schottky

关于肖特基二极管型号的命名、字母含义、解释 　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的， 　完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR）， 　也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的...

评级：0 浏览量：652 收藏量：0 资源大小：135KB 上传时间：2021-01-20

Schottky反向漏电流仿真 标题 "Schottky反向漏电流仿真" 涉及的是半导体器件中的一个重要概念，即肖特基二极管(Schottky diode)在反向偏置条件下的漏电流现象。肖特基二极管是由金属与半导体接触形成的势垒二极管，其工作特性与普通PN结...

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TOSHIBA SiC Schottky Barrier Diodes-综合文档 【标题】"TOSHIBA SiC肖特基势垒二极管"是关于东芝公司制造的碳化硅肖特基势垒二极管(SiC Schottky Barrier Diodes)的专业技术文档。这种器件在当今的电力电子领域扮演着重要角色，尤其在高功率、高温和高速应用中。...

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使用TiO2纳米粒子的高效稳定的倒置聚合物太阳能电池，并通过Mott-Schottky电容进行分析 Mott-Schottky电容分析是一种分析半导体电容器特性的方法，基于Mott-Schottky理论，能够测量和计算半导体中的内置电位、耗尽层宽度以及活性层的掺杂水平。在聚合物太阳能电池中，通过对倒置和传统结构的太阳能电池...

评级：0 浏览量：103 收藏量：0 资源大小：1.38MB 上传时间：2021-03-16

TOSHIBA SiC Schottky Barrier Diodes.zip-综合文档 标题中的"TOSHIBA SiC Schottky Barrier Diodes"是指东芝公司生产的碳化硅肖特基势垒二极管。这是一种先进的半导体器件，广泛应用于电力电子领域，特别是那些需要高效率、高温稳定性和快速开关操作的应用。下面将...

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用Gravitinos和Super Schottky组变形Super Riemann表面 简要概述了紧致（超级）黎曼曲面的（超级）肖特基均匀化。 用超级肖特基群同调来重绘格拉维诺斯和贝尔特拉米参数对超级黎曼表面的形变。 检查非分裂表面周期矩阵的超级肖特基基团公式是否与分裂表面上的gravitino和...

评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：750KB 上传时间：2020-05-01

混合PiN/Schottky二极管的研究 对混合PiN/Schottky二极管（MPS）进行研究，首先对MPS二极管的工作原理进行了分析，通过对MPS二极管、肖特基二极管、PIN二极管的伏安特性进行模拟，结果表明MPS二极管正向压降小，电流密度大，反向漏电流小，是一种...

评级：0 浏览量：163 收藏量：1 资源大小：696KB 上传时间：2021-01-29

Multimode Signal Processor Unit Based on the Ambipolar WSe2−Cr Schottky Junction ### 基于双极性WSe2−Cr肖特基结的多模式信号处理单元 #### 摘要与关键词解析 本文介绍了一种基于双极性WSe2−Cr肖特基结的简单而新颖的设备结构，该结构具有非对称的源极和漏极端肖特基接触面积。...

评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：2.16MB 上传时间：2021-02-07

圆环上的Schottky定理 (1990年) 在数学领域，尤其是在复分析和几何函数论中，Schottky定理是一个重要成果。它涉及到复平面上的圆环区域上解析函数的性质。本文介绍了1990年发表于《北京大孚学报》上的一篇重要论文，该论文利用了Poincaré度量来...

评级：0 浏览量：15 收藏量：0 资源大小：452KB 上传时间：2021-05-12

schottky 1.00ns 标题中的“schottky 1.00ns”指的是肖特基二极管，这是一种特殊类型的半导体二极管，以其快速开关速度（1纳秒，ns）和低正向电压降为特点。在电子工程中，肖特基二极管常用于高速开关应用和低电压系统，因为它具有比...

评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：22KB 上传时间：2011-10-10

BAS40 THRU BAS40-06__Schottky Diodes.pdf These diodes feature very low turn-on voltage and fast switching. These devices are protected by a PN junction guard ring against excessive voltage, such as electrostatic discharges.

评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：54KB 上传时间：2020-06-12

SS22 THRU SS26__Surface Mount Schottky Barrier Rectifier.pdf Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 * For surface mount applications * Low profile package * Built-in strain relief * Metal sillicon junction, majority ...

