IPW90R120C3 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
英飞凌的IPW90R120C3是一款基于CoolMOS技术的高性能功率晶体管,设计用于处理高脉冲电流和极端的dv/dt条件。该芯片的主要特点包括: 1. 最低的导通电阻乘以栅极电荷(RON x Qg):这使得在开关操作中能实现更低的损耗,从而提高电源转换效率。 2. 极端的dv/dt耐受能力:允许在快速电压变化的环境中稳定工作,这在高频开关应用中尤其重要。 3. 高峰值电流能力:芯片能够承受高瞬时电流,适用于需要处理大电流峰值的应用。 4. 符合JEDEC标准:该芯片经过JEDEC的严格认证,适合目标应用,确保了其在工业环境中的可靠性。 5. 环保无铅镀层:符合RoHS标准,表明该产品不含铅,符合现代环保要求。 6. 世界最佳的RDS(on)在TO247封装中:在TO247封装下,RDS(on)极低,这有助于减少功耗和发热。 IPW90R120C3主要应用于以下领域: 1. 准谐振反激/前向拓扑:这些拓扑在电源转换中很常见,需要高效且耐用的功率器件。 2. 个人电脑银盒和消费类应用:在这些领域,芯片需要能够承受高负荷和频繁的开关操作。 3. 工业开关模式电源(SMPS):由于其高可靠性和性能,IPW90R120C3是工业级电源解决方案的理想选择。 在规格书中,列出了该芯片的主要参数: - 连续漏极电流(I_DT)在不同温度下的最大值。 - 脉冲漏极电流(I_D,pulse):在特定条件下,芯片能承受的瞬时大电流。 - 单脉冲雪崩能量(E_AS)和重复雪崩能量(E_AR),以及对应的电流和电压。 - 漏源电压(V_DS)的最大值为900V,以及在25°C时的最大漏源导通电阻(R_DS(on))为0.12Ω。 - 栅极电荷(Q_g,typ)为270nC,影响开关速度。 - 其他电气特性,如栅源电压(V_GS)、静态特性、雪崩电流(I_AR)以及门极源极泄漏电流(I_GS)等。 此外,还提到了热特性和焊接温度限制,例如结壳热阻(R_thJC)、结空气热阻(R_thJA)、波峰焊温度(T_sold)等,确保了芯片在散热和安装过程中的稳定性。 综上所述,IPW90R120C3是英飞凌提供的一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于对开关速度、效率和耐用性有高要求的电源转换应用。
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