超薄势垒AlN / GaN高电子迁移率晶体管通过脉冲金属有机化学气相沉积在大大降低的生长温度下生长

通过使用铟作为表面活性剂的脉冲金属有机化学气相沉积（PMOCVD），在蓝宝石衬底上生长超薄势垒AlN / GaN异质结构，大大降低了830摄氏度的生长温度。优化生长参数后，电子迁移率为1398厘米对于4 nm厚的AlN势垒，获得了（2）/ V s和1.3 X 10（13）cm（-2）的二维电子气密度。 生长的结构的特征是排列整齐的平行原子台阶，在5 X 5μm（2）区域中，均方根粗糙度为0.15 nm，这是通过原子力显微镜图像揭示的。 最后，通过在直流操作AlN / GaN高电子迁移率晶体管下进行制造和测试，证明了此类结构在器件应用中的潜力。 这些结果表明，这种低温PMOCVD生长技术有望用于制造GaN基电子器件。