评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：54KB 上传时间：2020-06-12

Analyses and Experiments of the Schottky Contact Super Barrier Rectifier (SSBR) ### Schottky Contact Super Barrier Rectifier (SSBR)：深入分析与实验验证 #### 引言 在电力电子领域，特别是在功率转换器和电源供应器中，功率半导体整流器被广泛采用。对于额定电压低于100伏特的应用场景而言...

评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：1.04MB 上传时间：2021-02-07

关于Picard和Schottky定理的精确界(英文) (1992年) 标题和描述中提及的“Picard定理”和“Schottky定理”的精确界，以及它们与“椭圆模函数”之间的密切关系，构成了本文的核心知识点。首先，我们将探究Picard定理和Schottky定理的基本概念及其数学背景；其次，解析...

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Improved Schottky contacts to InGaN alloys by a photoelectrochemical treatment 肖特金接触（Schottky contact）是一种金属与半导体之间的非平衡接触，在半导体器件中扮演着重要角色。这种接触通常用于整流器、二极管和传感器等设备中。在本研究中，研究者关注的是如何通过光电化学处理来改善...

评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：1.37MB 上传时间：2021-02-07

电源技术中的恩智浦新型封装的MEGA Schottky整流器 恩智浦半导体（NXP）近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGA Schottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以...

评级：0 浏览量：99 收藏量：0 资源大小：59KB 上传时间：2020-11-16

A 5–6 GHz Schottky Diode Single Balanced Mixer 《5-6 GHz肖特基二极管单平衡混频器设计详解》 在无线通信领域，5-6 GHz频率范围的应用越来越广泛，如5.8 GHz ISM和HiperLAN II等。随着2.4 GHz频段的饱和，设计师们正转向更高的频率范围寻找解决方案。...

评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：812KB 上传时间：2023-09-13

B230LA & B240A__High-Current Density Surface Mount Schottky Rectifier.pdf Features • Low power loss, high efficiency • Low profile surface mount package • Built-in strain relief • For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection ...

评级：0 浏览量：175 收藏量：0 资源大小：53KB 上传时间：2020-06-12

基于量子力学和Mott-Schottky研究Alloy 690氧化膜的半导体特性.pdf 标题和描述中提到的研究主要关注的是Alloy 690氧化膜的半导体特性，通过量子力学和Mott-Schottky理论进行分析。Alloy 690是一种广泛应用在核电站换热管道中的合金，其耐腐蚀性至关重要。研究的核心在于理解氧化膜...

评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：298KB 上传时间：2021-08-29

Barrier Inhomogeneities and Interface States of Metal/4H-SiC Schottky Contacts 本篇研究论文的标题是《Barrier Inhomogeneities and Interface States of Metal/4H-SiC Schottky Contacts》，探讨的是金属与4H-SiC肖特基接触的势垒不均匀性和界面态特性。4H-SiC（四面体晶系硅碳化物）是一种...

评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：887KB 上传时间：2021-02-08

Fabrication of electrically contacted plasmonic Schottky nanoantennas on silicon We fabricate Schottky contact photodetectors based on electrically contacted Au nanoantennas on p-Si for the plasmonic detection of sub-bandgap photons in the optical communications wavelength range....

评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：667KB 上传时间：2021-01-27

states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes 在半导体物理学中，Schottky势垒二极管（SBDs）是一种重要的器件，其性能受到材料界面态密度的影响。本文探讨了生长方向和氮（N）掺杂对Cu接触的GaAsN外延层上的SBDs界面态和电学特性的影响。通过在室温下对具有...

评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：895KB 上传时间：2021-02-21

Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs ... 具体来说，随着氮掺杂浓度的增加，理想因子（ideality factor）和肖特基势垒高度（Schottky barrier height，通过C-V特性得出）也随之上升，同时，所有采用的生长方向上的样品的载流子浓度则会降低。 更进一步，与...

评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：1.21MB 上传时间：2021-02-21

Interface Engineering of Organic Schottky Barrier Solar Cells and Its Application in Enhancing ... 本研究工作主要探讨了有机肖特基势垒太阳能电池（Organic Schottky Barrier Solar Cells, OSBSCs）界面工程的优化策略，并将其应用于平面异质结太阳能电池中，以期显著提高其性能。具体而言，研究采用了以下结构：...

评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：761KB 上传时间：2021-02-07

Improvement of external quantum efficiency of silicide Schottky-barrier detectors in the 3 to 5 μm ... 本研究聚焦于3至5微米波段的硅化物肖特基势垒（Schottky-barrier）红外探测器，通过在探测器入射面采用亚波长光栅结构来改善其外部量子效率（External Quantum Efficiency, EQE）。该波段是重要的中红外区域，在气体...

