射频磁控溅射

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射频磁控溅射

: 射频磁控溅射SiO2薄膜的制备与性能研究 (2006年) ### 射频磁控溅射SiO2薄膜的制备与性能研究 #### 一、研究背景及目的本文旨在探讨利用磁控射频反应溅射技术在单晶硅片上制备二氧化硅(SiO2)薄膜的方法，并进一步研究不同工艺参数对该薄膜性能的影响。二氧化硅...
评级：0 浏览量：150 收藏量：0 资源大小：2.23MB 上传时间：2021-05-09

: 工作功率对射频磁控溅射沉积硼薄膜性能的影响工作功率是影响射频磁控溅射沉积过程的重要参数之一，其对最终沉积薄膜的性能有着直接的影响。射频磁控溅射是一种物理气相沉积技术，广泛应用于制备薄膜材料，如半导体、金属氧化物、以及本研究中的硼薄膜。射频磁控...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：1.46MB 上传时间：2021-03-17

: 室温下射频磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜及其性能研究采用射频磁控溅射技术,在室温下,以ZnO:Al2O3(2%Al2O3(质量比))为靶材,在石英玻璃基底上,采用不同工艺条件制备了ZnO:Al(AZO)薄膜。使用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌,X射线衍射分析了薄膜的结构,四探针测量仪...
评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：538KB 上传时间：2021-03-11

: 射频磁控溅射沉积ITO薄膜性能及导电机理 (2006年) 将In203和Sn02粉末按质量比1: 1热压烧结制成靶材,采用射频磁控溅射制备了高性能的IT0薄膜。实验结果表明：氢气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVIL有着重要的影响,其最佳值为0.2 Pa。IT0膜的方阻、T VIL和颜色与膜...
评级：0 浏览量：124 收藏量：0 资源大小：3.9MB 上传时间：2021-05-17

: 功率对射频磁控溅射生长ZnO薄膜性能的影响通过使用不同溅射功率的射频（RF）磁控溅射技术，在石英衬底上生长了氧化锌（ZnO）薄膜，该技术将其功率从10 W调整到200W。发现溅射功率起着重要的作用。在电影的成长过程中。检查了结晶度，吸收和光致发光（PL）的...
评级：0 浏览量：136 收藏量：0 资源大小：640KB 上传时间：2021-02-24

: PET基片上射频磁控溅射不同厚度ITO薄膜的光电学特性 (2013年) 采用射频磁控溅射技术，室温下在PET柔性衬底上沉积不同厚度的掺锡氧化铟(ITO)薄膜，样品的结构、形貌和光电学性质分别用x射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法测量．实验结果表明：在其它参数...
评级：0 浏览量：144 收藏量：0 资源大小：304KB 上传时间：2021-05-18

: 基体温度和氩气压强对射频磁控溅射制备GZO薄膜性能的影响 (2011年) 采用射频磁控溅射方法,用Ga2O3含量为1%的ZnO做靶材,在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜。结果表明:基体温度和氩气压强对GZO薄膜的晶体结构、光电性能有较大影响。当温度为500℃,...
评级：0 浏览量：84 收藏量：0 资源大小：928KB 上传时间：2021-05-18

: 用射频磁控溅射法制备金属_半导体颗粒膜.pdf 《用射频磁控溅射法制备金属/半导体颗粒膜》的研究主要集中在通过射频磁控溅射技术制造金属（Fe）与半导体（In2O3）颗粒膜的过程及其特性。这种技术在纳米材料科学和凝聚态物理领域具有重要价值，特别是在磁性纳米...
评级：0 浏览量：74 收藏量：1 资源大小：182KB 上传时间：2021-08-29

: 射频磁控溅射制备Zn0光波导薄膜 (2010年) ### 射频磁控溅射制备ZnO光波导薄膜关键技术解析 #### 一、射频磁控溅射技术简介 射频磁控溅射（RF Magnetron Sputtering）是一种常用的薄膜沉积技术，它结合了射频溅射与磁控溅射的优点，可以在较低的工作气压下...
评级：0 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：765KB 上传时间：2021-04-22

