IRFB4410ZPBF INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IRFB4410ZPBF INFINEON 英飞凌芯片中文版规格书手册 IRFB4410ZPBF 是一款高性能的 HEXFET 电源 MOSFET，由 INFINEON 英飞凌公司生产。该芯片具有改进的 Gate、avalanche 和动态 dV/dt 耐久性，完全表征的电容和 avalanche 安全工作区（SOA）。此外，该芯片还具有增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力，且为免焊料、RoHS 符合和氟氢自由设计。 应用场景： * 高效同步整流在 SMPS * 不间断电源供应 * 高速电源开关 * 硬开关和高频电路 该芯片的封装类型为 D2Pak、TO-220AB 和 TO-262，具有不同的封装规格和数量。 在规格书手册中，详细介绍了该芯片的绝对最大额定值、电气特性、热特性、avalanche 特性、安全工作区和封装信息等。 绝对最大额定值： * 连续漏极电流（ID）：97A * 脉冲漏极电流（IDM）：156A * 最大功率损耗（PD）：250W * 线性衰减系数（PD @ TC = 25°C）：0.5W/°C 电气特性： *漏极-源电压（VDS）：100V *门-源电压（VGS）：±20V *门-漏极电压（VGD）：±20V *漏极-源电阻（RDS-on）：typ. 7.2mΩ, max. 9.0mΩ 热特性： * 结--case 热阻（RθJC）：0.65°C/W * Case-sink 热阻（RθCS）：0.50°C/W * 结-ambient 热阻（RθJA）：62°C/W avalanche 特性： * 单脉冲avalanche 能量（EAS）：1.16mJ * 重复avalanche 能量（EAR）：0.58mJ 安全工作区： * 安全工作区图见 Fig. 14, 15, 22a, 22b 封装信息： * 封装类型：D2Pak, TO-220AB, TO-262 * 封装数量：50pcs/Tube * 封装类型：Tape and Reel Left, Tape and Reel Right IRFB4410ZPBF 是一款高性能的电源 MOSFET，适用于高效同步整流、不间断电源供应、高速电源开关和硬开关和高频电路等应用场景。