禁带宽度_下载资源_代码源码-CSDN下载

半导体物理习题与答案 1. **禁带宽度计算**：禁带宽度（Eg）是半导体中价带顶部和导带底部之间的能量差，它决定了半导体是否是绝缘体、半导体还是导体。在题目1-1中，通过解方程找到对应的k值，然后用Ec(k)和Ev(k)表达式计算Emin和Emax，...

评级：4 浏览量：1440 收藏量：0 资源大小：320KB 上传时间：2010-03-31

电容一电压法测定纳米硅的禁带宽度 (2005年) 在p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc-si/c-Si异质结二极管，...根据C-V实验曲线，计算出异质结的接触电势差，再用接触电势差计算了导带的偏移量，进而求得禁带宽度。计算结果与其他文献报道的结果符合得很好。

评级：0 浏览量：97 收藏量：0 资源大小：2.61MB 上传时间：2021-04-26

基于单片机的半导体禁带宽度测定.pdf 禁带宽度较大的半导体材料，如碳化硅和金刚石，通常具有良好的热稳定性和高耐压性能，而禁带宽度较小的材料，如硅和锗，则适合于低电压应用。 PN结作为半导体技术中一种基本且重要的结构，在半导体材料的研究和器件...

评级：0 浏览量：74 收藏量：1 资源大小：205KB 上传时间：2021-08-29

纳米半导体合金禁带宽度的尺寸、成分效应.pdf 《纳米半导体合金禁带宽度的尺寸、成分效应》这篇论文深入探讨了纳米尺寸和成分变化对半导体合金禁带宽度的影响，为我们设计和优化高性能纳米半导体材料提供了新的理论基础。半导体材料中的禁带宽度是决定其电子和...

评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：253KB 上传时间：2021-08-29

利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度.pdf 【文章标题】:利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度 【文章摘要】:该文介绍了一种利用硅光电池测量硅单晶半导体材料禁带宽度的方法，通过对不同截止波长滤色片下硅光电池短路电流的测量，结合半导体材料的...

评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：156KB 上传时间：2021-08-29

变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度.pdf 锗是一种常用的半导体元素，它的禁带宽度对于理解和设计基于锗的电子器件至关重要。【禁带宽度】是半导体材料的一个关键参数，它定义了价带和导带之间的能量差距。在室温下，只有当电子有足够的能量跃过禁带才能从...

评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：199KB 上传时间：2021-08-29

电子政务-基于异质结电容-电压法测量应变Ge的禁带宽度的方法.zip 在“电子政务-基于异质结电容-电压法测量应变Ge的禁带宽度的方法”这个主题中，我们探讨的是如何利用先进的科学技术来测定半导体材料——锗（Germanium，Ge）的禁带宽度。禁带宽度是半导体材料的一项关键参数，它...

评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：310KB 上传时间：2021-09-17

Mg掺杂对氧化镓薄膜ε相的稳定性及禁带宽度的改善 Mg掺杂对氧化镓薄膜ε相的稳定性及禁带宽度的改善，毕晓瑜，黄元琪，本文利用激光分子束外延(L-MBE)技术，通过多次循环沉积及高温层间相互扩散的方法，在蓝宝石衬底上制备了一系列不同浓度的Mg掺杂Ga2O3�

评级：0 浏览量：266 收藏量：0 资源大小：778KB 上传时间：2020-02-03

AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料，是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料。经过数十年的研究，目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展。以此为基础，AlGaN基紫外光电...

评级：0 浏览量：402 收藏量：0 资源大小：13.66MB 上传时间：2021-03-01

元器件应用中的发光二极管发光光谱特性及温度特性基础理论在这样的材料中，电子从价带跃迁到导带时会释放出与禁带宽度相应的能量，这个能量以光子的形式释放，即发出光。对于未掺杂的直接带隙半导体，其峰值波长与禁带宽度成反比，这是根据斯特藩-玻尔兹曼定律和普朗克辐射...

