脉冲激光烧蚀单晶硅羽辉中粒子荷电特性 (2013年)

在室温和真空环境中,引入外加直流电场,通过脉冲激光烧蚀单晶硅靶,在与电极板和羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列薄膜.扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射谱和X射线衍射(XRD)谱检测结果均表明,随着电压和衬底位置的变化,均纳米晶粒形成.结合晶粒成核生长动力学,分析得出烧蚀羽辉中只包含硅原子、带正电硅离子和带负电的电子.