AlGaN

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AlGaN

: 利用AlGaN薄膜透射谱提取材料参数的研究为了研究多层结构高铝组分AlGaN薄膜材料的光学性能,并计算得到相关光学参数,本文基于多层膜传输矩阵方法,对两个样品的透射光谱进行了拟合。根据AlGaN材料对不同波长入射光的吸收机制,并考虑了材料在带外的弱吸收,...
评级：0 浏览量：126 收藏量：0 资源大小：5.37MB 上传时间：2021-03-01

: AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料，是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料。经过数十年的研究，目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展。以此为基础，AlGaN基紫外光电...
评级：0 浏览量：351 收藏量：0 资源大小：13.66MB 上传时间：2021-03-01

: AlGaN GaN HEMT-silvaco代码关于AlGaN GaN HEMT器件的silvaco仿真代码
评级：5 浏览量：3909 收藏量：23 资源大小：3KB 上传时间：2021-12-30

: AlGaN基深紫外发光二极管研究进展深紫外光源在杀菌消毒、生化检测、紫外固化、紫外通信等方面具有巨大的应用前景，基于AlGaN半导体的深紫外发光二极管(LED)因具有无毒、体积小、能耗低、寿命长、波长可调等优势，得到了广泛的关注和研究。...
评级：0 浏览量：131 收藏量：1 资源大小：16.73MB 上传时间：2021-02-23

: 新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs器件耐压分析本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程，针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理，提出了一种降低表面电场，提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构。...
评级：0 浏览量：131 收藏量：0 资源大小：1.52MB 上传时间：2021-03-11

: AlGaN/GaN pressure sensor with a Wheatstone bridge structure AlGaN/GaN pressure sensor with a Wheatstone bridge structure
评级：0 浏览量：91 收藏量：0 资源大小：2.12MB 上传时间：2021-02-08

: 高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压...
评级：0 浏览量：192 收藏量：0 资源大小：619KB 上传时间：2021-02-22

: 使用无意掺杂的AlN / GaN超晶格作为势垒层的AlGaN / GaN异质结构的生长和表征通过金属有机气相沉积（MOCVD）在C面蓝宝石上生长使用无意掺杂的AlN / GaN超晶格（SLs）作为阻挡层的AlGaN / GaN异质结构。与传统的硅掺杂结构相比，电性能得到改善。平均薄层电阻为287.1Ω/ sq; 整个2英寸外延层...
评级：0 浏览量：151 收藏量：0 资源大小：1.06MB 上传时间：2021-04-23

: 相邻AlGaN / GaN异质结构中阶梯状各向异性电子散射的理论研究通过许多实验发现，邻近的AlGaN / GaN异质结构中的电子迁移率是高度各向异性的，这被认为是由邻近的异质界面处的台阶引起的。但是，由于很难找到所有方向上的电子弛豫时间的通用表达式，因此对这种实验结果没有理论...
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：1.06MB 上传时间：2021-03-04

: 具有p-AlGaN / InGaN超晶格末量子势垒的GaN基发光二极管的优势数值研究了具有应变补偿的p-AlGaN / InGaN超晶格（SL）和最后量子势垒（LQB）的GaN基发光二极管（LED）的优势。仿真结果表明，通过用p-AlGaN / InGaN SL代替常规u-GaN和p-GaN的最后一个势垒，可以显着提高输出功率...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：961KB 上传时间：2021-03-17

: 显示/光电技术中的AlGaN紫外光电导探测器的研究关键词：AlGaN；光电导探测器；紫外光；PPC 近年来，GaN及其合金成为人们重点研究的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、导热性能好、电子漂移饱和速度高以及化学稳定性高等优点，对于抗辐射、耐高温的高频大...
评级：0 浏览量：117 收藏量：0 资源大小：33KB 上传时间：2020-12-13

