IPP019N06NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf

英飞凌的IPP019N06NF2S是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于广泛的电子应用。这款芯片的设计优化了在各种条件下的性能，使其能够在多种不同的电路中发挥高效能。以下是该芯片的一些关键特性： 1. **耐压能力**： IPP019N06NF2S的最大漏源电压（VDS）为60V，这意味着它能够在不超过60V的电压下稳定工作。 2. **低导通电阻**：它的最大漏源导通电阻（RDS(on)）仅为1.9毫欧，这表明在导通状态下，该MOSFET的内阻极小，能有效降低电路中的功率损耗。 3. **电流处理能力**：这款MOSFET的连续漏电流（ID）高达185A，意味着它可以处理大电流的传输，适合于高功率应用。 4. **快速开关性能**：开关时的总栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss）分别为108nC，这两个参数反映了MOSFET的开关速度和效率。较低的Qg和Qoss意味着更快的开关时间和更低的能量消耗。 5. **安全性与环保**：该产品经过100%雪崩测试，确保其在过载情况下的稳定性。此外，它采用无铅电镀，并符合RoHS标准，表明它是无铅且不含卤素的，符合环保要求。 6. **封装信息**：IPP019N06NF2S采用PG-TO220-3封装，这种封装形式常见于功率器件，具有良好的散热性能。其标记代码为019N06NS-2，方便识别和订购。 7. **规格书内容**：规格书包含了芯片的详细描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓以及修订历史等重要信息，为设计工程师提供了全面的技术参数参考。 8. **应用场景**：由于其优良的电气性能和可靠性，这款MOSFET可能被用于电源管理、电机驱动、开关电源、逆变器以及负载开关等需要高效能、低损耗功率转换的领域。 9. **安全警告与免责声明**：规格书中还包含对产品使用和性能的声明，提醒用户在正确理解和遵循制造商指导的情况下使用，以避免潜在的安全风险。 IPP019N06NF2S是一款高性能、高效率、符合环保要求的功率MOSFET，适合对电流处理能力和开关效率有高要求的电子设计。其详细规格书为设计工程师提供了全面的参数数据，以支持他们在设计过程中做出最佳决策。