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IPA90R800C3 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
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2023-06-30
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IPA90R800C3 英飞凌芯片规格书手册 本文档是关于IPA90R800C3英飞凌芯片的规格书手册,该芯片是一种CoolMOS™电源晶体管,设计用于quasi共振式Flyback/Forward拓扑结构和PC Silverbox应用。该芯片具有极低的RON x Qg值,高峰电流能力和高dv/dt抗干扰能力,同时也符合JEDEC标准和RoHS指令。 IPA90R800C3的特点包括: * 极低的RON x Qg值,高峰电流能力和高dv/dt抗干扰能力 * 高温峰值电流能力,高温峰值电压抗干扰能力 * 符合JEDEC标准和RoHS指令 * 适用于quasi共振式Flyback/Forward拓扑结构和PC Silverbox应用 在规格书中,IPA90R800C3的最大等级包括: * 连续漏极电流:2A * 脉冲漏极电流:6A * 阿瓦兰奇能量:157mJ * 阿瓦兰奇电流:6.9A * MOSFET dv/dt抗干扰能力:4V/ns * 门源电压:±20V * 功率损耗:62W * 工作温度范围:-55°C to 150°C 规格书还提供了IPA90R800C3的热特性和电气特性,包括热阻抗、热导率、门源电压、漏极电流等参数。 在实际应用中,IPA90R800C3可以用于quasi共振式Flyback/Forward拓扑结构和PC Silverbox应用,例如:电源模块、DC-DC变换器、电机控制系统等。 IPA90R800C3是一种高性能的电源晶体管,具有极低的RON x Qg值和高峰电流能力,适用于高频率和高电压应用。
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IPA90R800C3
CoolMOS
™
Power Transistor
Features
• Lowest figure-of-merit R
ON
x Q
g
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC
1)
for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Ultra low gate charge
CoolMOS™ 900V is designed for:
• Quasi Resonant Flyback / Forward topologies
• PC Silverbox and consumer applications
• Industrial SMPS
Maximum ratings, at T
J
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Conditions Unit
Continuous drain current
2)
I
D
T
C
=25 °C
A
T
C
=100 °C
Pulsed drain current
3)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=1.4 A, V
DD
=50 V
157 mJ
Avalanche energy, repetitive t
AR
3),4)
E
AR
I
D
=1.4 A, V
DD
=50 V
Avalanche current, repetitive t
AR
3),4)
I
AR
A
MOSFET dv /dt ruggedness dv /dt
V
DS
=0...400 V
V/ns
Gate source voltage
V
GS
static V
AC (f>1 Hz)
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
W
Operating and storage temperature
T
J
, T
stg
°C
Mounting torque M2.5 screws 50 Ncm
Value
6.9
4.4
15
±30
33
-55 ... 150
0.46
1.4
50
±20
V
DS
@ T
J
=25°C 900 V
R
DS(on),max
@ T
J
= 25°C 0.8
Ω
Q
g,typ
42 nC
Product Summary
Type Package Marking
IPA90R800C3 PG-TO220 FP 9R800C
PG-TO220 FP
Rev. 1.0 page 1 2008-07-30
IPA90R800C3
Maximum ratings, at T
J
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Conditions Unit
Continuous diode forward current
2)
I
S
A
Diode pulse current
3)
I
S,pulse
15
Reverse diode dv /dt
5)
dv /dt 4 V/ns
Parameter Symbol Conditions Unit
min. typ. max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
- - 3.8 K/W
R
thJA
leaded - - 62
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at leads
T
sold
1.6 mm (0.063 in.)
from case for 10 s
- - 260 °C
Electrical characteristics, at T
J
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V, I
D
=250 µA
900 - - V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=V
GS
, I
D
=0.46 mA
2.5 3 3.5
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=900 V, V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
--1µA
V
DS
=900 V, V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
-10-
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V, V
DS
=0 V
- - 100 nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V, I
D
=4.1 A,
T
j
=25 °C
- 0.62 0.8
Ω
V
GS
=10 V, I
D
=4.1 A,
T
j
=150 °C
- 1.7 -
Gate resistance
R
G
f =1 MHz, open drain - 1.3 -
Ω
Values
Thermal resistance, junction -
ambient
Value
T
C
=25 °C
4.1
Rev. 1.0 page 2 2008-07-30
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