没有合适的资源?快使用搜索试试~
我知道了~
文库首页
开发技术
其它
边缘电容对GeOI金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压和亚阈值摆幅的影响
边缘电容对GeOI金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压和亚阈值摆幅的影响
研究论文
1 下载量
99 浏览量
2021-04-09
17:05:00
上传
评论
收藏
366KB
PDF
举报
温馨提示
立即下载
边缘电容对GeOI金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压和亚阈值摆幅的影响
资源推荐
资源评论
金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状.pdf
浏览:69
金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状.pdf
量子耦合对金属氧化物半导体场效应晶体管性能的影响
浏览:188
量子耦合对金属氧化物半导体场效应晶体管性能的影响
保护环对深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管的直流和高频性能的影响
浏览:95
保护环(GR)对直流(DC)和高频的影响亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管的性能(MOSFETs)在这项研究中进行了研究。 制作了具有四种不同GR的MOSFET 使用90 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)Craft.io,并进行了详细他们的设备性能进行了比较研究。 统一的直流和小信号开发了考虑GR影响的等效电路模型。 一套简单但有效的方法公式为S参数之间的转换提供了双向桥梁具有不同GR的设备。
行业资料-电子功用-具有最小覆盖电容的金属氧化物半导体场效应晶体管的说明分析.rar
浏览:55
行业资料-电子功用-具有最小覆盖电容的金属氧化物半导体场效应晶体管的说明分析.rar
具有双材料栅极的无结圆柱形环绕栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的准二维阈值电压模型
浏览:122
具有双材料栅极的无结圆柱形环绕栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的准二维阈值电压模型
采用先进的基板制造技术的UTB GeOI pMOSFET中的背栅调制
浏览:197
本文研究了超薄绝缘体上锗(UTB GeOI)p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)的背栅调制。 基于直接晶圆结合和抛光技术,已经制造出了高性能的20 nm厚GeOI pMOSFET。 分别获得158 cm2 / V·s的峰值空穴迁移...
绝缘体上锗(GeOI)pMOSFET的空穴迁移率的物理模型
浏览:156
绝缘体上锗(GeOI)pMOSFET的空穴迁移率的物理模型
germanium-p-channel-qwfet-cmos-paper.pdf
浏览:91
锗单质是一种灰白色准金属,有光泽,质硬,属于碳族,化学性质与同族的锡与硅相近,不溶于水、盐酸、稀苛性碱溶液,溶于王水、浓硝酸或硫酸,具有两性,故溶于熔融的碱、过氧化碱、碱金属硝酸盐或碳酸盐,在空气中较...
MOSFET SILVACO仿真
浏览:200
5星 · 资源好评率100%
MOSFET SILVACO仿真 SILVACO 仿真程序和仿真结果
行业资料-电子功用-具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及方法的说明分析.rar
浏览:25
行业资料-电子功用-具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及方法的说明分析.rar
具有垂直高斯分布的全耗尽绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值摆动模型
浏览:133
本文针对具有垂直高斯掺杂分布的短沟道全耗尽(FD)绝缘体上硅(FDI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)提出了一个紧凑的亚阈值摆幅模型。 考虑到受非均匀掺杂分布影响的沟道电势,使用有效传导路径效应(ECPE)的概念推导了该模型。 通过将计算结果与Sentaurus技术计算机辅助设计(TCAD)数值模拟数据进行比较,表明了所提出模型的有效性。 据信,该模型可提供更好的物理洞察力,并有助于在
U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响.pdf
浏览:41
U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响.pdf
射线总剂量辐照对单轴应变Si 纳米n 型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响
浏览:147
射线总剂量辐照对单轴应变Si 纳米n 型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响
硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极感应量子点的电容提取方法
浏览:165
报道了一种提取量子点结构耦合电容的改进方法。 该方法基于测量硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的电荷转移电流。在该晶体管中,通过施加具有半周期相位的交流偏置来控制沟道的闭合和断开移至双下闸。 通过分析传输电流和施加电压之间的关系,可以获得点周围的电容,包括边缘电容和势垒电容。 该技术不仅可用于从体硅器件中提取电容参数,而且还可用于从绝缘体上硅(SOI)MOSFET提取电容参数。
论文研究-通过直接键合与抛光技术实现高质量超薄绝缘层上锗衬底上积累型与反型nMOSFET .pdf
浏览:180
赵毅,,本实验通过直接键合高质量体Ge与体Si,并采用机械减薄与化学机械抛光(CMP)技术,实现了具有高晶体质量的超薄绝缘层上锗(UTBB GeOI��
单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型 (2015年)
浏览:9
电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础. 本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET 的16 个微分电容模型, 并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较, 验证了所建模型的正确性. 同时对其中的关键性栅电容Cgg 与应力强度、偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度等的关系进行了分析研究. 结果表明, 与体硅器件
金属氧化物半导体场效应晶体管测量组织补偿胶对乳腺癌胸壁照射皮肤X线表面剂量的影响.pdf
浏览:184
金属氧化物半导体场效应晶体管测量组织补偿胶对乳腺癌胸壁照射皮肤X线表面剂量的影响.pdf
γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响.pdf
浏览:2
γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响.pdf
行人惯性导航零速检测算法
浏览:148
行人惯性导航零速检测算法
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
浏览:201
5星 · 资源好评率100%
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
浏览:138
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
BA无标度网络中的SIR模型
浏览:126
BA无标度网络中的SIR模型
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
浏览:18
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
基于三次贝塞尔曲线的类汽车曲率连续路径平滑
浏览:145
本文重点研究在大型科学设施环境中工作的类似汽车的车辆的可行路径的生成。 考虑曲率连续性和最大曲率约束,一种新颖的路径平滑算法是根据三次贝塞尔曲线提出的。 在算法中,贝塞尔转弯和贝塞尔路径分别为发达。 Bezier 转弯首先设计用于连接两个任意配置。 然后可以通过以下方式获得贝塞尔路径使用贝塞尔曲线来拟合避免碰撞规划器提供的一系列目标点。 在算法的指导下,车辆可以以预定的方向到达目标点。 模拟实验进
基于机器学习的设备剩余寿命预测方法综述
浏览:88
基于机器学习的设备剩余寿命预测方法综述
基于无差拍预测控制和扰动观测器的永磁同步电机电流控制
浏览:16
基于无差拍预测控制和扰动观测器的永磁同步电机电流控制
基于FPGA的奇异值和特征值分解的快速实现。
浏览:93
基于FPGA的奇异值和特征值分解的快速实现。
基于BP神经网络的人口预测
浏览:106
基于BP神经网络的人口预测
两轮平衡车的建模与控制研究
浏览:39
两轮平衡车的建模与控制研究
评论
收藏
内容反馈
立即下载
资源评论
资源反馈
评论星级较低,若资源使用遇到问题可联系上传者,3个工作日内问题未解决可申请退款~
联系上传者
评论
weixin_38552305
粉丝: 5
资源:
973
私信
上传资源 快速赚钱
我的内容管理
展开
我的资源
快来上传第一个资源
我的收益
登录查看自己的收益
我的积分
登录查看自己的积分
我的C币
登录后查看C币余额
我的收藏
我的下载
下载帮助
前往需求广场,查看用户热搜
最新资源
IMG_6734.JPG
《操作系统》实验五:页面置换算法模拟.doc
《电力系统自动化》考试复习题及答案要点.doc
《电商网站建设与运营》说课(报).ppt
《电子商务概论》教案第六章.doc
《程序设计初步》PPT课件.ppt
《算法与程序设计VB(选修)》复习知识点资料(良心出品必属精品).doc
81cc01969a9cd6d4b4c6564a714b15cc.mp3
中国生物医学文献数据库(CBMdisc)使用方法与技巧-(2).pdf
企业网站改版方案.doc
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功