: 射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的结构和光学性质 射频磁控溅射是一种利用射频电场作用于含有待溅射材料的气体等离子体，从而将材料原子或分子从其固态表面撞击脱离并沉积到另一个基板表面的薄膜制备技术。利用这项技术制备氮化锌（Zn3N2）薄膜的结构和光学性质是...
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：178KB 上传时间：2021-02-23

: 射频磁控溅射两步法制备高质量AIN膜 射频磁控溅射两步法制备高质量AIN膜的研究主要集中在纳米级铝氮化合物(AlN)薄膜的均匀晶格排列的制备上，这对高频表面声波(SAW)器件的制造具有重要意义。随着SAW器件工作频率提高至5GHz以上，对SAW器件的材料和制备...
评级：0 浏览量：35 收藏量：0 资源大小：2.13MB 上传时间：2021-04-16

: 射频磁控溅射种子层制备（Pb0.8Ca0.2）TiO3薄膜的微观结构和电学性能具有和不具有Pb0.8La0.1Ca0.1Ti0.975O3（PLCT）种子层的四方（Pb0.8Ca0.2）TiO3（PCT）薄膜通过射频磁控溅射在Pt（111）/ Ti / SiO2 / Si衬底上沉积了Pt（111）。种子的影响对PCT薄膜的微观结构和电性能进行了研究...
评级：0 浏览量：120 收藏量：0 资源大小：401KB 上传时间：2021-03-10

: 射频磁控溅射司太立合金淀积薄膜的主要元素成份测量 (1993年) 射频磁控溅射是一种先进的材料表面处理技术，用于在特定材料表面形成薄膜。该技术在1970年代发展起来，相比于传统的溅射技术，它具有沉积速率快、基体温度低、对基体材料的损伤小等优点。在本文研究中，研究人员利用...
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：132KB 上传时间：2021-04-26

: 射频磁控溅射制备CdS多晶薄膜及其性能研究 (2013年) ### 射频磁控溅射法制备CdS多晶薄膜及其性能研究 #### 概述本研究聚焦于采用射频磁控溅射技术，在室温及不同功率条件下，在玻璃基底上沉积CdS薄膜，并对其性能进行了全面的表征与分析。CdS作为一种重要的II-VI族...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：1.26MB 上传时间：2021-05-08

: 电子政务-用多靶射频磁控溅射法制备超薄CdTe太阳电池的技术.zip 《电子政务-用多靶射频磁控溅射法制备超薄CdTe太阳电池的技术》这份资料主要探讨了在电子政务领域中，如何利用先进的材料制备技术——多靶射频磁控溅射法，来制造超薄CdTe（碲化镉）太阳能电池。这一技术在可再生...
评级：0 浏览量：70 收藏量：0 资源大小：120KB 上传时间：2021-09-17

: 射频磁控溅射和离子束溅射制备的AZO / Cu / AZO三层膜的结构，光学和电学性质 射频磁控溅射和离子束溅射技术是制备薄膜材料的两种常用方法，它们在制备AZO/Cu/AZO三层膜的研究中展现出了其独特的优越性。AZO是掺铝氧化锌的简称，它是一种透明导电氧化物（TCO），常用于显示设备、有机发光二极管...
评级：0 浏览量：142 收藏量：0 资源大小：778KB 上传时间：2021-02-23

: 射频磁控溅射司太立合金淀积薄膜的主要元素成份测量 (1986年) 射频磁控溅射技术是一种在1970年代发展起来的新型物理气相沉积技术，它利用射频（RF）电磁场来激发工作气体产生等离子体，从而增强溅射过程。司太立合金是一种钻基合金，它因为具有良好的抗腐蚀性和耐高温性能，广泛...
评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：101KB 上传时间：2021-04-24

: 沉积压力对射频磁控溅射制备的IGZO薄膜光学和电学性质的影响本文研究的是射频磁控溅射制备的IGZO（In-Ga-Zn-O）薄膜受沉积压力影响下的光学和电学性质。IGZO薄膜作为一类重要的透明氧化物半导体材料，在平板显示和太阳能电池等应用领域具有显著潜力。沉积压力是影响薄膜质量的...
评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：883KB 上传时间：2021-03-20

