肖特基二

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肖特基二

: 什么是肖特基势垒　肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT）,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏, 半导体器件物理与工艺, 第二版, 7.1.2）。　肖特基势垒是指具有整流特性的金属-...
评级：2 浏览量：858 收藏量：0 资源大小：56KB 上传时间：2021-01-20

: 元器件应用中的Zetex高效率低漏泄肖特基二级管 Zetex推出ZLLS350肖特基势垒二极管。该器件在30V下的典型及最大逆向额定电流分别为1μ和4μA，有助于延长从充电器到发光二极管（LED）驱动器等多种应用系统的电池寿命。该器件的这种特性配合极... ZLLS350肖特基二
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：39KB 上传时间：2020-12-13

: 肖特基二极管原理和应用　二、肖特基产品特性　1.肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。2.由于反向电荷恢复时间极短，所以适宜工作在高频状态下。3.能耐受高浪涌电流。4.以前的肖特基管反向...
评级：0 浏览量：1474 收藏量：0 资源大小：267KB 上传时间：2021-01-20

: 元器件应用中的Zetex推出高效率低漏泄肖特基二级管模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex推出ZLLS350肖特基势垒二极管。该器件在30V下的典型及最大逆向额定电流分别为1μ和4μA，有助于延长从充电器到发光二极管(LED)驱动器等多种应用系统的电池寿命。该器件的...
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：41KB 上传时间：2020-11-27

: 肖特基二极管2A SMB Series 肖特基二极管2A SMB Series
评级：0 浏览量：125 收藏量：0 资源大小：528KB 上传时间：2013-07-11

: 肖特基二极管的反向恢复过程解析 肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。　（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。　不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体...　在0-t1时间内，给二极
评级：0 浏览量：1112 收藏量：1 资源大小：124KB 上传时间：2021-01-20

: 基础电子中的肖特基二极管　另外，还有一种铝硅肖特基二极管，除用于开关电路外，主要用于高频电路中作检波和鉴频，代替2AP9等检波二极管。如2S11的频率可达(10的三次方)MHz，广泛用于一般的电子产品。　肖特基二极管的不足之处是反向耐压较...
评级：0 浏览量：384 收藏量：0 资源大小：28KB 上传时间：2020-11-24

: 肖特基二级管的种类 肖特基二级管种类和封装繁多，根据电压和电流的不同要求，分别对用不同类型和包装。
评级：0 浏览量：40 收藏量：0 资源大小：114KB 上传时间：2011-11-30

: 行业-电子政务-具有复数个台面的横向导电肖特基二级管.zip 行业-电子政务-具有复数个台面的横向导电肖特基二级管.zip
评级：0 浏览量：44 收藏量：0 资源大小：999KB 上传时间：2021-11-19

: 电路板怎么加肖特基二极管以肖特基二极管SS14型为例，它的电流是1A电压是40V的肖特基二极管，此电路输入电压应该小于40V，可能为12V输入。肖特基二极管又称为快恢复二极管，特点是是工作...2、有时候还可以这样接，电源反向时二极管截止切断电路
评级：0 浏览量：682 收藏量：1 资源大小：62KB 上传时间：2020-07-12

: 肖特基二极管和快恢复二极管区别普通硅二极管和肖特基二极管的相同两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。普通硅二极管和肖特基二极管区别区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的...其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多
评级：5 浏览量：1364 收藏量：1 资源大小：230KB 上传时间：2020-07-12

: 行业资料-电子功用-具有增强击穿电压的肖特基二级管结构及制造方法的说明分析.rar 行业资料-电子功用-具有增强击穿电压的肖特基二级管结构及制造方法的说明分析.rar
评级：0 浏览量：40 收藏量：0 资源大小：575KB 上传时间：2021-09-25

