SPA17N80C3 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf
SPA17N80C3 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册 本文档是关于SPA17N80C3型号的英飞凌(INFINEON)芯片的中文规格书手册。该芯片是一种高压MOSFET,具有非常低的电阻和高速开关能力。 特性 * 新的革命性高压技术 * 全球最好的RDS(on)在TO-220封装中 * 超低门控电荷 * 周期性雪崩Rated * 极限dv/dtRated * 超低有效电容 * 改进的传导率 * PG-TO-220-3-31:完全隔离的封装(2500 VAC; 1分钟) 最大Rating * 连续drain电流(ID):17 A * 脉冲drain电流(ID):51 A * 雪崩能量,单脉冲(EAS):670 mJ * 雪崩能量,重复脉冲(EAR):0.5 A * 雪崩电流,重复脉冲(IAR):17 A * 门源电压(VGS):±20 V * 门源电压AC(f >1Hz)(VGS):±30 V * 功率消耗(Ptot):208 W 热特性 * 热阻,结-case(RthJC):0.6 K/W * 热阻,结-case,FullPAK(RthJC_FP):3.6 K/W * 热阻,结-ambient,铅连接(RthJA):62 K/W * 热阻,结-ambient,FullPAK(RthJA_FP):80 K/W * 焊接温度,波焊焊接:260°C 电气特性 * 漏电流(IDSS):17 A * 源漏电压(VDS):640 V * 源漏电阻(RDS(on)):0.29 Ω * 门源电阻(RGS):10 Ω * 门漏电阻(RGD):10 Ω * 输出电阻(RO):10 Ω 应用 本文档适用于设计和使用SPA17N80C3型号的英飞凌芯片的工程师和开发人员。该芯片广泛应用于高压电源、电机驱动、变频器、 UPS 等领域。 结论 SPA17N80C3型号的英飞凌芯片是高压MOSFET的优秀代表,具有非常低的电阻和高速开关能力。该芯片广泛应用于高压电源、电机驱动、变频器、UPS等领域。
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