评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：542KB 上传时间：2021-02-06

Mott–Schottky莫特_肖特基资料专题.doc Mott–Schottky莫特_肖特基资料专题.doc

评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：218KB 上传时间：2021-09-19

Influence of ion- implantation on the effective Schottky barrier height of NiGe/n-Ge contacts 文章标题“离子注入对NiGe/n-Ge接触肖特基势垒高度的影响研究”和描述表明本文聚焦于通过离子注入技术对镍锗(niGe)与n型锗(n-Ge)接触界面的肖特基势垒高度(Schottky barrier height, SBH)的调节效应进行研究。...

评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：597KB 上传时间：2020-03-13

External quantum efficiency-enhanced PtSi Schottky-barrier detector utilizing plasmonic ZnO:Al ... A infrared light trapping structure combining front subwavelength gratings and rear ZnO:Al nanoparticles for a PtSi Schottky-barrier detector over a 3–5 μm waveband is theoretically investigated....

评级：0 浏览量：91 收藏量：0 资源大小：578KB 上传时间：2021-02-07

Investigation of ZrGe Schottky source/drain contacts for Ge p-channel MOSFETs 本研究探讨了使用锆锗（ZrGe）作为肖特基源/漏（S/D）接触的Ge p型金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的特性。肖特基接触是一种金属与半导体之间的接触界面，其中不存在或者只有很薄的pn结。...

评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：597KB 上传时间：2021-02-11

Improvement of reverse blocking performance in vertical power MOSFETs with Schottky-drain-connected ... Improvement of reverse blocking performance in vertical power MOSFETs with Schottky-drain-connected semisuperjunctions

评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：3.12MB 上传时间：2021-02-07

Low-Frequency Noise Properties of GaN Schottky Barriers Deposited on Intermediate Temperature Buffer... Flicker noise and deep level transient spectroscopy were used to characterize defect properties of GaN films with different buffer structures. Results indicate improved properties with the use of ...

评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：865KB 上传时间：2021-02-08

Improvements on high voltage capacity and high temperature performances of Si-based Schottky ... 本研究论文的标题是《硅基肖特基势垒二极管的高电压容量和高温性能改进》，描述了对传统硅基肖特基二极管的反向电压容量和低结温特性进行改进的研究。通过离子注入、镍铂合金溅射、硅化物形成等关键技术在N型硅外延...

评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：1.24MB 上传时间：2021-02-22

SS32 THRU SS36__Surface Mount Schottky Barrier Rectifier.pdf Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 ♦ For surface mount applications ♦ Low profile package ♦ Built-in strain relief, ideal for automated placement ...

评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：43KB 上传时间：2020-06-12

The electrical characteristics of GaAs-MgO interfaces of GaAs MIS Schottky diodes GaAs MIS肖特基结的GaAs-MgO界面层的电学性质的研究，高娴，唐吉龙，在金属与半导体接触的研究中，许多研究致力于关注其界面势垒高度，这是因为其对器件性能的影响。故意在金属与半导体之间生长一层

评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：259KB 上传时间：2020-03-04

Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky structures by Deep Level Transient ... 该论文题为《通过深能级瞬态谱法研究Al/Ti 4H-SiC肖特基结构的缺陷能级》。研究的焦点在于利用一种名为深能级瞬态谱法（DLTS）的技术，来探索在硅碳化物（SiC）材料的肖特基结构中的缺陷能级特性。...

评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：1005KB 上传时间：2021-02-08

High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes at room ... 这篇研究论文探讨了高能电子辐射对镍(Ni)和钛(Ti)/4H-碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)在室温下的影响。4H-碳化硅是一种宽禁带半导体材料，具有优异的特性，如宽禁带宽度、高热导率、高击穿电场和高辐射耐受性，...

评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：256KB 上传时间：2021-02-20

Schottky barrier and catalytic effect induced high gas sensing of one-step synthesized Pd-SnO2 ... 一步合成Pd-SnO2纳米棒及其肖特基势垒和催化效应诱导的高气体传感性能，邢丽丽，贺彬，本文采用一步水热法成功地合成具有均匀负载的Pd-SnO2纳米棒。由该纳米棒构建的气体传感器具有高的灵敏度和快速的响应。...