: 行业分类-外包设计-旋转式射频磁控溅射法制备无裂纹多层高阻隔包装薄膜的说明分析.rar 标题中的“行业分类-外包设计-旋转式射频磁控溅射法制备无裂纹多层高阻隔包装薄膜的说明分析”表明该压缩包文件包含的内容主要涉及包装行业的外包设计，具体是关于使用旋转式射频磁控溅射技术制造无裂纹的多层高阻隔...
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：438KB 上传时间：2021-09-21

: 射频磁控溅射制备(In, Co)共掺ZnO薄膜的电学和磁学性质.docx 射频磁控溅射是一种广泛应用于制备薄膜材料的技术，尤其在半导体领域中，它可以用于制备具有特定性质的复合薄膜。在这个文档中，重点讨论的是通过射频磁控溅射法制备的(In, Co)共掺ZnO薄膜的电学和磁学性质。ZnO...
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：1.07MB 上传时间：2021-09-13

: 氮气含量对反应射频磁控溅射制备CrNx薄膜组织与性能的影响 (2012年) 采用反应射频磁控溅射法在40Cr基体上制备CrNx薄膜,研究了不同氮气含量对薄膜组织形貌、粗糙度、沉积厚度以及纳米硬度和弹性模量的影响。结果表明:采用反应射频磁控溅射法在不同氮气含量下,可制备得到厚度均匀、表面...
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：940KB 上传时间：2021-05-14

: 射频磁控溅射法制备CdTe薄膜及其性质的研究 (2009年) 为了制备高效率的CdS/CdTe薄膜叠层太阳电池，本文采用射频磁控溅射技术在不同温度玻璃衬底上制备了CdTe多晶薄膜。利用X射线衍射仪其微结构；用紫外分光光度计测量薄膜的透过谱，计算出了能隙Eg；利用原子力显微镜...
评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：293KB 上传时间：2021-05-08

: 射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了AlN薄膜在以氮终止的硅衬底和...
评级：0 浏览量：113 收藏量：0 资源大小：628KB 上传时间：2021-02-20

: 2021-2022收藏资料射频磁控溅射沉积法制备可见光响应的TiO2光催化薄膜.doc 【射频磁控溅射沉积法】是一种先进的薄膜制备技术，它利用射频电源产生的电磁场来控制氩气离子的运动，使它们高速撞击靶材（在此案例中是金红石结构的TiO2靶材），从而溅射出Ti4+和O2-离子。这些离子随后沉积在...
评级：0 浏览量：11 收藏量：0 资源大小：2.39MB 上传时间：2021-09-25

: 射频磁控溅射制备Si02薄膜及性能表征 (2010年) 采用射频磁控溅射技术,制备4种不同溅射时间的SiO2薄膜。用XRD、PL、FTIR、UV-Vis等对薄膜的微结构、发光、红外吸收以及透、反射进行表征。结果表明：SiO2薄膜仍呈四方晶体结构,平均晶粒尺寸在17.39-19.92nm之间；在...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：1005KB 上传时间：2021-05-07

: 射频磁控溅射高饱和磁化强度Fe-N薄膜 (2005年) 用射频磁控溅射法分别在具有20mmFe衬底的Si（100）和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜。用x射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的...
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：2.98MB 上传时间：2021-05-18

: 射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO3薄膜研究 (2011年) 采用射频磁控溅射技术，用富Li的LiNbO3靶材在Si(100)和Si(111)基底上制备了LiNbO3薄膜．通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和x射线光电子能谱(XPS)对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶体取向和表面形貌及薄膜与基底...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：235KB 上传时间：2021-05-23

: 射频磁控溅射制备CuAlO2薄膜及性能表征 (2012年) 利用Al(OH)3和Cu2O高温固相反应烧结制备的靶材，采用射频磁控溅射法，在玻璃基片上制备非晶CuAlO2薄膜．薄膜的表面均匀，颗粒大小约为50 nm，可见光范围内透射率为60％，平均折射率达2．0，直接带隙为3．86 eV．随着...
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：2.76MB 上传时间：2021-05-07

: 粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0．15Ti0．85O3薄膜及其性能研究 (2013年) 采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300 nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜。薄膜的沉积速度达到40 nm/min，比采用传统陶瓷靶材射频磁控溅射技术的沉积速度高出1个数量级。在10 kHz～1 MHz的测试...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：1.68MB 上传时间：2021-05-23

