

: GaN基发光二极管衬底材料的研究进展 GaN 基发光二极管(LED) 作为第三代照明器件在近年来发展迅猛. 衬底材料作为LED 制造的基础, 对器件制备与应用具有极其重要的影响. 本文分析综述了衬底材料影响LED 器件设计与制造的关键特性(晶格结构、热...
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：875KB 上传时间：2021-04-09

: 基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术 0 引言　1993年世界上只GaN基蓝色LED问世以来...　目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：212KB 上传时间：2021-01-19

: 与东澳火山岩区有关的蓝宝石冲积矿床的成因 (1992年) 新南威尔士州北部的中心区(新英格兰矿区)和昆士兰州中部的霍区(阿那基矿区)是两大已知具经济意义的蓝宝石富矿区。近年来，新英格兰矿区宝石级的刚玉和其他一些重矿物，诸如锆石、尖晶石、钛铁矿，在该区火山岩水系...
评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：373KB 上传时间：2021-05-07

: 显示/光电技术中的GaN基肖特基结构紫外光电探测器第一支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四，它具有如图1（a）所示的结构：它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN，通过掺杂Mg实现P型掺杂，最后再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触，图中Ti/Au为肖特基接触，Cr/...
评级：0 浏览量：135 收藏量：0 资源大小：59KB 上传时间：2020-11-14

: 实验芯片大小和电极位置对GaN基LED特性的影响　我们使用的材料为用ＭＯＣＶＤ方法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ＧａＮ基ＬＥＤ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化Ｎｉ／Ａｕ透明电极，...
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：54KB 上传时间：2021-01-19

: 显示/光电技术中的实验芯片大小和电极位置对GaN基LED特性的影响　我们使用的材料为用ＭＯＣＶＤ方法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ＧａＮ基ＬＥＤ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化Ｎｉ／Ａｕ透明电极，...
评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：55KB 上传时间：2020-11-05

: 硅衬底GaN基LED最新进展.docx 目前，蓝宝石虽然稳坐衬底材料的龙头地位，但随着产业的不断发展，竞争日趋激烈，基于蓝宝石衬底的技术发展变缓，再加上其成本高
评级：0 浏览量：70 收藏量：0 资源大小：14KB 上传时间：2019-09-05

: 高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料 (2012年) 采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在c面蓝宝石衬底上，引入脉冲原子层外延技术，制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片．并采用电子束金属蒸镀技术及优化热退火方法，获得了良好的欧姆接触...
评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：318KB 上传时间：2021-06-14

: LED芯片常用衬底材料选用比较　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；，蓝宝石的机械强度高，...
评级：0 浏览量：234 收藏量：0 资源大小：213KB 上传时间：2021-01-19

: 硅衬底LED芯片主要制造工艺目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了...
评级：0 浏览量：176 收藏量：0 资源大小：178KB 上传时间：2020-10-19

: LED衬底材料的选用　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；，蓝宝石的机械强度高，...
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：203KB 上传时间：2021-01-19

: 显示/光电技术中的LED衬底材料的选用　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度...
评级：0 浏览量：147 收藏量：0 资源大小：158KB 上传时间：2020-11-17

: 显示/光电技术中的LED芯片常用衬底材料选用比较　通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度...
评级：0 浏览量：155 收藏量：0 资源大小：158KB 上传时间：2020-11-04

: Si衬底LED芯片制造和封装技术引言　1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世...　目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热
评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：241KB 上传时间：2020-10-21

: 氮化镓单晶生长研究进展受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响，当前的 GaN 基器件主要基于异质衬底( 硅、碳化硅、蓝宝石等) 制作而成，GaN单晶衬底的缺乏已成为制约 GaN 器件发展的瓶颈。近年来，国内外在 GaN 单晶衬底制备方面...
评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：975KB 上传时间：2021-03-09

: 超薄势垒AlN / GaN高电子迁移率晶体管通过脉冲金属有机化学气相沉积在大大降低的生长温度下生长通过使用铟作为表面活性剂的脉冲金属有机化学气相沉积（PMOCVD），在蓝宝石衬底上生长超薄势垒AlN / GaN异质结构，大大降低了830摄氏度的生长温度。优化生长参数后，电子迁移率为1398厘米对于4 nm厚的AlN势垒，获得...
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: 简要分析LED芯片制造流程常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。 MOCVD是利用气相反应物（前驱物）及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物
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