评级：0 浏览量：226 收藏量：0 资源大小：38KB 上传时间：2020-11-13

离子束溅射氧化铪薄膜的能带特性氧化铪是高激光损伤阈值薄膜领域内一种重要的高折射率材料，其禁带宽度和Urbach带尾宽度直接影响到薄膜的吸收和激光损伤阈值。针对离子束溅射沉积法制备的氧化铪薄膜，以基板温度、离子束电压、离子束电流和氧气流量...

评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：6.68MB 上传时间：2021-02-04

一维光子晶体的禁带特性 (2009年) 利用传输矩阵法计算并分析了垂直入射下光子晶体的禁带特性．给出一个实际需要的禁带范围设计方法．通过调节两个介质折射率和厚度可控制禁带范围，并探讨了当两种介质的光学厚度均为1/4中心波长时，光子晶体透射谱与...

评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：163KB 上传时间：2021-05-15

【老生谈算法】二维光子晶体禁带的遗传优化算法MATLAB源代码.docx - `Zp`：禁带宽度（初始化为0）。 - `LC1` 和 `LC2`：收敛曲线（初始化为全零向量）。 #### 3. 种群初始化通过生成随机的初始种群来启动遗传算法的过程。每个个体表示一个可能的光子晶体结构，并存储在一个细胞...

评级：5 浏览量：112 收藏量：1 资源大小：79KB 上传时间：2022-07-01

宽禁带氧化锌半导体薄膜的研究进展该材料的禁带宽度为3.36 eV，对应于紫外光区域，这使得氧化锌在紫外光发射器件中展现出巨大的应用潜力。近年来，随着对氧化锌薄膜研究的不断深入，该材料已被广泛认为是下一代光电子器件的理想候选材料之一。 #### ...

评级：0 浏览量：108 收藏量：0 资源大小：3.52MB 上传时间：2021-03-05

宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展.pdf β-Ga2O3的禁带宽度可达4.7 eV，相比于第三代半导体SiC和GaN具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强、更大的Baliga品质因子和更短的吸收截止边。这使得β-Ga2O3成为高压、大功率、低损耗功率器件和深紫外光电子器件的...

评级：0 浏览量：136 收藏量：0 资源大小：19.2MB 上传时间：2021-08-29

宽禁带半导体光电材料及其应用研究.docx 宽禁带半导体材料是指禁带宽度大于 2.2 eV 的半导体材料，这类材料具有独特的电子结构、丰富的微纳结构、低温可控制备、可柔性透明化、化学稳定性好、物丰价廉等特点。近年来，宽禁带半导体材料在信息技术和环境技术...

评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：777KB 上传时间：2023-02-23

TETM1D.zip_TETM1D_solaryfp_一维光子晶体_一维禁带_光子晶体禁带程序还允许用户设定各层介质的厚度，这直接影响了光子晶体的周期性和禁带宽度。此外，用户可以设置感兴趣的波长范围，以求解在该范围内光子晶体的能带结构和禁带。 MATLAB程序"TETM1D.m"通常会采用传输矩阵法...

评级：5 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：2KB 上传时间：2022-07-14

导带、价带、禁带[参照].doc 半导体的禁带宽度较小，当温度升高时，电子可以被激发传到导带，从而使材料具有导电性。在半导体中，导带和价带是相关的，导带中的电子是由价带中的电子跃迁上来而形成的。这是一个本征激发的过程，在该过程中，...

评级：0 浏览量：718 收藏量：0 资源大小：23KB 上传时间：2021-10-24

AlGaN日盲型光电探测器的光谱响应测试通过改变组份，AlGaN的禁带宽度可从3.4 eV(GaN) -6.2 eV(AlN),其截止波长可从365 nm(GaN)~200 nm(AlN)。与传统的硅探测器相比，AlGaN探测器具有日盲、紫外区高量子效率、低暗电流/低噪声等优点；与SiC相比，AlGaN...

评级：0 浏览量：183 收藏量：0 资源大小：997KB 上传时间：2021-02-25

超宽禁带半导体材料的机遇与挑战.pdf 首先，禁带宽度是决定半导体材料性质的关键参数，它定义了电子从价带跃迁到导带所需的最小能量。禁带宽度越宽，材料的导电性越差，趋向于绝缘体，反之则更接近金属。超宽禁带半导体的禁带宽度大于3.4eV，远高于传统...