: 射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积CeO2薄膜的研究 (2006年) 本文采用射频磁控溅射法在玻璃基片上沉积CeO2薄膜。溅射过程中，首先制备纯二氧化铈靶材，然后在不同的功率上调节不同的基片温度进行溅射。采用光电子能谱、X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜等测试方法表征薄膜的特性...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：1.3MB 上传时间：2021-05-24

: 射频磁控溅射法制备AZO/p-Si异质结及其性能研究* (2011年) 利用射频磁控溅射法，在p-si衬底上生长了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜，并进而制备了AZO/p-Si异质结。X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明，AZO薄膜具有良好的结晶质量、光学和电学...
评级：0 浏览量：117 收藏量：0 资源大小：289KB 上传时间：2021-05-09

: 纳米晶Li4 Ti5O12薄膜射频磁控溅射合成与表征 (2014年) 采用射频磁控溅射并结合超高真空热处理工艺在不锈钢基底上制备出了纳米晶Li4 Ti5O12薄膜．利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)考察退火温度对薄膜结构、形貌的影响．并通过恒流充放电技术初步考察薄膜...
评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：197KB 上传时间：2021-05-10

: 通过射频磁控溅射制备的具有TiO“ 2薄晶种层的ITO膜的结构，电学和光学性质标题所指的知识点涵盖了通过射频磁控溅射技术，在镀有钛酸盐(TiO2)薄晶种层的玻璃基板上制备掺锡氧化铟(ITO)薄膜的过程。描述部分指出，此类薄膜的结构、电学和光学性质是研究的重点。研究论文的标签表明这是一篇...
评级：0 浏览量：96 收藏量：0 资源大小：499KB 上传时间：2021-02-23

: 多组分掺杂ZnO陶瓷薄膜的射频磁控溅射法制备及表征* (2011年) 采用传统陶瓷烧结工艺，制备了直径为50mm，厚度为3mm的Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Cr2O3、 MnO2掺杂的ZnO陶瓷靶，采用所制备的ZnO陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上成功制备出了 ZnO陶瓷薄膜，并研究了溅射功率和...
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：319KB 上传时间：2021-05-21

: 使用射频磁控溅射沉积制造的WS2饱和吸收剂的无源调Q开关Nd：YVO4激光器研究人员利用射频磁控溅射沉积法制造了WS2饱和吸收剂，并将其应用于1064nm波长的Nd:YVO4激光器中。该研究成果表明，通过使用少数层的WS2饱和吸收剂（WS2-SA），可以在二极管泵浦的Nd:YVO4激光腔内实现稳定的被动调Q...
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：347KB 上传时间：2021-03-02

: 射频磁控溅射法制备TiO2-x薄膜及其光响应的研究 (2007年) 用射频反应磁控溅射法，250℃时在石英玻璃片上沉积TiO2-x薄膜，用XRD、SEM、XPS、UV-Vis等对其进行表征．结果表明：未经热处理的薄膜呈锐钛矿型，薄膜表面粗糙，粒径约为30 nm的小晶粒聚集在一起，形成一个个“小层...
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：281KB 上传时间：2021-06-14

: 粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究，肖渊渊，黄玉音，采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300 nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜，薄膜的沉积速度达到40nm/min，比采用...
评级：0 浏览量：185 收藏量：0 资源大小：371KB 上传时间：2020-03-04

: 射频磁控溅射沉积ZrO2―8%(wt)Y2O3薄膜XPS分析 (1993年) 对不同基体温度进行射频磁控溅射沉积的ZrO2-8%（wt）Y2O3薄膜表面作了XPS全扫描和窄扫描谱测量。结果表明，不同基体温度下沉积的薄膜表面成份不同，但均有严重的碳沾污；Zr、Y、O元素Zr3d，Y3d及Ols的化学位移不同于...
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：248KB 上传时间：2021-04-26

: 论文研究 - 衬底温度对射频磁控溅射制备Au / SiO2纳米复合薄膜结构和光学性能的影响通过磁控管射频（rf）溅射技术在各种沉积条件下生长包含金纳米颗粒的二氧化硅膜。比较了在400℃衬底温度下沉积的复合膜与在室温下沉积的复合膜的结构和光学性质。研究了AuNPs的衬底温度对Au / SiO2纳米复合薄膜...
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