元器件应用中的肖特基二极管（SBD）
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2020-11-16
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元器件应用中的肖特基二极管（元器件应用中的肖特基二极管（SBD））
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒
（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。
现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作
SBD。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于
低电压（小于50 V）的功率电子电路中（当电路电压高于100 V以上时，则要选用PIV高的SBD，其正向电阻将
增大许多）。此外，SBD是根据漂移现象产生电流的，不会积累，
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整
流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是
用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特点是：正向压降PN结
二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 V）的功率电子电路中（当电路电压高
于100 V以上时，则要选用PIV高的SBD，其正向电阻将增大许多）。此外，SBD是根据漂移现象产生电流的，不会积累，也
无须移去多余的载流子，因此也就不存在正向恢复或反向恢复现象。这就是SBD的莎Ⅱ很小的缘故。输出电压为4～5V的开关
转换可以选用PIV为25 V或45 V的Si－SBD。例如1N6492、lN639l、1N6392等。SBD的缺点是：反向漏电流比普通二极管大
得多，如图1所示的二极管伏安特性比较。这是因为Si－SBD的结电容较大的缘故，如USD45型Si－SBD的结电容约为4700
pF，而UFRD的结电容仅为5～150 pF，GaAs－SBD的结电容也只有100～500 pF。
图1 二极管伏安特性的比较
有关各种快速开关二极管的参数见表1～表3c。
表1 几种典型功率二极管的主要参数
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