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充电桩行业专题报告:从高压快充看碳化硅在电力设备中的运用.docx
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充电桩行业专题报告:从高压快充看碳化硅在电力设备中的运用
1.充电桩行业趋势:高压快充大势所趋
充电时长成电动汽车痛点之一,提高充电速度迫在眉睫
根据麦肯锡发布的《2023 麦肯锡中国汽车消费者洞察》,电动汽车消费者最关注的问题就是续航里程与充
电时间,高达 56%的受访者都认为此非常重要,远大于第二、第三关注因素的动态体验(48%)和用车成
本 (46%)。基于此,提高充电桩的充电速度迫在眉睫。
高压大功率比大电流方案更有效率
基于“电池充电电量=充电功率 x 时间”的充电原理,我们可知充电功率越大,充电时间越短。根据 P=UI
(功率=电压 x 电流),实现大功率充电可以通过增大充电电流和提高电压两种方式:增大充电电流:即
提高单体电芯的最大充电电流,需要对电芯的材料体系和结构进行升级,降低电池 在快充过程中产热和析
锂,避免引起热失控等安全问题。以特斯拉 Mode13 为代表,最大充电电流可达 到 700A,可实现 31 分钟
充 80%的电量 1。提高电池系统电压:以保时捷为代表,电压平台从 400V 提升至 800V,最大电流仅为 334A
的情况下,实现 22.5 分钟从 5%充电至 80%的电量 2。由于增大电流会使得能量损失严重,转化效率低,
且对热管理系统造成较大负担,因此高压大功率更有效 率。
车企不断提升车辆电压平台,高压快充将成未来趋势
在电动推广初期,消费者对电动汽车充电速度关注不多,电动汽车补能方式以慢充为主,直流充电的 电压
/电流普遍在 350V/125A 以下。随着电动汽车快速上量,原有补能效率已不能满足用户需求。2015 年发
布的 GB/T20234.3《电动汽车传导充电用连接装置第 3 部分直流充电接口要求》,将直流充电 接口电流
从原来的 125A 提升至上限 250A,以满足电池容量增加带来的充电功率增加。随后车企主要通过提升车辆
电压平台,来实现基于 250A 电流下的快充。电压平台由 350V 逐步向 450V、 750V 演进,实现充电倍
率 1-2C。当前部分车企通过提升电流到 500A 来实现 3-4C 的快充。随着耐高压、低损耗、高功率密度的
SiC 功率器件的逐步深入应用,950V 左右的的电压平台逐步被车企 提上日程,并将成为未来 3-5 年的重
要趋势。950V/500A 的高压快充桩可达 480kW 的充电功率,实现 5min 左右的快速补能,真正实现“充
电像加油一样快捷”。国家有关部门已将 1000V 纳入乘用车大功率快充充电接口标准中,以适应未来“千
伏”高压平台的落地。
主流车企纷纷布局高压快充车型
2020 年保时捷首次推出支持 800V 高压快充的 Tycan 后,全球车企加快研发高压快充车型,补电时间向
10min 以 内迈进。广汽、小鹏、北汽、东风、长安等均已推出基于 800V 及以上高压平台的高端车,且
快充性能可以达 到“充电 10min 续航增加 200km 左右”。例如广汽埃安在 2021 年 4 月发布的 6C 超快
充系统,最大电压达 800V, 最大电流大于 500A,只需 8min 即可完成 0%-80%SOC 的充电。
目前 800V 高压平台车型已经成为当前头部车企布局的主力,据我国主要车企规划 2002 年逐步量产,2023
年满 足 3C 以上高压快充的高端车型将密集上市,2025 年主流车型均将支持高压快充。根据华为发布的
《高压快充 产业发展报告 2023-2025》预测,预计到 2026 年底,支持高压快充车型的市场保有量将达
1300 万辆以上。
为适应高压快充车型,高压快充桩不断布局
根据华为测算 , 要实现 5min 以内快充,充电桩功 率须向 480kw 演进。为适应未来大功率高压快 充
发展趋势,主流车企及 充电运营商已经开始布局 大功率快充桩。如:国网 快充桩招标中,80kw 充电
桩占比已从 2020 年的 63% 下降至 2022 年的 37%,而 160kw 和 240kw 分别从 35% 和 1%上升至