评级：0 浏览量：158 收藏量：0 资源大小：488KB 上传时间：2020-02-25

PIN and Schottky Diode_Selection Guide ### PIN与肖特基二极管的选择指南 #### 引言 本文主要介绍了Avago Technologies Inc.（现为安华高科技公司，Avago Technologies的一部分）生产的HSMS-285x系列肖特基二极管及其相关的PIN二极管产品线。...

评级：0 浏览量：127 收藏量：1 资源大小：266KB 上传时间：2011-12-12

BAT54/A/C/S Schottky Diodes 根据提供的文档内容，我们可以详细解析关于BAT54/A/C/S肖特基二极管的关键知识点。这份数据手册提供了关于这些二极管的重要参数和技术特性，对于电子工程师来说是非常宝贵的资源。 ### BAT54/A/C/S 肖特基二极管...

评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：115KB 上传时间：2013-01-15

基础电子中的关于肖特基二极管型号的命名、字母含义、解释 　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的， 　完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR）， 　也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的...

评级：0 浏览量：563 收藏量：0 资源大小：121KB 上传时间：2020-10-21

SS22-THRU-SS210-SMA.pdf SS22 THRU SS210 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current - 2.0 Amperes

评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：70KB 上传时间：2019-08-30

电源技术中的Vishay Trench MOS肖特基势垒整流器 Vishay Intertechnology 推出的这款创新产品标志着电源技术领域的一个重大进步，它引入了基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器。Trench MOS技术是一种先进的半导体制造工艺，通过在硅片上蚀刻深沟槽，以实现更高的...

评级：0 浏览量：193 收藏量：0 资源大小：48KB 上传时间：2020-12-09

IDL08G65C5 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf IDL08G65C5 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册提供了 SiC 材料和 SiC Schottky二极管的详细信息，涵盖了SiC 材料的特点、SiC Schottky二极管的特点、SiC 材料在电源管理中的应用、SiC Schottky二极管的应用、...

评级：0 浏览量：28 收藏量：0 资源大小：838KB 上传时间：2023-07-14

IDK10G65C5 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf 本文档提供了IDK10G65C5 SiC Schottky二极管的详细规格书手册，介绍了该器件的特性、参数、应用场景等信息。 一、器件概述 IDK10G65C5是一款650V SiC Schottky二极管，由英飞凌（Infineon）公司生产。该器件采用...

评级：0 浏览量：34 收藏量：0 资源大小：542KB 上传时间：2023-07-14

DDB2U60N12W1RF_B11 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf * CoolSiC™ Schottky二极管Gen 5是英飞凌芯片公司开发的一种高性能的Schottky二极管 * 具有高动态鲁棒性和低热阻 * 可应用于DC充电器、电动汽车、工业自动化等领域 PressFIT接触技术介绍： * PressFIT接触技术是...

评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：393KB 上传时间：2023-07-13

IDL06G65C5 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf 本文档是INFINEON公司出品的SiC（Silicon Carbide，碳化硅）Schottky二极管的规格书手册，型号为IDL06G65C5。下面是该手册中所包含的知识点： 1、SiC材料：SiC是一种革命性的半导体材料，具有Benchmark switching ...

评级：0 浏览量：31 收藏量：0 资源大小：784KB 上传时间：2023-07-14

意法半导体各类型肖特基二极管PSPICE/LTSPICE模型 "st_power_schottky_readme.pdf" 文件是一个阅读指南或用户手册，通常会包含关于如何使用这些模型的详细信息，包括如何在PSPICE或LTSPICE中导入模型，模型的参数解释，以及可能的注意事项和应用示例。设计者应该仔细...

评级：0 浏览量：163 收藏量：0 资源大小：176KB 上传时间：2024-06-04

IDL10G65C5 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf 本资源是INFINEON公司出品的SiC Schottky二极管IDL10G65C5的中文规格书手册。该手册详细介绍了该二极管的特点、性能参数、应用场景等信息。 知识点1: SiC Schottky二极管的特点 SiC Schottky二极管IDL10G65C5具有...

评级：0 浏览量：30 收藏量：0 资源大小：785KB 上传时间：2023-07-14

IDK08G65C5 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf 本手册介绍的是INFINEON公司的IDK08G65C5 SiC Schottky二极管的规格书，以下是该芯片的详细知识点： 概述 IDK08G65C5是INFINEON公司的SiC Schottky二极管，属于Power Management & Multimarket SiC Silicon ...

评级：0 浏览量：31 收藏量：0 资源大小：582KB 上传时间：2023-07-14