: 具有Al纳米颗粒的基于AlGaN的日盲紫外光探测器的光谱响应增强在使用20-60 nm的铝（Al）纳米颗粒（NPs）的基于AlGaN的日盲紫外（SB-UV）检测器中实现了增强的光谱响应。具有60 nm Al NPs的检测器（约288 nm）的峰值响应率是在5-V偏压下达到0.288 A / W时，没有Al NPs的检测器的...
评级：0 浏览量：51 收藏量：1 资源大小：2MB 上传时间：2021-03-18

: 论文研究-A method for the solution of the electrostatic properties of metal-(n)AlGaN-GaN two ... 金属-(n)AlGaN-GaN二维电子气的静电性质的一种求解方法，张金风，郝跃，为了研究AlGaN-GaN二维电子气的静电性质，我们提出了一种简单而有效的方法能够同时确定费米能级高度和求解二维电子气以及导带底的分
评级：0 浏览量：100 收藏量：0 资源大小：207KB 上传时间：2019-08-14

: AlGaN日盲型光电探测器的光谱响应测试 AlGaN具有宽的直接禁带，非常适合于制作紫外探测器。通过改变组份，AlGaN的禁带宽度可从3.4 eV(GaN) -6.2 eV(AlN),其截止波长可从365 nm(GaN)~200 nm(AlN)。与传统的硅探测器相比，AlGaN探测器具有日盲、紫外区高...
评级：0 浏览量：158 收藏量：0 资源大小：997KB 上传时间：2021-02-25

: AlGaN /GaN HEMT 在N2 中高温退火研究 (2006年) 通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200～600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化。对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最...
评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：431KB 上传时间：2021-05-08

: GaN / AlGaN耦合量子点中的电子和杂质态：电场和静水压力的影响在有效质量近似的基础上，考虑到电场的综合影响，对位于共混锌（ZB）GaN / AlGaN对称耦合量子点（SCQD）表面的杂质的基态施主结合能进行了变化研究右边（沿着生长方向）和静水压力。数值结果表明，如果中间势垒宽度...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：319KB 上传时间：2021-02-23

: 三甲基铝流量的不同函数生长的成分梯度AlGaN缓冲层对Si（111）衬底上GaN性能的影响在本文中，采用成分渐变的AlGaN缓冲层来补偿拉伸应力并改善在硅衬底上生长的GaN的晶体质量。在梯度缓冲层的生长过程中，三甲基铝（TMAl）的流量根据一系列函数逐渐降低，而三甲基镓（TMGa）的流量以相同的线性函数...
评级：0 浏览量：110 收藏量：0 资源大小：1.12MB 上传时间：2021-03-28

: 静水压力对GaN / AlGaN非对称耦合量子阱中施主杂质态的影响基于有效质量近似，考虑静水压力效应，对锌共混物（ZB）GaN / AlGaN非对称耦合量子阱（QWs）中的基态供体结合能进行了变异研究。数值结果表明，供体结合能高度依赖于杂质位置，非对称耦合的量子阱结构参数和静水...
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：301KB 上传时间：2021-02-23

: 掺锌GaN / AlGaN量子阱中的施主杂质态：量子限制和激光修整效应在有效质量近似的框架内，已对变化的激光场对共混锌（ZB）GaN / AlGaN量子阱（QW）中基态供体结合能的影响进行了研究。数值结果表明，在ZB GaN / AlGaN QW中，施主结合能高度依赖于QW结构参数和Al组成。激光场效应...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：397KB 上传时间：2021-04-05

: 蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制 (2004年) 基于蓝宝石衬底的高微波特性AlGaN /GaN HEMTs功率器件，器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明，器件电流密度0.784A/mm，跨导197mS/mm，关态击穿电压>80V，截止态漏电很小，栅宽1mm的器件的单位截止频率...
评级：0 浏览量：122 收藏量：0 资源大小：336KB 上传时间：2021-05-09

: AlGaN纳米线的化学气相沉积制备及表征 AlGaN纳米线的化学气相沉积制备及表征
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：4.68MB 上传时间：2021-04-25

: 高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料 (2012年) 采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在c面蓝宝石衬底上，引入脉冲原子层外延技术，制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片．并采用电子束金属蒸镀技术及优化热退火方法，获得了良好的欧姆接触...
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：318KB 上传时间：2021-06-14

