沟道材料

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沟道材料

: 纳米CMOS器件应变增强沟道迁移率材料的研究_陆智勇.pdf 纳米CMOS器件应变增强沟道迁移率材料的研究_陆智勇.pdf
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：6.52MB 上传时间：2023-03-09

: 一种跨尺度微纳沟道的低成本制造方法一种跨尺度微纳沟道的低成本制造方法，孙蕾，殷志富，目前，微纳流控芯片已广泛应用于生物医学领域。然而，其高成本和复杂的制造工艺限制了微纳流控芯片的发展。为了降低工艺复杂度和
评级：0 浏览量：118 收藏量：0 资源大小：691KB 上传时间：2020-01-09

: 千瓦级连续激光二极管面阵及微沟道冷却组件每个激光二极管条安装在微沟道冷却封装组件上,依靠高压冷却水通过微沟道维持连续运行。面阵的30个二极管条的电路串联,冷却水道并联,恒流电流50 A时,发射连续1060 W,808 nm波长的激光,平均功率密度126 W/cm2。5个K型...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：904KB 上传时间：2021-02-11

: MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
评级：0 浏览量：481 收藏量：0 资源大小：309KB 上传时间：2020-08-21

: CSD18502KCS 产品分类分立半导体产品晶体管封装/外壳 TO-220-3 FET类型 N沟道漏源极电压（Vdss） 40V 栅源电压 Vgss ±20V 安装类型通孔(THT)
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：744KB 上传时间：2019-04-22

: 表面等离子体沟道波导实现高效三次谐波产生与受激三光子下转换的理论研究提出非对称等离子体沟道波导设计，沟道中引入高阶非线性有机材料(DDMEBT)。晶体硅(Si)在沟道底部以破坏波导的对称性。金属包层采用损耗较小的银(Ag)。通过设计波导几何参数，在基频（FF）零阶模式和第三次诣波（TH）...
评级：0 浏览量：97 收藏量：0 资源大小：2.52MB 上传时间：2021-02-23

: 非晶氧化物半导体材料及薄膜晶体管的研究进展.pdf 2004 年，日本东京工业大学 Hosono 研究小组制备了非晶 IGZO 薄膜，以其为沟道层制备了透明 a-IGZO TFT。研究发现，a-IGZO 薄膜的载流子迁移率比非晶硅薄膜材料高一个量级，TFT 饱和迁移率高达 6~9 cm2/Vs 。二元...
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：1.21MB 上传时间：2021-08-29

: 简析场效应管如何分类按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场...
评级：0 浏览量：204 收藏量：1 资源大小：71KB 上传时间：2020-07-13

: 检查具有高介电氧化物的三材料双栅极无硅 (SON) MOSFET 的电气特性：一项比较研究-研究论文对具有更高处理速度和更低功耗的设备的需求每年呈指数增长。设备行业通过缩小设备结构来满足这些需求。... 氧化层上的高介电材料和栅极材料工程的概念也被纳入。 SON 和 SOI 之间的比较也在 ATLAS 模拟器上进行。
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：411KB 上传时间：2021-06-10

: 场效应管的分类述场效应管的几种分类方法。
评级：0 浏览量：170 收藏量：0 资源大小：15KB 上传时间：2020-07-17

: 有机无机复合ZrO2-SiO2平面光波导采用溶胶凝胶法合成ZrO2-SiO2有机无机复合光波导材料,通过改变其中ZrO2的含量来调节...采用端耦合截断法测试了埋层沟道式平面光波导的光损耗(小于0.1dB/cm),并观察了其近场图像以及导光材料在近红外窗口的吸收光谱。
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：933KB 上传时间：2021-02-11

: 元器件应用中的结型场效应管的结构在一块N型硅，材料(沟道)上引出两个电极，分别为源极(S)和漏极(D)。在它的两边各附一小片P型材料并引出一个电极，称为栅极(G)。这样在沟道和栅极间便形成了两个PN结。当栅极开路时，沟道相当于一个电阻，其阻值随...
评级：0 浏览量：273 收藏量：0 资源大小：87KB 上传时间：2020-11-23