: 基础电子中的肖特基二极管原理和应用　二、肖特基产品特性　1.肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。2.由于反向电荷恢复时间极短，所以适宜工作在高频状态下。3.能耐受高浪涌电流。4.以前的肖特基管反向...
评级：5 浏览量：934 收藏量：0 资源大小：216KB 上传时间：2020-10-21

: ROHM新开发GMD2系列肖特基二极管采用0603规格小型封装 ROHM开发的最新GMD2系列产品，采用先进的齐纳二极管、肖特基势垒二极管封装技术，实现了当今世界上最小、最薄的封装尺寸，适合于手机和数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产品。 0603尺寸GMD2封装系列的...
评级：0 浏览量：122 收藏量：0 资源大小：46KB 上传时间：2020-12-03

: 肖特基二极管与场效应管有什么区别？　二极管与三极管完全是2种类型，不能相比，但同属电子元件类。　肖特基二极管和普通二极管或场效应管的外观还是多少有点相似的，用户在使用时会有所困惑也是难免的　　如何区分场效应管和肖特基...
评级：0 浏览量：549 收藏量：0 资源大小：209KB 上传时间：2021-01-20

: 基于平面肖特基二极管的300 GHz平衡式二倍频器依据此模型，采用平衡式电路设计，将二极管放置在波导内，利用模式正交性很好地实现输入与输出信号的隔离，简化了电路结构，降低了损耗，成功设计并制作出300 GHz二倍频器，在312～319 GHz的倍频效率大于5%，最大...
评级：0 浏览量：154 收藏量：0 资源大小：495KB 上传时间：2020-10-15

: 元器件应用中的英飞凌推出TO-220 FullPAK封装的第二代SiC肖特基二极管英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离...
评级：0 浏览量：175 收藏量：0 资源大小：51KB 上传时间：2020-11-07

: 如何从结构上区分肖特基与快恢复二极管其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等...
评级：0 浏览量：276 收藏量：0 资源大小：80KB 上传时间：2020-08-14

: 如何降低肖特基PIN限幅器损耗另一个造成过载的原因为发出刺激脉冲后探针线圈上储存能量所带来的振铃信号[2],缩小低噪声放大器（LNA, Low Noise Amplifier）器件尺寸的作法虽然可以改善射频性能，但却会牺牲过载的承受能力，例如采用0.25μm ...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：288KB 上传时间：2021-01-20

: 元器件应用中的Renesas推出超薄型肖特基二极管在整流电流为1A的肖特基势迭二极中是尺寸最小、最薄的，它的尺寸为 2.5 mm x 1.25 mm x 0.55 mm (最大) 它的厚度只有 0.55 mm (最大) ，在整流电流为1 A的肖特基势迭二极管中，是最薄的产品。它的安装面积与电流...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：45KB 上传时间：2020-12-09

: 基础电子中的肖特基二极管常用型号及参数常用的有D80-004型、MBRl545型、MBR2535型、B82一004型等，主要参数如表3-9所示。　常用的表面封装肖特基二极管有RB型等，主要参数如表所示。表1：常用肖特基二极管主要参数 ... 表2：表面封装共阴对管主要参数
评级：0 浏览量：334 收藏量：0 资源大小：131KB 上传时间：2020-11-24

: 元器件应用中的肖特基二极管（SBD） Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 V）的功率电子电路中（当电路电压高于100 V以上时，则要选用PIV高的SBD，其正向电阻将增大许多）。此外...
评级：5 浏览量：773 收藏量：1 资源大小：200KB 上传时间：2020-11-16

: 论述如何降低肖特基PIN限幅器损耗限幅器通过允许低于特定水平的射频信号通过，并大幅度衰减超过阀值的较大信号来...在基本PIN限幅二级管上并联肖特基二级管，也就是肖特基强化PIN限幅器可以降低限制阀值约10dB，主要原因是肖特基二级管较低的导通电压。
评级：0 浏览量：298 收藏量：0 资源大小：87KB 上传时间：2020-07-26