评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：1.77MB 上传时间：2021-08-29

宽禁带半导体材料技术.pdf 这些材料因其特殊的物理特性，如宽的禁带宽度、高的击穿电场和优良的热导率，被广泛应用于制作高性能、高耐受性的电子器件。 1. **宽禁带半导体的特点：** - **宽禁带**：宽禁带意味着材料的电子不易激发到导带，...

评级：5 浏览量：129 收藏量：0 资源大小：523KB 上传时间：2021-08-29

ZnO/GaN异质结发光二极管的研究进展 ZnO是一种具有六方纤锌矿结构的直接带隙半导体材料，其禁带宽度为3.37电子伏特(eV)，室温下的激子束缚能高达60毫电子伏特(meV)，这些特性使它非常适合于短波长发光及探测器件的制作。ZnO在固态照明和短波长半导体...

评级：0 浏览量：162 收藏量：0 资源大小：841KB 上传时间：2020-02-16

基于扇面散射元的光子晶体禁带研究 (2013年) 特别关注了横向电场（Transverse Electric, TE）模式和横向磁场（Transverse Magnetic, TM）模式下的绝对禁带宽度和相对禁带宽度的变化情况。 #### 四、实验结果与分析 1. **介质柱型光子晶体** - 在TE模式和TM...

评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：700KB 上传时间：2021-04-27

Band structures for Ge3N4 polymorphs studied by DFT-LDA and GW methods 基于DFT-LDA和GW方法的Ge3N4多型体能带结构计算，高尚鹏，蔡冠华，基于密度泛函理论计算了Ge3N4多型体的能带结构，计算中对交换关联势采用局域密度近似。为了准确预测禁带宽度，采用GW方法对布里渊�

评级：0 浏览量：107 收藏量：1 资源大小：534KB 上传时间：2020-02-23

宽禁带功率半导体器件技术.pdf 【宽禁带功率半导体器件技术】是指以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，这些材料具有宽的禁带宽度、高的饱和漂移速度和高临界击穿电场等特性。这些优势使得它们在大功率、高温、高频以及抗辐射...

评级：0 浏览量：107 收藏量：1 资源大小：468KB 上传时间：2021-08-29

一维光子晶体的禁带控制切比雪夫多项式作为一种数学工具，可以用于在特定区间内构造近似函数，这里的应用可能涉及通过切比雪夫多项式的特性来分析或优化光子晶体中禁带宽度的分布。最后，论文指出了一维光子晶体禁带消失的条件和机理，并...

评级：0 浏览量：154 收藏量：0 资源大小：343KB 上传时间：2019-12-29

介质折射率对一维光子晶体禁带的影响 (2010年) 本文探讨了介质折射率对一维光子晶体禁带宽度的影响。光子晶体是一种人工设计的介电材料，其介电常数呈现出周期性的变化特征。这种特殊的结构使得光子晶体具有独特的光子带隙效应：即某些频率范围内的电磁波无法在...

评级：0 浏览量：113 收藏量：0 资源大小：210KB 上传时间：2021-04-27

介质层厚度对一维光子晶体禁带的影响 1. 禁带宽度的调节：通过改变介质层的厚度，可以调节一维光子晶体的禁带宽度。当介质层的厚度增加时，光子晶体的周期增大，这会导致禁带向更长的波长方向移动。也就是说，较长的介质层厚度会产生较宽的禁带。 2. ...

评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：476KB 上传时间：2021-03-18

FDTD.zip_FDTD 方法计算光子晶体_fdtd_光子晶体_光子晶体禁带_晶体通过改变光子晶体的结构参数（如周期、形状和尺寸），可以分析不同结构下的禁带宽度、位置以及对入射光的响应。FDTD的优势在于它能够处理非均匀结构和复杂形状，因此非常适合用来模拟具有不同几何形状的光子晶体，如...