: Ka波段AIGaN／GaN HEMT栅结构仿真研究* (2009年) 为了研究适合Ka波段AIGaN／GaN ...根据典型器件结构和材料参数的仿真表明，为了提高频率并减轻短沟道效应，栅长应取0.15～0.25 μm；减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应，但会明显降低器件的饱和漏电流，综合考虑
评级：0 浏览量：309 收藏量：2 资源大小：331KB 上传时间：2021-05-10

: 部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型异质环栅由两种具有不同功函数的材料无缝拼接形成,能在沟道中产生电场峰值,降低漏端电场,并屏蔽漏压对最小表面势的影响。通过为沟道耗尽层各区建立柱坐标下电势泊松方程和相应的边界条件方程,采用径向抛物线近似对偏...
评级：0 浏览量：137 收藏量：0 资源大小：832KB 上传时间：2021-03-02

: 基础电子中的场效应管的介绍同半导体三极管有PNP和NPN两种类型一样,场效应管根据其沟道所采用的半导体材料不同，又可区分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道就是电流的通道。与半导体三极管相比，场效应管具有输入阻抗高、制造工艺简单、...
评级：0 浏览量：144 收藏量：0 资源大小：31KB 上传时间：2020-11-23

: 元器件应用中的绝缘栅型场效应管（MOS管）这两种类型的结构都是在P型材料的基层上扩散两个高掺杂的N区，引出的电极即为源极和漏极。当UGs=O时，漏源极已存在导电沟道的，称为耗尽型场效应管;必须在|UGS|＞0的情况下才能形成导电沟道的，称为增强型场效应管。
评级：0 浏览量：215 收藏量：0 资源大小：181KB 上传时间：2020-11-23

: 东芝开发出MIS型晶体管栅极绝缘膜积层技术该技术是一种在高介电率（high-k）栅极绝缘膜及锗（Ge）沟道之间插入“SrGex（Strontium Germanide）”界面层的工艺技术。可同时实现较高的载流子迁移率和栅极绝缘膜积层结构的薄化。　此前，MIS型晶体管的通道...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：65KB 上传时间：2020-11-08

: 场效应管的识别与检测场效应管是场效应晶体管的简称，...第二部分用字母表示材料，D表示P型硅N沟道，C表示N型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类，字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅型场效应管；第四部分用数字表示序号。例如，3DJ6
评级：0 浏览量：180 收藏量：0 资源大小：148KB 上传时间：2020-07-13

: IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法　IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上...
评级：0 浏览量：202 收藏量：0 资源大小：102KB 上传时间：2021-01-20

: He离子注入对Ge中缺陷行为的影响研究研究表明：入射角度较小时，拖尾效应不明显，有利于避免沟道效应，同时缺陷空位数(DPA)也处于较低水平；能量增大导致离子射程增大，溅射产额减小，离表面越近的Ge中DPA变少，可以实现低DPA GOI材料的制备；离子注入...
评级：0 浏览量：146 收藏量：0 资源大小：8.59MB 上传时间：2021-02-23

: 元器件应用中的三星开发出新型双栅晶体管 n型MBCFET采用了多晶硅栅极，而此次为了控制阈值，采用了TiN材料的金属栅，在Bulk底板和SOI底板上对n和p两种特性进行测试。　MBC是一种在结构上通过在硅底板内部嵌入多个栅电极，将夹在栅电极之间的区域用作沟道...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：38KB 上传时间：2020-11-28

: 功率器件心得——功率MOSFET心得功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载，带载能力...功率MOSFET可分为增强型和耗尽型，按沟道分又可分为N沟道型和P沟道
评级：0 浏览量：137 收藏量：1 资源大小：76KB 上传时间：2021-01-20

: 夏普IGZO屏幕驱动技术解析.pdf IGZO为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。IGZO材料由日本东京工业大学细野秀雄最先提
评级：0 浏览量：435 收藏量：0 资源大小：229KB 上传时间：2019-09-05

