HEMT

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HEMT

: AlGaN GaN HEMT-silvaco代码关于AlGaN GaN HEMT器件的silvaco仿真代码
评级：5 浏览量：3896 收藏量：23 资源大小：3KB 上传时间：2021-12-30

: 确定HEMT寄生电容的新方法本文提出了一种新的直接提取方法，用于确定HEMT的寄生电容。该方法基于物理意义上的耗尽层模型和夹断式冷FET的两端口网络的理论分析。这种方法的主要优点是可以在不同的夹断条件下提取寄生电容C-pg，C-pd和C-pdg。...
评级：0 浏览量：172 收藏量：0 资源大小：159KB 上传时间：2021-04-03

: 栅漏距离对AlGaN / GaN HEMT的高频和噪声性能的影响本文研究了栅漏距离对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的高频和噪声性能的影响。采用0.25 m栅长Craft.io制造了具有三种不同的栅漏分离结构的AlGaN / GaN HEMT，并对它们的器件性能进行了详细的比较研究。 ...
评级：0 浏览量：246 收藏量：1 资源大小：57KB 上传时间：2021-03-26

: InAlN / GaN HEMT中的肖特基接触技术可改善击穿电压在本文中，我们证明了通过使用新的肖特基接触技术，晶格匹配的In0.17Al0.83N / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的截止状态击穿电压（BV）改善了253％。基于此概念，提出了肖特基源/漏和肖特基源（SS）InAlN / GaN ...
评级：0 浏览量：304 收藏量：0 资源大小：992KB 上传时间：2021-03-04

: 内部匹配的GaN HEMT器件，在8 GHz时具有45.2W的功率，用于X波段应用具有高迁移率GaN沟道层结构的优化AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在2英寸上生长。 MOCVD法制备直径为6H-SiC的半绝缘基板。 2英寸直径GaN HEMT晶片的平均薄层电阻低至261.9Ω/平方，电阻不均匀性低至...
评级：0 浏览量：196 收藏量：1 资源大小：592KB 上传时间：2021-02-23

: Infineon-GaN 增强型 HEMT 在无线功率传输中的优势-综合文档 Infineon-GaN 增强型 HEMT 在无线功率传输中的优势
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：1.34MB 上传时间：2021-05-24

: GaN HEMT器件小信号模型参数的灵敏度分析本文推导了Ga N HEMT小信号等效电路模型中本征参数对测量S参数的灵敏度表达式。并对栅宽为2×100μm、栅长为0.25-μm的Ga N高电子迁移率晶体管进行了小信号建模和灵敏度分析。同时,利用ADS仿真工具对模型进行了仿真...
评级：0 浏览量：260 收藏量：0 资源大小：1.05MB 上传时间：2021-05-10

: AlGaN / GaN HEMT的改进DC模型本文提出了一种改进的GaN高电子迁移率晶体管HEMT的DC IV特性的经验模型。改进之处在于允许Curtice模型参数随栅极-源极电压而变化。模型参数提取是针对100微米栅宽的GaN HEMT。在建模结果和测量结果之间获得了很好...
评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：124KB 上传时间：2021-03-17

: Ka波段AIGaN／GaN HEMT栅结构仿真研究* (2009年) 为了研究适合Ka波段AIGaN／GaN HEMT的栅结构尺寸，借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas，在完善仿真模型的基础上研究了Γ型栅各部分对AlGaN／GaN HEMT特性的影响，包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道...
评级：0 浏览量：298 收藏量：2 资源大小：331KB 上传时间：2021-05-10

: 具有增强的击穿和接近零的击穿电压温度系数的AlGaN / GaN HEMT 实验验证了具有新型源极连接的空气桥场板（AFP）的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件具有一个金属场板，该金属场板从源极跳到栅极区域上方，并降落在栅极和漏极之间。当与具有常规场板（CFP）结构的...
评级：0 浏览量：397 收藏量：0 资源大小：1.17MB 上传时间：2021-05-12

: 用改进的差分进化算法提取HEMT小信号模型的参数高电子迁移率晶体管(HEMT)以其噪声低和频带宽等特点在微波毫米波领域得到了广泛的应用,本文在传统优化方法的基础上,对差分进化算法进行了改进,并基于该算法对HEMT小信号等效电路模型进行了模型参数提取。实验结果...
评级：0 浏览量：97 收藏量：0 资源大小：802KB 上传时间：2021-03-26

: 基于动态负载线GaN HEMT模型的谐波调谐功放设计基于动态负载线GaN HEMT大信号模型和负载牵引技术设计并制作了一款工作在2 GHz的高效率谐波调谐功放。在晶体管寄生参数和封装参数未知的情况下，通过负载牵引技术初步确定满足性能要求的最佳基波和谐波阻抗值，并...
评级：0 浏览量：160 收藏量：1 资源大小：685KB 上传时间：2020-10-16

