IPP027N08N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf
英飞凌的IPP027N08N5是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于OptiMOS 5系列。OptiMOS 5是英飞凌推出的第五代功率MOSFET技术,它在效率、尺寸和热性能方面都有显著提升。这款芯片特别适用于高频开关和同步整流应用,其主要特点包括: 1. **优异的门极电荷与RDS(on)乘积(FOM)**:这个参数衡量了开关性能,较低的FOM意味着更快的开关速度和更低的功耗。 2. **非常低的导通电阻(RDS(on))**: IPP027N08N5的最大RDS(on)为2.7毫欧,这使得在大电流通过时,芯片产生的压降更小,从而提高系统的效率。 3. **N沟道,标准驱动等级**:这意味着该MOSFET适用于常见的电源管理电路,由逻辑电平的信号即可驱动。 4. **100%雪崩测试**:确保器件在过载条件下的安全性,增强了其在恶劣工作环境下的可靠性。 5. **无铅电镀,符合RoHS标准**:无铅设计符合环保要求,适合绿色电子产品。 6. **根据JEDEC标准进行合格认证**:确保了产品的一致性和可靠性,满足行业标准。 7. **符合IEC61249-2-21的卤素免费**:满足了对无卤素材料的需求,进一步提高了环保性能。 规格书中的关键性能参数包括: - **VDS**:最大漏源电压为80V,表明该MOSFET能承受的最高电压。 - **RDS(on),max**:最大导通电阻,是MOSFET在完全导通时的电阻,直接影响到其在大电流下的功耗。 - **ID**:额定连续漏电流,此处为120A,表示MOSFET可以安全处理的最大直流电流。 - **Qoss**:栅极电荷,代表开关过程中栅极积累的电荷量,直接影响开关速度和功耗。 - **QG(0V..10V)**:栅极总电荷,是栅极从0V到10V时的电荷变化量,同样影响开关速度。 规格书中还包含了最大额定值、热特性、电气特性图表、封装轮廓以及修订历史等详细信息。这些数据对于设计师来说至关重要,可以帮助他们了解器件的性能限制,并在电路设计中做出正确的选择。例如,热特性章节将提供散热设计的参考,而电气特性图表则提供了MOSFET在不同工作条件下的行为模型。封装部分描述了实际器件的物理尺寸和引脚排列,这对于焊接和布局是必不可少的。修订历史记录了产品的发展和改进,有助于追踪和理解版本之间的差异。
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