: 元器件应用中的功率器件心得——功率MOSFET心得功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载，带载能力...功率MOSFET可分为增强型和耗尽型，按沟道分又可分为N沟道型和P沟道
评级：0 浏览量：146 收藏量：0 资源大小：81KB 上传时间：2020-10-15

: 用于生物传感应用的堆叠栅极氧化物纳米间隙硅（SON）分析-研究论文本文提出了在生物传感器应用中... 已经针对具有不同介电值和电荷的不同生物材料研究了所述器件的表面电位、阈值电压和灵敏度，并且还提供了与基于 SOI 的器件特性的比较。该研究基于从 2-D TCAD 模拟中获得的结果。
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：683KB 上传时间：2021-06-10

: 基于H桥驱动电路的半导体制冷片恒温控制系统当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，所以将半导体制冷片的一面贴合在要加热或制冷的液体一侧，通过控制半导体制冷片的电压方向就可以达到加热或制冷的日的....
评级：0 浏览量：1773 收藏量：2 资源大小：341KB 上传时间：2021-07-07

: 模拟技术中的场效应晶体管介绍场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率...按沟道半导体材料的不同，结
评级：0 浏览量：186 收藏量：0 资源大小：30KB 上传时间：2020-12-10

: 具有可调阈值电压的自对准弹道n型单壁碳纳米管场效应晶体管当用度量CV / I与I-on / I-off进行基准测试时，n型SWCNT FET的断态泄漏要比具有相似沟道长度的基于Si的n型FET更好。这种自对准栅极结构的一个重要优点是可以使用任何合适的栅极材料，特别是表明，可以通过选择具有...
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：1.1MB 上传时间：2021-03-31

: 内部匹配的GaN HEMT器件，在8 GHz时具有45.2W的功率，用于X波段应用具有高迁移率GaN沟道层结构的优化AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在2英寸上生长。 MOCVD法制备直径为6H-SiC的半绝缘基板。 2英寸直径GaN HEMT晶片的平均薄层电阻低至261.9Ω/平方，电阻不均匀性低至...
评级：0 浏览量：200 收藏量：1 资源大小：592KB 上传时间：2021-02-23

: InGaZnO多晶靶材制备与薄膜生长的研究对于InGaZnO材料作为沟道半导体的薄膜晶体管柔性显示器件的研究倍受关注。将Ga2O3,In2O3,ZnO高纯度粉末按一定比例混合,经过研磨、预烧、研磨、压模和烧结,利用常压固相反应烧结法制备了直径为30 mm,厚度为5 mm高质量...
评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：1.3MB 上传时间：2021-02-10

: 新型微带带通滤波器设计零阶谐振系统以互补分裂谐振环和一系列沟道组成的左手材料LHM（Left-Handed Material）为基本单元，在传统设计的基础上进行改进，得到适合具有严格设计要求的滤波器设计使用模型，并给出此零阶谐振系统的共振频率和...
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：408KB 上传时间：2021-04-16

: 电源技术中的立锜科技面向数码相机推出整合型电源IC，效率达95％通道1和通道2两个DC/DC同步转换器沟道MOSFET完全内建，可有效减少整体材料成本及面积。目前，数码相机的应用趋势已趋向为整合6组或7组DC/DC转换器同在一颗IC内部，并且因为内部空间及面积的限制，慢慢走向高频化的...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：42KB 上传时间：2020-11-27

: 具有高效催化和检测功能的微流控芯片的制备目前微流控芯片的应用已覆盖分析化学、医学、药学、生物学、环境分析、化工、材料科学等领域。在微流控芯片内实现催化反应存在着催化剂在芯片中的位置难固定、催化剂与反应物接触面积小及催化反应效率低等问题，从而...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：731KB 上传时间：2021-02-04

: 关于场效应管的注意事项在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，...
评级：0 浏览量：182 收藏量：0 资源大小：140KB 上传时间：2020-07-13