: 基于GaN HEMT的S波段的功率放大器设计该放大器基于南京电子器件研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在10%的相对带宽、漏源电压28 V、连续波的工作条件下,实现了输出峰值功率Pout大于30 W,功率附加效率PAE大于48%,充分显示了GaN功率...
评级：0 浏览量：205 收藏量：1 资源大小：289KB 上传时间：2020-10-15

: GaN_HEMT器件的模型分析及振荡抑制研究_陈健.caj GaN_HEMT器件的模型分析及振荡抑制研究_陈健.caj
评级：0 浏览量：23 收藏量：0 资源大小：4.95MB 上传时间：2022-11-28

: GaN HEMT重要参数测试实验课程设计该资源是一份GaN HEMT重要参数测试实验课程设计，主要介绍了GaN HEMT器件的测试方法、测试参数以及测试仪器的使用方法。通过该课程设计，用户将学习到GaN HEMT器件的关键参数测试技术，了解GaN HEMT器件的特点、优势...
评级：0 浏览量：136 收藏量：1 资源大小：699KB 上传时间：2023-04-11

: GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究 (2006年) 研究了Ti/AI/Ni/Au多层金属与GaNHEMT结构外延片的欧姆接触，发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关。在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s，获得了ρc为6.94x10-7Ω?cm2的比接触电阻。光学显微镜观察表明，在这...
评级：0 浏览量：110 收藏量：0 资源大小：2.97MB 上传时间：2021-05-25

: InAlAs InGaAs HEMT 跨阻前置放大器的设计与实现 (2002年) 提出了基于耗尽型InAlAs InGaAs HEMT 器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路，并给出了设计方法与实验结果。该前置放大器采用单电源供电，单端输入，双端差动输出，由两级源级跟随器，一级输出级以及一...
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：315KB 上传时间：2021-05-25

: 界面状态对常关AlGaN / GaN MIS-HEMT开关行为的影响界面状态对常关AlGaN / GaN MIS-HEMT开关行为的影响
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：207KB 上传时间：2021-03-04

: 毫米波HEMT的半解析小信号参数提取方法提出了一种在不同偏压条件下的高电子迁移率晶体管的半解析小信号参数提取方法。基于测试结构确定焊盘电容和寄生电感，在小信号模型中使用半分析方法提取寄生电阻并提高寄生电阻的精度。在多偏置条件下，在高达40 ...
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：94KB 上传时间：2021-03-26

: 基于人工神经网络的HEMT器件参数提取方法研究研究了利用人工神经网络对不同频带、栅宽的砷化镓高电子迁移率晶体管进行散射参数和噪声参数提取，基于两个神经网络分别对两组散射参数和噪声参数进行训练学习，比较不同隐含层和神经元数目得出平均相对误差和均方...
评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：560KB 上传时间：2020-10-15

: High_efficiency_Class-E_tuned_Doherty_amplifier_using_GaN_HEMT.pdf Doherty power amplifier using gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) for S-band radar applications. Measured results of the Doherty amplifier show power-added efficiency (PAE...
评级：0 浏览量：131 收藏量：0 资源大小：1.13MB 上传时间：2020-06-05

: 用于GaN HEMT器件的基于表面势的紧凑型IV模型用于GaN HEMT器件的基于表面势的紧凑型IV模型
评级：0 浏览量：139 收藏量：0 资源大小：1.15MB 上传时间：2021-03-30

: 第三代半导体GaN HEMT基本结构与关键参数介绍本资源介绍第三代半导体材料之一的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的基本结构和关键参数。涵盖了GaN HEMT的工作原理、材料特性、结构组成和电气参数等方面的内容，以及该器件在功率电子、射频微波和光电子...
评级：0 浏览量：394 收藏量：4 资源大小：448KB 上传时间：2023-04-11

: LPCVD和PECVD-SiNx钝化的AlGaN / GaN HEMT的比较研究 LPCVD和PECVD-SiNx钝化的AlGaN / GaN HEMT的比较研究
评级：0 浏览量：151 收藏量：0 资源大小：680KB 上传时间：2021-03-14

: N等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应的影响 N等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应的影响
评级：0 浏览量：103 收藏量：0 资源大小：887KB 上传时间：2021-03-04

: 用LPCVD-SiNx钝化和高温栅极凹槽制造的常关硅上GaN MIS-HEMT 用LPCVD-SiNx钝化和高温栅极凹槽制造的常关硅上GaN MIS-HEMT
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：4.34MB 上传时间：2021-05-10

: 肖特基源技术实现的高击穿电压InAlN / AlN / GaN HEMT 肖特基源技术实现的高击穿电压InAlN / AlN / GaN HEMT
评级：0 浏览量：96 收藏量：0 资源大小：1.34MB 上传时间：2021-03-04

: 基于GaN Hemt同步整流Buck变换器研究分析了基于氮化镓 gan高电子迁移率晶体管 HEMT 同步整流 buck变换器的各部分损耗，主要损耗的计算公式。针对 GAN同步整流管的反向导通特性，分析了死区时间形成...
评级：0 浏览量：193 收藏量：0 资源大小：740KB 上传时间：2019-03-22