: MSS1P2L and MSS1P3L eSMP封装的肖特基二极管 MSS1P2L and MSS1P3L eSMP封装的肖特基二极管
评级：0 浏览量：169 收藏量：0 资源大小：936KB 上传时间：2013-08-13

: 电源技术中的Vishay Trench MOS肖特基势垒整流器 VTS40100CT 是市场上第一款此类器件，其采用 TO-220AB 封装，额定电流为 40A (2 x 20A)，额定电压为 100V，该器件专门针对 100W～300W 的高频开关模式电源应用而进行了优化。其在 5A 及 125°C 时 0.375V 的超低...
评级：0 浏览量：169 收藏量：0 资源大小：48KB 上传时间：2020-12-09

: 肖特基二极管在电源管理中的应用分析 2.肖特基二极管的参数选择在选择肖特基二极管时，需要考虑多个参数，包括电压、电流、温度和热阻等。肖特基二极管的选择取决于电源管理系统的具体应用和设计要求。例如，在非同步直流/直流转换器中，肖特基二极管...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：80KB 上传时间：2020-07-28

: 如何区分场效应管和肖特基二极管? 　二极管与三极管完全是2种类型，不能相比，但同属电子元件类。　肖特基二极管和普通二极管或场效应管的外观还是多少有点相似的，用户在使用时会有所困惑也是难免的　　什么是场效应管　场效应...
评级：0 浏览量：203 收藏量：0 资源大小：184KB 上传时间：2021-01-20

: 电源技术中的PWM DC/DC转换器肖特基二极管（SBD） 肖特基（Schottky）二极管是将金属层沉积在N型硅的薄薄外延层上，利用金属和半导体之间的接触势垒获得单向导电作用，相当于PN结。这个接触面称为“金属半导体结”。肖特基二极管的全名应为肖特基势垒二极管...
评级：0 浏览量：442 收藏量：0 资源大小：38KB 上传时间：2020-11-16

: IR新型肖特基二极管采用CSP封装，适合便携应用国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)日前推出四款新型FlipKY肖特基二极管。与业界普通标准的肖特基器件相比，它们的体积更小，工作效率更高。这些新型0.5A和1.0A器件...与业界标准的SOD-123封装肖特基二
评级：0 浏览量：144 收藏量：0 资源大小：55KB 上传时间：2020-12-02

: 肖特基二极管常用参数大全.doc 2. 制造商：肖特基二极管的制造商有多家，如TOS、INF、PS、IR、ON、ROHM、GS等，每家制造商都有其特定的产品系列和参数。 3. 封装形式：肖特基二极管的封装形式多种，如SC-59、SOT143、SOT23、DO214、SMA、SMB、...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：22KB 上传时间：2021-09-16

: 元器件应用中的什么是肖特基二极管因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。　肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等...
评级：0 浏览量：127 收藏量：0 资源大小：52KB 上传时间：2020-11-18

: 元器件应用中的使用肖特基二极管的DBM电路的构成 肖特基二极管具有开关速度很快，而且正向电压低，低耦合容量的特征。为活用其高频特性．多使用在DBM (双重均衡混频器)电路中。　DBM电路的应用有平衡调制、同步检波、混频等．在调制信号上给子脉冲波，进行脉冲...
评级：0 浏览量：196 收藏量：0 资源大小：168KB 上传时间：2020-11-17

: 金属硅化物―硅功率肖特基二极管 (1993年) 用电流―电压法和电容―电压法测量分析了TiSi_2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi_2/n-Si三种肖特基势垒二极管特性,其势垒高度分别为0.61eV、0.66eV和0.66eV,理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物―n型硅肖特基功率...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：732KB 上传时间：2021-06-12

: 高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备本文采用导模法生长技术，成功制备了高质量掺Si氧化镓(β...此外，在剥离衬底上，采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管，平均击穿场强 EAva为2.1 MV/cm，导通电阻3 mΩ·cm2，展示了优异性能。
评级：0 浏览量：141 收藏量：0 资源大小：3.1MB 上传时间：2021-02-21

: Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。它们可为电力电子系统设计师提供各种性能优势，包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C...
评级：0 浏览量：88 收藏量：0 资源大小：99KB 上传时间：2021-01-20

: 退火温度对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响退火温度对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响，王一义，孙颉，采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6表面分别制备了Au和In电极，探讨了氮气气氛下快速退火对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响规律。通过I-V和C-V�
评级：0 浏览量：179 收藏量：0 资源大小：450KB 上传时间：2020-02-02

: 元器件应用中的ROHM开发出最小的0603规格的齐纳二极管和肖特基二极管 ROHM开发的最新「GMD2」系列产品，采用先进的齐纳二极管、肖特基势垒二极管封装技术，实现了当今世界上最小、最薄的封装尺寸，对于手机和数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产品，无疑是最佳选择。...
评级：0 浏览量：70 收藏量：0 资源大小：43KB 上传时间：2020-11-30

: Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性 (2008年) 通过I-V测量研究了AIGaN/...温度升高，肖特基势垒高度增加，理想因子下降，主要原因是受异质结和二维电子气的影响。在正向电流为1mA时，室温下的正向电压为1.65v，从室温到300℃范围内正向电压的温度系数为-1.6mv/℃。
评级：0 浏览量：124 收藏量：0 资源大小：122KB 上传时间：2021-05-14

: 元器件应用中的品佳积极推广英飞凌第二代硅碳化物肖特基二极管产品规格涵盖完整,其阻隔电压为600volts(4A,5A,6A,8A,2×5A,2×6A,2×8A)。全新的SiC二极管在冲击(surge)电流，不但比第一代至少加强了一倍，并且在坚固耐用方面也大为改善，因此能够处理更高的起动流入电流以及过...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：45KB 上传时间：2020-11-27

: InAlN / GaN HEMT中的肖特基接触技术可改善击穿电压厘米（2）。在L-GD = 1μm的SS InAlN / GaN HEMT中，也获得了118 V的BV，这是在具有如此短的L-GD和GaN缓冲器的GaN基HEMT中，BV最高的。 BV的改进依赖于有效抑制金属在SS下注入到GaN缓冲液中的源载流子，这是由于其...
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: ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特基势垒二极管“RBxx8BM/NS200” 知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统，开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2（以下简称“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。　ROHM面向车载系统开发...
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: 元器件应用中的集成二极管及肖特基势垒二极管内容：1 集成二极管 1.1 集成二极管的构成 1.2 集成二极管的常见结构 2 肖特基势垒二极管 2.1 肖特基势垒二极管的设计考虑 2.1.1 肖特基势垒二极管的设计要求 2.1.2 肖特基势垒二极管的面积选择 2.1.3 肖特基势垒...
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: 电源技术中的Vishay推出新型高电流密度肖特基整流器 Vishay Intertechnology公司今天宣布推出新系列高电流密度肖特基整流器。该系列产品采取致密封装，额定前向电流高达其它同类产品的三倍，具有高效及节省空间的特点。与工业标准器件相比，此新型产品能处理更高电平...
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: 元器件应用中的Vishay小尺寸100V势垒肖特基整流器典型VF低至0.56V 宣布，推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。　此次发布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封装的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封装的VSSB...
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: 模拟技术中的如何降低肖特基PIN限幅器损耗另一个造成过载的原因为发出刺激脉冲后探针线圈上储存能量所带来的振铃信号[2],缩小低噪声放大器（LNA, Low Noise Amplifier）器件尺寸的作法虽然可以改善射频性能，但却会牺牲过载的承受能力，例如采用0.25μm ...
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: 电源技术中的适合各种电源应用的碳化硅肖特基二极管欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定，能源节省和空间/成本的考虑成为在...
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