评级：5 浏览量：182 收藏量：2 资源大小：5KB 上传时间：2022-09-21

CHF3处理MoS2 / HfZrO4异质结构能带的研究在电子器件领域，能带工程是一项至关重要的技术，它直接影响着半导体材料的性能和器件的效率。本研究论文"CHF3处理MoS2 / HfZrO4异质结构能带的研究"深入探讨了如何通过CHF3等离子体处理来调整MoS2（多层，5纳米）/ ...

评级：0 浏览量：112 收藏量：0 资源大小：1.25MB 上传时间：2021-03-14

Channel characterization in high-speed railway station environments at 1.89 GHz 在高速铁路（HSR）通信系统的研究与发展中，信道特性是至关重要的基础。这篇研究论文，"Channel characterization in high-speed railway station environments at 1.89 GHz"着重探讨了1.89 GHz频率下高速火车站环境...

评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：896KB 上传时间：2021-02-07

新一代宽禁带半导体紫外光电探测器.pdf 它们具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于工作于紫外波段的光探测器件，具有显著的材料性能优势。二、III族氮化物和碳化硅紫外探测器 III族氮化物和碳化硅是近年来国内外...

评级：0 浏览量：118 收藏量：0 资源大小：169KB 上传时间：2021-08-29

论文研究-基于宽禁带半导体GaN的高温电子器件建模 .pdf 禁带宽度是半导体材料的导带与价带之间的能隙宽度，与材料的电学性质密切相关。通常情况下，禁带宽度大于3电子伏特(eV)的半导体被归类为宽禁带半导体。例如，氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)等都属于宽禁带...

评级：0 浏览量：225 收藏量：1 资源大小：626KB 上传时间：2019-08-15

宽禁带半导体日盲紫外探测器研究进展.pdf 这些材料具有较高的禁带宽度，使得它们在紫外光谱的短波段具有良好的响应性。目前，研究中广泛使用的宽禁带半导体材料主要包括AlGaN（铝镓氮）和MgZnO（镁锌氧化物）。 AlGaN是一种III-V族化合物半导体，其禁带宽度...

评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：321KB 上传时间：2021-08-29

AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件.pdf 宽禁带半导体是指禁带宽度大于2电子伏特（eV）的半导体材料，相比于传统的硅和锗等半导体，它们具有更高的工作温度、更强的抗辐射能力和更好的耐化学腐蚀性。AlGaN材料的禁带宽度可以根据铝的含量进行调控，从而在...

评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：13.66MB 上传时间：2021-08-29

宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状.pdf SiC的禁带宽度大于2.3eV，且4H-SiC因其3.2eV的禁带宽度在功率微电子器件中得到广泛应用。其制备工艺中，热氧化工艺是关键步骤，它能形成高质量的SiO2层，对于制造性能优异的金属氧化物半导体(MOS)晶体管至关重要。...

评级：0 浏览量：133 收藏量：0 资源大小：2.69MB 上传时间：2021-08-29

超宽禁带半导体材料——氮化铝单晶.pdf 氮化铝（AlN）是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到6.2电子伏特（eV），这使得它在高功率、高频电子器件和光学应用中具有极大的潜力。氮化铝的特性包括高击穿电场、高电子迁移率、出色的化学稳定性和热稳定性，...

评级：5 浏览量：95 收藏量：0 资源大小：894KB 上传时间：2021-08-29

窄禁带半导体的非线性极化率和光学双稳性窄禁带半导体是指其导带和价带之间的能量差（即禁带宽度）较小的半导体材料。这种半导体的电子在较低的能量激励下就可以从价带跃迁到导带，因此对光的响应非常敏感。非线性极化率是指在外部电磁场作用下，材料的极...

评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：3.8MB 上传时间：2021-02-09

超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶生长突破2英寸.pdf 由于其禁带宽度达到4.8-4.9eV，紫外透明度高且具有高达8MV/cm的高强度电场，β-Ga2O3在高频、大功率电子器件以及深紫外光电子器件等方面的应用前景巨大。然而，随着对β-Ga2O3单晶尺寸和质量要求的不断提高，其生长...

