碳化硅行业专题报告：关注国产衬底厂商扩产、器件厂商上车进展.docx
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2023-12-10
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碳化硅行业专题报告：关注国产衬
底厂商扩产、器件厂商上车进展
1. 解决里程焦虑，碳化硅是新能源汽车 800V 高压快充标配
SiC 属于第三代半导体，性能参数优异。以碳化硅为代表的第三代半导
体材料具有 禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、热导率高、击穿电场
强度高等优势： 1）更大的禁带宽度可以保证材料在高温下，电子不易
发生跃迁，本征激发弱，从而 耐受更高的工作温度。碳化硅的禁带宽
度约为硅的 3 倍，理论工作温度可达 400℃以上。 2）饱和电子漂移
速率指电子在半导体材料中的最大定向移动速度，决定器件的开 关频
率。碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的两倍，有助于提高工作频率，将
器件小型化。 3）高温是影响器件寿命的主要原因之一，热导率代表了
材料的导热能力，碳化硅 的高热导率可以有效传导热量，降低器件温
度，维持正常工作。 4）临界击穿场强指材料发生电击穿的电场强度，
一旦超过该数值，材料将失去绝 缘性能，进而决定了材料的耐压性能。
碳化硅的临界击穿场强约为硅的 10 倍，能够耐 受更高的电压，更适
用于高电压器件。
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