保护环对深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管的直流和高频性能的影响

保护环（GR）对直流（DC）和高频的影响亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管的性能（MOSFETs）在这项研究中进行了研究。 制作了具有四种不同GR的MOSFET 使用90 nm互补金属氧化物半导体（CMOS）Craft.io，并进行了详细他们的设备性能进行了比较研究。 统一的直流和小信号开发了考虑GR影响的等效电路模型。 一套简单但有效的方法公式为S参数之间的转换提供了双向桥梁具有不同GR的设备。 不同型号MOSFET的相应模型参数GR是由高达40 GHz的S参数晶圆上测量确定的。