: 光子计数成像探测器位敏阳极研究设计并制作了不同参数的阳极面板，测试分析了阳极周期长度、绝缘沟道宽度、阳极收集面积和衬底材料等因素与阳极极间电容间的关系。阳极极间电容测试结果与理论计算值相符，极间电容计算值与测试值之间的偏差在10%...
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：7.95MB 上传时间：2021-02-04

: 微纳电子器件期末考试复习思考题.docx 迁移率的退化和漂移速度饱和、小尺寸MOS器件的物理效应对阈值电压的影响、漏工程、沟道工程、栅工程、SOI器件、3D集成、TSV的原理、MCP，3D IC, SIP、SOP、SOC、碳纳米管、引线的电迁移现象等内容，总结非常详细，...
评级：0 浏览量：629 收藏量：2 资源大小：11.08MB 上传时间：2019-07-06

: 新型微带带通滤波器设计 SRR可用于左手材料LHM(Left-Handed Material)，LHM具有反向电导介电常数和渗透系数。这种反向介电常数通过互补的SRR(CSRR)来弥补。这样共振因素导致SRR应用的局限性，同时也促进CSRR发展。　研究证明，在以CSRR为...
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: 一种新型微带带通滤波器的应用设计 SRR可用于左手材料LHM(Left-Handed Material)，LHM具有反向电导介电常数和渗透系数。这种反向介电常数通过互补的SRR(CSRR)来弥补。这样共振因素导致SRR应用的局限性，同时也促进CSRR发展。　研究证明，在以CSRR为...
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: 晶闸管参数总结型号材料最高电压最大电流最大功率频率沟道电阻 MAT02FH 2 x SI-NPN 40 V 20 mA 0,5 W 450 MHz - MPSA06 SI-NPN 80 V 0,5 A 0,625 W - - MPSA10 SI-NPN 40 V 0,1 A 0,21 W 50 MHz - ...
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: 单片机与DSP中的新型微带带通滤波器设计 SRR可用于左手材料LHM(Left-Handed Material)，LHM具有反向电导介电常数和渗透系数。这种反向介电常数通过互补的SRR(CSRR)来弥补。这样共振因素导致SRR应用的局限性，同时也促进CSRR发展。　研究证明，在以CSRR为...
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: 单片机与DSP中的一种新型微带带通滤波器的应用设计 SRR可用于左手材料LHM(Left-Handed Material)，LHM具有反向电导介电常数和渗透系数。这种反向介电常数通过互补的SRR(CSRR)来弥补。这样共振因素导致SRR应用的局限性，同时也促进CSRR发展。　研究证明，在以CSRR为...
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: 碳纳米管阵列中的WIMP检测和缓慢的离子动力学一端开口的大阵列排列的碳纳米管（CNT）可用作定向检测弱相互作用暗物质粒子（WIMP）的目标材料。碳纳米管上WIMP弹性散射的结果是，碳离子可能被注入到阵列的主体中，并通过晶格内的多次碰撞而传播。如果离子的...
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: 器件的仿真研究_王言虹.caj 模型和材料模型,利用器件仿真软件对耗尽型器件进行了仿真,通过二维仿真,分析了不同结构参数对器件的影响,仿真得出层掺杂、势垒层组分以及肖特基势垒高度对器件特性的影响。从仿真结果可以知道增大层掺杂掺杂浓度...
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: 离子注入法形成的LiTaO 用能量为2.8 MeV、剂量为1.4×1016 ion/cm2的He+在室温(300 K)下注入到晶体材料LiTaO3中,形成了离子注入平板光波导。用棱镜耦合法观察和测量了LiTaO3波导导模的分布,并对退火前后的LiTaO3波导的折射率分布进行了计算...
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: 超薄直晶体对400 GeV / c质子的镜像厚度为平面沟道的振荡长度的一半的晶体可以充当带电粒子的反射镜。如果粒子轨迹与晶面的入射角小于通道引导的临界角，则势垒不足的粒子会经历一半的振荡，并以其横向动量的反转来离开晶体，即，粒子被“反射” ...
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