: 通过MOCVD在硅衬底上的变质AlInAs / GaInAs HEMT 对于通过MOCVD在硅上生长的1.0微米m栅长的HEMT，该器件具有最高的f（T）。而且，该性能可与类似的基于GaAs的mHEMT媲美。这些令人鼓舞的初步结果导致了通过MOCVD在硅基板上进行逻辑应用的集成高速变质器件的制造...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：694KB 上传时间：2021-03-04

: 5x4”多晶片生产MOCVD系统在4” Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT具有良好的重复性 5x4”多晶片生产MOCVD系统在4” Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT具有良好的重复性
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：571KB 上传时间：2021-04-26

: 具有漏场板和浮置场板的肖特基漏极AlGaN / GaN HEMT的反向阻挡特性和机理具有漏场板和浮置场板的肖特基漏极AlGaN / GaN HEMT的反向阻挡特性和机理
评级：0 浏览量：95 收藏量：1 资源大小：128KB 上传时间：2021-03-08

: InP_HEMT的发展现状及其应用从结构和性能两个方面阐述了 InP -H EMT 的发展现状, 并对其应用进行了简单描述。
评级：0 浏览量：108 收藏量：1 资源大小：246KB 上传时间：2011-10-29

: 无意掺杂的GaN缓冲层中的陷阱能级对优化的p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的影响无意掺杂的GaN缓冲层中的陷阱能级对优化的p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的影响
评级：0 浏览量：175 收藏量：0 资源大小：1.25MB 上传时间：2021-03-15

: 带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析
评级：0 浏览量：130 收藏量：0 资源大小：513KB 上传时间：2021-03-15

: 用于GaN HEMT的80 nm非对称T形栅极的纳米加工本文解决了基于AlGaN / GaN的高电子迁移率晶体管中经常出现的电流崩溃问题，该问题是由栅极边缘周围器件表面上的峰值电场引起的，当栅极... 希望将这种栅极应用到基于GaN的HEMT上，以实现用于高频工作的高击穿电压。
评级：0 浏览量：99 收藏量：0 资源大小：514KB 上传时间：2021-03-08

: A scalable EE_HEMT based large signal model for multi-finger AlGaN_GaN HEMTs …… A scalable EE_HEMT based large signal model for multi-finger AlGaN_GaN HEMTs ……
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：255KB 上传时间：2021-06-30

: 元器件应用中的Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三极管 Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。...
评级：0 浏览量：124 收藏量：0 资源大小：32KB 上传时间：2020-11-21

: HEMT材料的电子辐射效应 (1995年) 8MeV,注量为1013-1017/cm2的电子,对HEMT(高电子迁移率晶体管)材料进行辐照,得到了材料结构中的2维电子气(2DEG)的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系,并进行了讨论．还将该结果与电子辐照P-HEMT和LT-HEMT材料...
评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：274KB 上传时间：2021-06-05

: HEMT(高电子迁移率晶体管)介绍高电子迁移率晶体管的基础知识，帮助化合物半导体的初学者了解这种新型的器件。
评级：0 浏览量：1089 收藏量：4 资源大小：39KB 上传时间：2009-08-12

: GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）matlab建模.zip 1.版本：matlab2014/2019a/2021a，内含运行结果，不会运行可私信 2.附赠案例数据可直接运行matlab程序。 3.代码特点：参数化编程、参数可方便更改、代码编程思路清晰、注释明细。 4.适用对象：计算机，电子...
评级：0 浏览量：10 收藏量：0 资源大小：11KB 上传时间：2024-01-23

: 滤波器增强的高灵敏度室温HEMT太赫兹探测器制备了一种集成有太赫兹低通滤波器的高速、高灵敏度GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器。实验研究表明, 当在太赫兹天线与引线电极之间加入低通滤波器时, 太赫兹耦合天线的谐振性能恢复, 室温下器件的...
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: AlGaN /GaN HEMT 在N2 中高温退火研究 (2006年) 通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200～600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化。对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：431KB 上传时间：2021-05-08

: AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性质的影响采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料，二维电子...
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: 一种改进ee_hemt电容方程的gan+hemt器件模型.pdf 一种改进ee_hemt电容方程的gan+hemt器件模型.pdf
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: 一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构.docx 一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构.docx
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: AIGaN/GaN HEMT研制及特性分析 (2005年) 以蓝宝石为衬底研制出栅长1μmAlGaN/GaN HEMT。在室温下，测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性，最大跨导160mS/mm，栅压1V下饱和电流720mA/mm，击穿电压大于50V。分析了几个关键工艺对器件特性的影响，...
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：1.88MB 上传时间：2021-05-16

: 具有两个沟道层的GaN / InAlGaN的新型高性能GaN基HEMT 报道了具有两个沟道层的GaN / InAlGaN的GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的潜在影响。使用二维和双载流子器件仿真，我们研究了器件性能，重点是电势，电子浓度，击穿电压和跨导（gm）。而且，将结果与AlGaN / GaN ...
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