评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：606KB 上传时间：2021-08-29

基于宽禁带氮化物的微腔光频梳进展.docx AlN的禁带宽度为6.2 eV，GaN在729 nm到6 μm范围内有低吸收，这使得它们在多波长操作中具有优势。此外，这两种材料具有二阶和三阶非线性光学系数，有利于电调谐光频梳，并且其较高的非线性系数（n2）降低了光梳产生...

评级：0 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：309KB 上传时间：2022-12-15

多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展 (2011年) 随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能...

评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：691KB 上传时间：2021-05-12

高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器.pdf 宽禁带半导体材料，如碳化硅（SiC）和Ⅲ族氮化物（如GaN、AlN等），因其特殊的物理性质，如大的禁带宽度、良好的导热性能、高的电子饱和漂移速度和优异的化学稳定性，被广泛用于紫外光探测领域。描述中的“以...

评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：1.8MB 上传时间：2021-08-29

基于铜币形散射元的复式晶胞二维光子晶体的禁带特性研究研究首先对铜币形正方晶格二维光子晶体进行了研究，考察了外圆半径r、方孔边长w和方孔旋转角度θ对方形晶格光子晶体的归一化完全禁带宽度的影响。在此基础上，进一步引入包含铜币形介质柱和介质网格的复式晶胞结构，...

评级：0 浏览量：149 收藏量：1 资源大小：729KB 上传时间：2020-02-23

加强宽禁带半导体材料的研发与应用.pdf 这些材料因其宽禁带宽度（大于2.3eV）特性，拥有高效的光电转换能力、优良的高频功率特性、高温稳定性和低能量损耗，对于提升设备性能和效率至关重要。自20世纪50年代中期以来，SiC晶体生长技术不断发展，美国Cree...

评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：1.01MB 上传时间：2021-08-29

Characterization of HIV-1 Variants Resistant to an Electronically Constrained Peptide Fusion ... Characterization of HIV-1 Variants Resistant to an Electronically Constrained Peptide Fusion Inhibitor，Xiyuan Wu，，Emergence of drug resistant HIV-1 mutants is a serious problem for AIDS treatment....

评级：0 浏览量：118 收藏量：0 资源大小：932KB 上传时间：2019-12-27

宽禁带半导体AlN晶体发展现状及展望.pdf AlN晶体作为宽禁带半导体的一员，拥有禁带宽度大（6.2eV）、高热导率（285W/(m·K)）、高击穿场强（12～18MV/cm）以及良好的化学稳定性和热稳定性。这些特性使其在高频大功率、耐高温、抗辐射的半导体微电子器件和...

评级：0 浏览量：98 收藏量：0 资源大小：1.46MB 上传时间：2021-08-29

锰基锂正极半导体材料禁带特性研究.pdf 测试结果显示了三种材料的紫外可见光吸收系数分别为0.830，0.839和0.857，以及相对应的禁带宽度为0.989 eV、0.966 eV和0.922 eV。禁带宽度作为材料导电性质的重要参数，直接关系到电子在价带和导带之间跃迁的能力，...

评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：281KB 上传时间：2021-08-29

基于光致发光谱的窄禁带半导体材料能级研究.pdf 例如，禁带宽度决定了材料吸收和发射光子的能力，直接影响红外探测器的响应波长和效率。本研究中，研究人员利用红外调制PL光谱对多种窄禁带半导体材料进行了检测。通过对光谱进行线性拟合，他们能够识别并分析不同...

评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：1.59MB 上传时间：2021-08-29

宽禁带半导体低维纳米结构力敏效应的研究.pdf 【宽禁带半导体】是指禁带宽度大于或等于3.2 eV的半导体材料，例如金刚石、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）和氮化铝（AlN）。这些材料因其更宽的禁带、更高的击穿电场、更好的热导率和电子饱和速率以及...

评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：966KB 上传时间：2021-08-29

B^ 注入隔离在宽禁带半导体中的应用.pdf 此外，论文还详细分析了宽禁带半导体的特性，例如其宽禁带宽度和高雪崩击穿场强等。这些特性使得宽禁带半导体器件在高温、高压及高频的应用中表现出色。同时，B离子注入隔离技术的应用不仅仅局限于提升电气隔离性能...

评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：285KB 上传时间：2021-08-29