东芝开发出了新型栅极绝缘膜积层技术，该技术可适用于16nm级以后LSI用的MIS型晶体管。该技术是一种在高介电率（high-k）栅极绝缘膜及锗（Ge）沟道之间插入“SrGex（Strontium Germanide）”界面层的工艺技术。可同时实现较高的载流子迁移率和栅极绝缘膜积层结构的薄化。
此前，MIS型晶体管的通道多用Si材料。但随着晶体管的微细化，因材料本身的限制，很难获得足够的驱动电流。所以，该公司采用了载流子迁移率更高的材料Ge，并对适用于该材料的栅极积层结构进行了开发。此前已知栅极绝缘膜采用二氧化锗（GeO2），可获得较高的载流子迁移率。然而该材料的介电率较低，无法实现16n
