单晶硅生长

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单晶硅生长

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: 新型单晶生长炉美帝半元件公司开始出售一种新型的焰熔炉，可用来生产晶体。炉的型号为SE160型，可长出特大的优质单晶。它能成功地生长出直径超过一吋，长十二吋的优质红宝石激光晶体。
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评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：1.35MB 上传时间：2021-03-16

: 硅外延生长工艺相关知识高质量的单晶硅薄膜已经可以在合成蓝宝石或尖晶石wafer上生长了，因为这些物质都有像硅一样可以让晶核生长的晶体结构。合成蓝宝石或尖晶石的成本超过同尺寸的硅wafer太多了，所以大多数外延生长沉积还是在硅底层上...
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: 波导SOl硅外延生长工艺特点若用MBE（分子束外延）方法生长单晶硅，则气态和固态源均可以用。但一般光波导用的硅外延生长以CVD占主导地位，因为它可以在较短的时间生长到所需要的厚度。一般商用的设备和工艺可以使得外延层厚度均匀性小于1%。 ...
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: 氮化镓单晶生长研究进展氮化镓( GaN) 作为第三代宽禁带半导体...本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展，包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展，分析了各生长方法面临的挑战与机遇，并对氮化镓单晶材料的发展趋势进行了展望。
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: 什么是硅晶片 单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。
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: 脉冲激光烧蚀单晶硅羽辉中粒子荷电特性 (2013年) 在室温和真空环境中,引入外加直流电场,通过脉冲激光烧蚀单晶硅靶,在与电极板和羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列薄膜.扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射谱和X射线衍射(XRD)谱检测结果均表明,随着电压和衬底...
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: 直拉法硅晶体生长中单晶炉坩埚内熔体的数值模拟 (2014年) 仿真结果表明,Fluent所得结果通过了 Wheeler标准问题的验证,说明采用 Fluent作为单晶炉模拟软件,对大尺寸硅单晶炉晶体生长过程中坩埚内硅熔体的多场问题进行数值仿真,为实际硅单晶生长热场设计及优化提供了依据。
评级：0 浏览量：240 收藏量：1 资源大小：1.02MB 上传时间：2021-05-31

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: 工业电子中的单晶炉提拉速度控制系统赵葵银1，胡俊达1 ，吴俊2 （1.湖南工程学院，湖南湘潭 411101；2.湘潭大学,湖南湘潭 411105）摘要：采用自调整因子混合式模糊PID控制...单晶硅的提拉速度控制，是在硅结晶生长开始时，用低速提拉，生长过程中匀速
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