: AlGaN量子结构及其紫外光源应用 AlGaN量子结构是实现高光效、高稳定紫外固态光源的核心。近年来，AlGaN半导体材料及其紫外光源应用研究取得了较大的进展。然而，AlGaN材料的生长制备只能在非平衡条件下完成，涉及的生长动力学问题十分复杂，制约了...
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：4.57MB 上传时间：2021-02-22

: 金属-半导体-金属结构AlGaN/GaN异质结紫外探测器技术及特性制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器，探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I-V特性。此探测器具有两个光谱响应范围，光谱响应的峰值响应率分别为288 nm处0.717 ...
评级：0 浏览量：120 收藏量：0 资源大小：1.25MB 上传时间：2021-02-05

: AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模 (2011年) 通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变。与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的...
评级：0 浏览量：191 收藏量：0 资源大小：580KB 上传时间：2021-05-22

: 通过使用交错的AlGaN电子阻挡层来改善InGaN发光二极管的特性详细研究了具有交错AlGaN电子阻挡层（EBL）特定设计的InGaN发光二极管（LED）的光学和物理特性。模拟了静电场分布，能带，载流子浓度，电致发光（EL）强度，内部量子效率（IQE）和输出功率。结果表明，与常规LED的...
评级：0 浏览量：67 收藏量：1 资源大小：265KB 上传时间：2021-03-02

: 论文研究-AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素 .pdf AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素，刘艳，林兆军，本文通过室温下测试得到的AlGaN/AlN/GaN HFETs的电流电压特性和电容电压特性，同时结合薛定谔方程与泊松方程自洽求解，研究了极化库仑�
评级：0 浏览量：135 收藏量：0 资源大小：536KB 上传时间：2019-08-16

: 通过沉积额外的热失配介电层向AlGaN / GaN异质结构中的AlGaN势垒施加压缩预应力的方法通过沉积额外的热失配介电层向AlGaN / GaN异质结构中的AlGaN势垒施加压缩预应力的方法
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：495KB 上传时间：2021-04-09

: 使用大晶格失配感应应力控制技术在Si衬底上生长的高迁移率AlGaN / GaN异质结构具有低Al含量的AlGaN层的大晶格失配引起的应力控制技术具有用于生长4英寸高品质GaN层。硅衬底。这项技术的使用允许电子迁移率为2040 cm2 /（Vs）的高迁移率AlGaN / GaN异质结构电荷密度为8.41012cm2。应变松弛和...
评级：0 浏览量：154 收藏量：0 资源大小：1.08MB 上传时间：2021-03-07

: 新型RESURF AlGaN / GaN HEMT的击穿电压分析新型RESURF AlGaN / GaN HEMT的击穿电压分析
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: MBE生长的AlGaN / AlN量子阱结构在260 nm处发出深紫外光 MBE生长的AlGaN / AlN量子阱结构在260 nm处发出深紫外光
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: 新型带梯度渐变肖特基欧姆阴极的AlGaN / GaN混合阳极电流调节二极管（CRD）新型带梯度渐变肖特基欧姆阴极的AlGaN / GaN混合阳极电流调节二极管（CRD）
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: Deep ultraviolet light-emitting diodes based on well-ordered AlGaN nanorod array In this paper, we first report the electrically injected 274-nm AlGaN nanorod array DUV LEDs fabricated by the nanosphere lithography and dry-etching technique. Nanorod DUV LED devices with good ...
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: High quality Si doped Al0.49Ga0.51N grown on AlN/AlGaN superlattice with MOCVD 基于AlN/AlGaN超晶格结构高质量Si掺杂Al0.49Ga0.51N的MOCVD生长，李洋，陈圣昌，在本论文中，通过采用一套20周期的AlN/Al0.4Ga0.6N超晶格插入层制备了高质量的Si掺杂Al0.49Ga0.51N，厚度达到1.5μm。（0002）面X射线...
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: 带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析
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