具有可调阈值电压的自对准弹道n型单壁碳纳米管场效应晶体管

已经制造了具有新颖的自对准栅极结构和直径为1.5 nm的SWCNT上沟道长度约为120 nm的近弹道n型单壁碳纳米管场效应晶体管（SWCNT FET）。 该器件具有出色的导通和截止状态性能，包括高达25μS的高跨导，100 mV / dec的小亚阈值摆幅和0.86 ps的栅极延迟时间，这表明该器件可以在THz频率下工作。 定量分析在同一SWCNT上制造的长通道器件的电学特性表明，SWCNT的平均自由程为191 nm，并且该器件的电子迁移率达到4650 cm（2）/ Vs。 当用度量CV / I与I-on / I-off进行基准测试时，n型SWCNT FET的断态泄漏要比具有相似沟道长度的基于Si的n型FET更好。 这种自对准栅极结构的一个重要优点是可以使用任何合适的栅极材料，特别是表明，可以通过选择具有不同功函数的栅极金属来调节自对准n型FET的阈值电压。