IPP019N08NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf

英飞凌的IPP019N08NF2S是一款高性能的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为广泛的电子应用设计。这款芯片具有以下显著特点： 1. **优化应用范围**：IPP019N08NF2S被设计用于多种应用，其性能和特性可以适应各种电路需求，包括电源管理、电机驱动、开关电源和负载开关等。 2. **N-通道，正常电平**：作为N沟道MOSFET，它在栅极电压低于源极电压时导通，适用于低侧开关配置，即在电源的负端控制电流。 3. **100%雪崩测试**：这款芯片经过了严格的雪崩测试，确保了在过载条件下具备良好的耐用性和稳定性，能够承受高能量脉冲而不会损坏。 4. **无铅引脚电镀**：符合RoHS标准，意味着它不含铅，有利于环保，并且符合欧盟关于有害物质的限制规定。 5. **无卤素**：根据IEC61249-2-21标准，该产品是无卤素的，减少了燃烧时产生有害气体的风险。 关键性能参数如下： - **VDS**：最大漏-源电压为80V，表示该MOSFET可处理的最大电压差。 - **RDS(on)**：最大漏-源导通电阻为1.9mΩ，这直接影响了MOSFET在导通状态下的电压降和功耗。 - **ID**：最大连续漏电流为191A，表明芯片能够处理的最大电流。 - **Qoss**：总栅极电荷为145nC，影响开关速度和效率。 - **Qg**：总栅极电荷为124nC，与开关速度有关，较小的Qg意味着更快的开关响应。 规格书中还包含了： - **最大额定值**：列出设备在不损害性能或寿命的情况下可以承受的工作极限条件。 - **热特性**：描述芯片在不同工作条件下的散热性能，如结温、热阻等。 - **电气特性**：详细列出了MOSFET的静态和动态参数，如阈值电压、栅极电荷、输入电容等。 - **电气特性图**：通过图表形式展示了不同参数随电压或电流变化的关系。 - **封装轮廓**：提供了芯片物理封装的尺寸和布局信息。 - **修订历史**：记录了规格书的更新和改进情况。 - **商标和免责声明**：涉及知识产权和使用条款的相关信息。 IPP019N08NF2S封装类型为PG-TO220-3，常见的标记有019N08NS-2。这种封装适合于需要高功率处理和良好散热能力的应用。总体而言，英飞凌的IPP019N08NF2S是一款高效、可靠且适用于多种应用的功率MOSFET，其出色的电气特性和环境友好性使其成为工程师在设计电力电子系统时的理想选择。