57%和 4%,并 已开始布局 480kW 的大功 率快充桩,此外广汽埃安 的 A480 超级充电桩最大充 电功率
亦是达到 480kW。
2.碳化硅为高压快充桩发展带来新机遇
碳化硅作为第三代半导体材料前景广阔
半导体材料的发展历程可分为三代,首先是以硅、锗为代表的第一代半导体,发展最成熟,应用相对 广泛,
主要应用于低压、低频、中低功率晶体管领域;其次是以 GaAs、InP 等化合物为代表的第二代 半导体材
料,一般应用于微波通讯、光通讯等特色芯片领域;最新诞生的第三代半导体材料,以 SiC、 GaN 等化合
物为代表,由于材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、击穿电压高、导热率高等特性,适 合应用在高压,
高频、高温、抗辐照等领域,在轨道交通,新能源汽车,特高压输电、大功率电源及 电驱应用领域中具有
广阔的应用前景。
碳化硅产业链以衬底制造为核心
碳化硅的产业链从上游的衬底和外延,到中游的器件和模块制造(包括器件设计、制造和封测等),最后 是
下游的终端应用。碳化硅产业链价值量倒挂,关键部分主要集中在上游端,其中衬底生产成本占总成 本的
47%,外延环节成本占 23%,合计上游成本占到碳化硅生产链总成本的约 70% 5。其中衬底制造技术壁
垒最高、价值量最大,既决定了上游原材料制备的方式及相关参数,同时也决定着下游器件的性能,是 未
来碳化硅大规模产业化推进的核心。
碳化硅衬底根据技术路径不同,应用于不同领域
半绝缘型:碳化硅的耐热性和导热性都较好,可以弥补氮化镓器件耐热性较差的缺点。因此业界采取半 绝
缘型碳化硅做衬底,在衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片后进一步制成半绝缘型 碳化
硅基射频器件,主要用于 5G 通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天等领域。导电型:通过在
导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成导电型碳化硅功 率器件,品种包括
造肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等。导电型碳化硅功率器件具备耐高压、耐高温、低 能量损耗等性能
优势,主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
碳化硅对比传统硅材料优势突出
碳化硅半导体开关的禁带宽度是普通硅质开关器件的 3 倍左右,临界击穿电场强度更是高达硅质半导体 开
关的 10 倍以上,因此所,支持功率电子电路在远超 100V/ns 和 10A/ns 的电压和电流摆率下工作。能承
受的峰值电压更高,输出功率更大。
降低导通电阻,是降低器件损耗的必要条件。对于高压硅基功率器件来说,为了维持比较高的击穿电压,
一般需要使用较低掺杂率以及比较宽的漂移区,因此漂移区电阻在总电阻中占比较大。而碳化硅材料高 临
界电场强度的特性意味着,单位面积下碳化硅器件的导通电阻更低,即相同电压等级下,碳化硅半导 体开
关需要的漂移区厚度比硅质半导体开关器件更薄,使得功率模块整体尺寸更小,从而能够极大提高 整个模
块的功率密度。
碳化硅引入充电桩,快速充电再升级
充电模块是充电桩的核心零部件,约占充电桩总成本的 50%;其中,半导体功率器件又占到充电模块 成
本的 30%,即半导体功率模块约占充电桩成本 15%。在高压快充的趋势下,碳化硅器件的运用能有效 解
决充电桩设备目前亟需采用更耐高压、耐高温、安全的新型器件的痛点,降本增效实现电动车快速 充电。
从效率角度来看,SiC MOSFET 和二极管产品依赖其耐高压、耐高温、开关频率快的特性,可以很好 地
用于充电桩模块。与传统硅基器件相比,碳化硅模块可以增加充电桩近 30%的输出功率,并且减少 损耗
高达 50%左右。同时,碳化硅器件的抗辐射特性还能够增强充电桩的稳定性。从成本角度来看:碳化硅的
优秀特性能够有效提高单位功率密度,减小模块体积并简化电路设计,对 降低充电桩产品成本起到至关重
要的作用。
3.碳化硅在其他电力设备中亦被广泛运用
碳化硅亦被广泛运用在其他电力设备中
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